Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

Resultados: 448
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL 1 112En existencias
Cinta cortada
₡962,86
₡593,33
₡391,39
Envase tipo carrete
₡391,39
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL 832En existencias
1 500Se espera el 24/11/2026
Cinta cortada
₡1 389,64
₡890,00
₡603,74
Envase tipo carrete
₡603,74
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 3.1 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM 67 441En existencias
Cinta cortada
₡603,74
₡372,65
₡245,14
₡192,57
₡133,76
Envase tipo carrete
₡125,43
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 69 A 3.2 mOhms 20 V 2.2 V 26 nC - 55 C + 150 C 30.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 8 802En existencias
Cinta cortada
₡2 451,39
₡1 259,53
₡1 145,02
₡983,68
₡952,45
Envase tipo carrete
₡952,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 25 404En existencias
Cinta cortada
₡1 712,33
₡853,56
₡770,29
₡624,56
₡588,13
Envase tipo carrete
₡588,13
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 24 A 22.6 mOhms 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH 16 824En existencias
Cinta cortada
₡6 656,75
₡4 960,04
₡4 132,50
₡3 679,69
₡3 440,28
Envase tipo carrete
₡3 440,28
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 553.8 A 400 uOhms 20 V 2.5 V 341 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 27 863En existencias
Cinta cortada
₡1 660,28
₡1 072,16
₡733,86
₡598,54
Envase tipo carrete
₡536,08
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 6.2 mOhms, 6.2 mOhms 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET 2 783En existencias
Cinta cortada
₡1 186,66
₡754,67
₡506,41
₡410,65
Envase tipo carrete
₡343,51
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.1 mOhms 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel 2 721En existencias
Cinta cortada
₡1 103,39
₡702,63
₡471,02
₡382,02
Envase tipo carrete
₡320,09
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms 20 V 2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 7 916En existencias
Cinta cortada
₡582,92
₡357,56
₡235,25
₡184,77
Envase tipo carrete
₡123,87
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 4.8 mOhms 20 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 2 865En existencias
Cinta cortada
₡1 639,47
₡1 061,75
₡728,65
₡593,33
Envase tipo carrete
₡525,67
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 36 A 11.7 mOhms 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG 1 447En existencias
Cinta cortada
₡2 560,69
₡1 504,15
₡1 223,09
₡1 035,73
₡952,45
Envase tipo carrete
₡952,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING 3 000En existencias
Cinta cortada
₡1 243,91
₡791,11
₡530,87
₡429,90
Envase tipo carrete
₡360,16
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms 20 V 2.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL 2 792En existencias
Cinta cortada
₡4 127,29
₡2 763,67
₡2 222,39
₡1 972,56
₡1 764,38
Envase tipo carrete
₡1 764,38
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 313 A 870 uOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm 4 046En existencias
Cinta cortada
₡1 191,87
₡749,47
₡491,32
₡389,83
Envase tipo carrete
₡315,92
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 21 mOhms 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL IN DPAK 2 259En existencias
Cinta cortada
₡2 883,38
₡1 889,29
₡1 410,46
₡1 181,46
₡1 098,18
Envase tipo carrete
₡1 035,73
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 163 A 1.7 mOhms 20 V 2 V 80.6 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 10 686En existencias
Cinta cortada
₡1 514,55
₡973,27
₡660,99
₡562,10
₡551,69
Envase tipo carrete
₡468,94
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 13.7 mOhms 20 V 1.2 V 9.6 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO 2 631En existencias
Cinta cortada
₡2 035,02
₡1 332,39
₡968,07
₡811,93
₡754,67
Envase tipo carrete
₡707,83
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 241 A 1.15 mOhms 20 V 1.3 V 82 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG 749En existencias
Cinta cortada
₡2 581,51
₡1 332,39
₡1 212,68
₡1 056,54
₡1 025,32
Envase tipo carrete
₡1 025,32
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1 422En existencias
Cinta cortada
₡2 071,45
₡1 353,21
₡983,68
₡827,54
₡765,08
Envase tipo carrete
₡723,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.2 mOhms 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 9 888En existencias
Cinta cortada
₡1 389,64
₡890,00
₡608,94
₡513,70
Envase tipo carrete
₡430,42
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 22.8 mOhms 16 V 1.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL 1 055En existencias
Cinta cortada
₡2 659,58
₡1 743,56
₡1 301,16
₡1 087,77
₡1 009,70
Envase tipo carrete
₡952,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 68 A 6.5 mOhms 20 V 2 V 21.3 nC - 55 C + 175 C 57.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 5 020En existencias
Cinta cortada
₡1 046,14
₡501,21
₡448,12
₡391,91
Envase tipo carrete
₡318,00
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 3 000En existencias
Cinta cortada
₡1 150,23
₡723,45
₡475,18
₡376,82
Envase tipo carrete
₡306,03
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 27 A 17.3 mOhms 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL SO8FL DUAL 11 107En existencias
Cinta cortada
₡754,67
₡463,21
₡304,99
₡239,93
Envase tipo carrete
₡185,29
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 28 mOhms 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel