Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
1:
₡1 264,73
29 717 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S2L13ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
29 717 En existencias
1
₡1 264,73
10
₡718,24
100
₡530,87
500
₡440,83
2 500
₡350,79
5 000
Ver
1 000
₡404,92
5 000
₡341,95
10 000
₡337,26
25 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
50 A
12.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.6 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1:
₡2 029,82
9 386 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
9 386 En existencias
1
₡2 029,82
10
₡1 332,39
100
₡931,63
500
₡765,08
1 000
₡650,58
2 000
Ver
2 000
₡645,38
5 000
₡640,17
10 000
₡619,35
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
180 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
135 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
1:
₡765,08
16 142 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
16 142 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡765,08
10
₡471,02
100
₡310,20
500
₡244,10
2 500
₡138,44
5 000
Ver
1 000
₡208,71
5 000
₡136,88
25 000
₡133,76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
50 A
7.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
22.4 nC
- 55 C
+ 175 C
46 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N04S403ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 014,91
17 999 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S403ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
17 999 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 014,91
10
₡650,58
100
₡435,11
500
₡344,03
2 500
₡261,79
5 000
Ver
1 000
₡314,88
5 000
₡251,91
10 000
₡248,26
25 000
₡240,98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
90 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD70N03S4L04ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡874,38
9 352 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N03S4L04ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
9 352 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡874,38
10
₡556,90
100
₡369,53
500
₡290,42
2 500
₡247,74
5 000
Ver
1 000
₡278,45
5 000
₡223,28
10 000
₡209,23
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
30 V
70 A
3.6 mOhms
- 16 V, 16 V
1 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD100N04S4-02
Infineon Technologies
1:
₡1 327,19
5 076 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD100N04S4-02
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
5 076 En existencias
1
₡1 327,19
10
₡801,52
100
₡572,51
500
₡481,95
2 500
₡386,19
10 000
Ver
1 000
₡461,65
10 000
₡362,24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
91 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
1:
₡608,94
8 046 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
8 046 En existencias
1
₡608,94
10
₡350,27
100
₡244,62
500
₡193,09
2 500
₡136,88
5 000
Ver
1 000
₡174,88
5 000
₡128,55
10 000
₡125,43
25 000
₡121,27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
30 V
30 A
13.6 mOhms
- 16 V, 16 V
1.5 V
14 nC
- 55 C
+ 175 C
31 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N04S4-04
Infineon Technologies
1:
₡858,77
3 483 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4-04
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
3 483 En existencias
1
₡858,77
10
₡511,10
100
₡355,48
500
₡284,69
1 000
₡259,71
2 500
₡221,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
90 A
4.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1:
₡2 310,87
976 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
976 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 310,87
10
₡1 514,55
100
₡1 129,41
500
₡947,25
1 000
₡744,27
2 000
Ver
2 000
₡733,86
5 000
₡728,65
10 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
180 A
900 uOhms
- 20 V, 20 V
2 V
225 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD30N06S2L13ATMA4
Infineon Technologies
1:
₡1 217,89
3 662 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S2L13AT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
3 662 En existencias
1
₡1 217,89
10
₡655,79
100
₡481,43
500
₡410,65
2 500
₡351,83
5 000
Ver
1 000
₡383,58
5 000
₡327,89
10 000
₡323,21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
30 A
13 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
54 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
1:
₡1 066,95
4 154 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
4 154 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 066,95
10
₡660,99
100
₡433,03
500
₡340,38
2 500
₡262,84
5 000
Ver
1 000
₡290,94
5 000
₡233,69
10 000
₡225,88
25 000
₡221,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
90 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB100N04S4H2ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 571,81
1 882 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4H2ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1 882 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 571,81
10
₡926,43
100
₡681,81
500
₡567,31
1 000
₡486,11
2 000
Ver
2 000
₡465,82
5 000
₡438,23
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
90 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N03S4L02ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 342,80
3 684 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N03S4L02ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
3 684 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 342,80
10
₡801,52
100
₡588,13
500
₡473,62
2 500
₡389,31
5 000
Ver
1 000
₡435,63
5 000
₡356,00
10 000
₡354,44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
30 V
90 A
1.8 mOhms
- 16 V, 16 V
1 V
140 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC100N04S6N015ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 056,54
14 566 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6N015
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
14 566 En existencias
1
₡1 056,54
10
₡619,35
100
₡440,31
500
₡359,12
5 000
₡282,61
10 000
Ver
1 000
₡310,72
10 000
₡271,68
25 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.42 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC80N04S6N036ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡765,08
6 892 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC80N04S6N036A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
6 892 En existencias
1
₡765,08
10
₡473,62
100
₡319,05
500
₡249,30
5 000
₡192,05
10 000
Ver
1 000
₡207,67
10 000
₡167,59
25 000
₡161,86
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
3.47 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
17 nC
- 55 C
+ 175 C
50 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC120N04S6N010ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 467,71
2 220 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6N010
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
2 220 En existencias
1
₡1 467,71
10
₡853,56
100
₡655,79
500
₡536,08
5 000
₡417,93
10 000
Ver
1 000
₡500,17
2 500
₡484,03
10 000
₡408,57
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.03 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD50N04S3-08
Infineon Technologies
1:
₡1 295,96
2 127 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-08
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
2 127 En existencias
1
₡1 295,96
10
₡822,34
100
₡556,90
500
₡448,64
2 500
₡375,78
5 000
Ver
1 000
₡402,32
5 000
₡363,81
10 000
₡361,72
25 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
50 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC100N04S6N028ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡827,54
6 643 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6N028
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
6 643 En existencias
1
₡827,54
10
₡480,91
100
₡338,82
500
₡273,24
5 000
₡206,10
10 000
Ver
1 000
₡228,48
10 000
₡185,81
25 000
₡181,64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
62 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC120N04S6L012ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 233,50
3 613 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L012
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
3 613 En existencias
1
₡1 233,50
10
₡765,08
100
₡541,28
500
₡428,34
5 000
₡331,54
10 000
Ver
1 000
₡385,14
2 500
₡378,90
10 000
₡313,84
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.29 mOhms
- 16 V, 16 V
1.6 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
1:
₡1 098,18
555 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
555 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 098,18
10
₡697,42
100
₡469,46
500
₡389,31
1 000
₡329,98
2 000
Ver
2 000
₡318,00
5 000
₡303,95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
70 A
5.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
58 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUA200N04S5N010AUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 785,20
2 464 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IAUA200N04S5N010
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
2 464 En existencias
1
₡1 785,20
10
₡1 040,93
100
₡780,70
500
₡655,79
2 000
₡562,10
4 000
Ver
1 000
₡640,17
4 000
₡520,47
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-5
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
900 uOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
99 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4-08
Infineon Technologies
1:
₡1 249,12
8 352 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-08
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
8 352 En existencias
1
₡1 249,12
10
₡801,52
100
₡546,49
500
₡433,55
5 000
₡336,22
10 000
Ver
1 000
₡390,87
2 500
₡384,62
10 000
₡319,05
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
20 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
36 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IPLU250N04S41R7XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 087,07
1 069 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPLU250N04S41R7X
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
1 069 En existencias
1
₡2 087,07
10
₡1 368,82
100
₡957,66
500
₡791,11
2 000
₡676,61
4 000
₡640,17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
40 V
250 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
100 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N04S4-02
Infineon Technologies
1:
₡1 332,39
1 032 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4-02
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1 032 En existencias
1
₡1 332,39
10
₡811,93
100
₡577,72
500
₡466,86
1 000
₡429,38
2 500
₡399,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
90 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
118 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1:
₡983,68
9 066 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-12
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
9 066 En existencias
1
₡983,68
10
₡536,08
100
₡391,39
500
₡328,41
5 000
₡251,38
10 000
Ver
1 000
₡282,09
2 500
₡276,89
10 000
₡224,32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
20 A
12.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
41 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel