Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

Resultados: 448
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL 832En existencias
1 500Se espera el 24/11/2026
Cinta cortada
₡1 389,64
₡890,00
₡603,74
Envase tipo carrete
₡603,74
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Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 3.1 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL 1 112En existencias
Cinta cortada
₡962,86
₡593,33
₡391,39
Envase tipo carrete
₡391,39
Min.: 1
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Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 25 404En existencias
Cinta cortada
₡1 712,33
₡853,56
₡770,29
₡624,56
₡588,13
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₡588,13
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 24 A 22.6 mOhms 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH 16 824En existencias
Cinta cortada
₡6 656,75
₡4 960,04
₡4 132,50
₡3 679,69
₡3 440,28
Envase tipo carrete
₡3 440,28
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: 3 000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 553.8 A 400 uOhms 20 V 2.5 V 341 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM 67 441En existencias
Cinta cortada
₡603,74
₡372,65
₡245,14
₡192,57
₡133,76
Envase tipo carrete
₡125,43
Min.: 1
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Máx.: 1 500
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 69 A 3.2 mOhms 20 V 2.2 V 26 nC - 55 C + 150 C 30.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 8 802En existencias
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₡2 451,39
₡1 259,53
₡1 145,02
₡983,68
₡952,45
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₡952,45
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 27 863En existencias
Cinta cortada
₡1 660,28
₡1 072,16
₡733,86
₡598,54
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₡536,08
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 6.2 mOhms, 6.2 mOhms 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 2 619En existencias
15 000En pedido
Cinta cortada
₡1 316,78
₡832,74
₡562,10
₡456,97
₡409,61
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₡409,61
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Máx.: 2 230
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 37 A 8.6 mOhms 20 V 1.2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL SO8FL DUAL 11 107En existencias
Cinta cortada
₡754,67
₡463,21
₡304,99
₡239,93
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₡185,29
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 28 mOhms 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 1 451En existencias
Cinta cortada
₡5 381,61
₡3 804,60
₡3 169,63
₡2 826,13
₡2 669,99
Envase tipo carrete
₡2 669,99
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: 1 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 520 uOhms 20 V 1.2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL 1 559En existencias
Cinta cortada
₡1 842,45
₡1 197,07
₡827,54
₡687,01
₡640,17
Envase tipo carrete
₡598,54
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 3.8 mOhms 20 V 2 V 33.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG 1 945En existencias
Cinta cortada
₡1 452,10
₡718,24
₡645,38
₡516,82
₡470,50
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₡470,50
Min.: 1
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 5.1 mOhms 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION 3 401En existencias
Cinta cortada
₡5 584,59
₡3 945,13
₡3 289,34
₡2 930,22
₡2 774,08
Envase tipo carrete
₡2 774,08
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: 3 000
Si SMD/SMT Power88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 533 A 480 uOhms 20 V 2 V 187 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH 14 857En existencias
Cinta cortada
₡603,74
₡430,95
₡268,04
₡184,77
Envase tipo carrete
₡138,96
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 21.7 A 2.7 mOhms 20 V 2.2 V 14 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK 1 523En existencias
Cinta cortada
₡1 910,11
₡1 243,91
₡874,38
₡733,86
₡681,81
Envase tipo carrete
₡640,17
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 262 A 1.3 mOhms 20 V 2 V 103 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK 2 964En existencias
Cinta cortada
₡1 540,58
₡994,09
₡681,81
₡556,90
Envase tipo carrete
₡496,52
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: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 4.8 mOhms 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 1 458En existencias
Cinta cortada
₡1 660,28
₡1 077,36
₡744,27
₡619,35
₡577,72
Envase tipo carrete
₡541,28
Min.: 1
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN 1 400En existencias
Cinta cortada
₡2 430,57
₡1 592,62
₡1 191,87
₡999,29
₡926,43
Envase tipo carrete
₡869,18
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms 20 V 1.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH 2 183En existencias
Cinta cortada
₡1 535,37
₡988,88
₡681,81
₡551,69
Envase tipo carrete
₡493,40
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 102 A 3.6 mOhms 20 V 1.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 312A 900MO 1 882En existencias
Cinta cortada
₡2 040,22
₡1 332,39
₡968,07
₡811,93
₡754,67
Envase tipo carrete
₡707,83
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK 2 774En existencias
Cinta cortada
₡1 623,85
₡1 056,54
₡728,65
₡619,35
Envase tipo carrete
₡530,87
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 258 A 1.2 mOhms 20 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 1 888En existencias
Cinta cortada
₡1 707,13
₡1 108,59
₡765,08
₡650,58
Envase tipo carrete
₡556,90
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 4.2 mOhms 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 5 000En existencias
Cinta cortada
₡1 295,96
₡832,74
₡567,31
₡479,87
Envase tipo carrete
₡401,80
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 24 A 16 mOhms 20 V 1.2 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 2 176En existencias
Cinta cortada
₡3 778,58
₡2 477,42
₡1 821,63
₡1 623,85
₡1 452,10
Envase tipo carrete
₡1 452,10
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.2 mOhms, 2.2 mOhms 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING 3 189En existencias
Cinta cortada
₡1 129,41
₡718,24
₡482,47
₡390,87
Envase tipo carrete
₡327,37
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms 20 V 2.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel