N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

Resultados: 100
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
Hoja de datos
5 301En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 97 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
Hoja de datos
3 970En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 33 A 34.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 26 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
1 745En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3-2 P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
543En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
540En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
702En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 90 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2
Hoja de datos
1 668En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 160 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
Hoja de datos
309En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 137 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V
Hoja de datos
662En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms - 16 V, 20 V 1.7 V 190 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2
Hoja de datos
634En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2
Hoja de datos
1 181En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
398En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
744En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
662En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 150 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
698En existencias
2 000Se espera el 15/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 10.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2
Hoja de datos
44En existencias
1 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 81 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2
Hoja de datos
216En existencias
1 000Se espera el 1/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS
Hoja de datos
565En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 180 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2
Hoja de datos
489En existencias
1 000Se espera el 19/8/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3.4 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 170 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
Hoja de datos
372En existencias
1 000Se espera el 27/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 64 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 86 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
3 344En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TSON-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 205 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 41 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
900En existencias
15 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 44 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
1 025En existencias
5 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 63 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
Hoja de datos
10 187En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 140 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 800 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
Hoja de datos
447En existencias
5 000Se espera el 29/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel