Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

Resultados: 79
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL 1 931En existencias
Cinta cortada
₡2 623,15
₡1 446,89
₡1 280,34
₡1 103,39
Envase tipo carrete
₡942,04
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 400 A 1.2 mOhms 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6 2 989En existencias
Cinta cortada
₡1 113,80
₡603,74
₡459,57
₡368,49
Envase tipo carrete
₡277,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 45 V 264 A 950 uOhms 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252 2 999En existencias
Cinta cortada
₡1 243,91
₡608,94
₡546,49
₡432,51
₡410,65
Envase tipo carrete
₡368,49
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 380 mOhms 20 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL 1 858En existencias
Cinta cortada
₡2 107,88
₡1 181,46
₡1 113,80
Envase tipo carrete
₡765,08
₡733,86
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 347 A 1.5 mOhms 20 V 4 V 190 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X 2 830En existencias
Cinta cortada
₡1 436,48
₡806,72
₡629,76
₡530,87
Envase tipo carrete
₡427,82
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 210 A 1.45 mOhms 20 V 4 V 122 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252 2 960En existencias
Cinta cortada
₡999,29
₡478,83
₡427,82
₡338,30
₡318,52
Envase tipo carrete
₡273,24
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 60 V 126 A 3 mOhms 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X 2 999En existencias
Cinta cortada
₡1 426,08
₡702,63
₡629,76
₡504,85
₡488,20
Envase tipo carrete
₡443,96
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 80 V 168 A 2.2 mOhms 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262 999En existencias
₡2 482,62
₡1 280,34
₡1 160,64
₡952,45
₡947,25
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 115 mOhms 20 V 5 V 91 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220 1 589En existencias
₡1 327,19
₡650,58
₡577,72
₡466,34
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 132 A 3.88 mOhms 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252 2 687En existencias
Cinta cortada
₡676,61
₡316,44
₡280,53
₡218,08
Envase tipo carrete
₡171,75
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 100 V 48.5 A 11 mOhms 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X 2 985En existencias
Cinta cortada
₡1 129,41
₡546,49
₡486,64
₡386,71
₡358,60
Envase tipo carrete
₡322,17
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms 20 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6 2 960En existencias
Cinta cortada
₡1 014,91
₡489,24
₡417,93
₡331,54
Envase tipo carrete
₡268,56
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 245 A 1.05 mOhms 20 V 900 mV 75 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6 2 999En existencias
Cinta cortada
₡994,09
₡473,62
₡423,14
₡334,14
₡314,36
Envase tipo carrete
₡269,60
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 45 V 223 A 1.4 mOhms 20 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6 2 970En existencias
Cinta cortada
₡843,15
₡398,68
₡354,96
₡278,45
Envase tipo carrete
₡222,24
₡215,47
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 170 A 2.1 mOhms 20 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252 2 835En existencias
Cinta cortada
₡1 238,71
₡603,74
₡541,28
₡430,42
₡408,04
Envase tipo carrete
₡366,41
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 600 V 13.3 A 290 mOhms 20 V 5 V 30 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM 772En existencias
₡1 878,88
₡947,25
₡848,36
₡692,22
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms 20 V 5 V 58 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6 2 995En existencias
Cinta cortada
₡1 202,28
₡666,20
₡514,22
₡417,93
Envase tipo carrete
₡335,70
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 190 A 1.7 mOhms 20 V 4 V 100 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P 2 997En existencias
Cinta cortada
₡1 035,73
₡497,04
₡444,48
₡351,83
₡334,66
Envase tipo carrete
₡286,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 2 Channel 30 V 27 A 5 mOhms 20 V 2.2 V 19 nC - 55 C + 150 C 2.27 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252 2 971En existencias
Cinta cortada
₡671,40
₡313,32
₡278,45
₡215,99
Envase tipo carrete
₡170,19
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 700 V 3.2 A 1.4 Ohms 20 V 5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T 1 000En existencias
₡1 374,03
₡676,61
₡603,74
₡484,03
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67.7 A 3.88 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6 3 000En existencias
Cinta cortada
₡676,61
₡314,36
₡278,97
₡216,51
Envase tipo carrete
₡176,44
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 125 A 2.55 mOhms 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T 986En existencias
₡1 457,30
₡718,24
₡640,17
₡518,90
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 2.4 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1 2 948En existencias
Cinta cortada
₡458,01
₡208,19
₡183,72
₡140,53
Envase tipo carrete
₡108,26
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel, P-Channel 1 Channel 100 V 2.5 A 150 mOhms, 160 mOhms 20 V 3 V 11 nC, 32 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T 935En existencias
₡890,00
₡413,77
₡327,89
₡275,85
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 8.4 mOhms 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3 2 615En existencias
Cinta cortada
₡510,06
₡234,73
₡207,67
₡180,08
Envase tipo carrete
₡123,87
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7.5 A 28 mOhms 20 V 3 V 14 nC - 55 C + 150 C 3.125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel