Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Resultados: 271
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 41 701En existencias
Cinta cortada
₡1 176,25
₡619,35
₡491,84
Envase tipo carrete
₡491,84
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET Low Rdson 5 061En existencias
7 500Se espera el 30/10/2026
Cinta cortada
₡1 228,30
₡624,56
₡530,87
₡432,51
₡387,75
Envase tipo carrete
₡347,15
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 2 447En existencias
Cinta cortada
₡1 379,23
₡791,11
₡593,33
₡577,72
₡567,31
Envase tipo carrete
₡388,27
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 3 995En existencias
Cinta cortada
₡1 066,95
₡541,28
₡450,72
₡405,44
₡336,74
Envase tipo carrete
₡288,34
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K 9 046En existencias
Cinta cortada
₡562,10
₡257,11
₡226,92
Envase tipo carrete
₡226,92
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340
: 10 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 23 974En existencias
15 000Se espera el 26/2/2027
Cinta cortada
₡504,85
₡361,72
₡224,84
₡155,10
Envase tipo carrete
₡116,58
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 2 201En existencias
2 500Se espera el 27/11/2026
Cinta cortada
₡780,70
₡567,31
₡482,99
₡451,76
Envase tipo carrete
₡451,76
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 110
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 2 710En existencias
Cinta cortada
₡1 285,55
₡817,13
₡546,49
Envase tipo carrete
₡546,49
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 2 500

Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 23 072En existencias
Cinta cortada
₡588,13
₡417,93
₡376,30
₡331,02
Envase tipo carrete
₡331,02
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A 5 000En existencias
Cinta cortada
₡1 113,80
₡536,08
₡474,14
₡376,30
₡334,14
Envase tipo carrete
₡296,14
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 6 893En existencias
Cinta cortada
₡936,84
₡577,72
₡380,46
₡298,75
₡255,55
Envase tipo carrete
₡208,19
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 4 907En existencias
Cinta cortada
₡994,09
₡488,20
₡412,73
₡335,18
Envase tipo carrete
₡260,75
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 7 170En existencias
Cinta cortada
₡1 077,36
₡514,22
₡451,76
Envase tipo carrete
₡451,76
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A 6 967En existencias
Cinta cortada
₡1 103,39
₡619,35
₡432,51
Envase tipo carrete
₡432,51
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 350
: 2 500
Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 5V 50mA 100V 0.05A 5V 57dB 14 569En existencias
Cinta cortada
₡458,01
₡319,05
₡286,26
₡249,82
Ver
Envase tipo carrete
₡198,82
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 3 489En existencias
Cinta cortada
₡1 098,18
₡806,72
₡707,83
₡650,58
₡634,97
Envase tipo carrete
₡634,97
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V 10 488En existencias
Cinta cortada
₡962,86
₡465,82
₡397,64
Envase tipo carrete
₡397,64
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2 500
Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 60mA 3V 0.05A 45dB 0.24mA 12 898En existencias
Cinta cortada
₡265,44
₡184,77
₡164,47
₡142,09
₡131,16
Envase tipo carrete
₡131,16
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 4 119En existencias
Cinta cortada
₡973,27
₡485,07
₡405,44
Envase tipo carrete
₡405,44
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 5 009En existencias
Cinta cortada
₡843,15
₡397,64
₡353,40
₡300,31
₡256,59
Envase tipo carrete
₡209,23
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A 4 192En existencias
10 000Se espera el 6/8/2027
Cinta cortada
₡806,72
₡541,28
₡399,20
₡332,06
₡304,47
Envase tipo carrete
₡287,30
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 165En existencias
Cinta cortada
₡624,56
₡296,14
₡261,27
₡218,08
Envase tipo carrete
₡137,40
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A 1 182En existencias
Cinta cortada
₡1 113,80
₡707,83
₡474,66
₡385,14
₡345,07
Envase tipo carrete
₡306,03
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1 900En existencias
Cinta cortada
₡837,95
₡516,30
₡340,38
₡267,52
Envase tipo carrete
₡195,17
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 145En existencias
2 500Se espera el 30/7/2027
Cinta cortada
₡1 139,82
₡640,17
₡483,51
Envase tipo carrete
₡483,51
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 380
: 2 500