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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
816En existencias
Cinta cortada
₡3 867,06
₡2 071,45
₡1 899,70
₡1 811,22
Envase tipo carrete
₡1 712,33
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3 336En existencias
Cinta cortada
₡1 863,27
₡1 009,70
₡837,95
₡728,65
₡702,63
Envase tipo carrete
₡702,63
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
695En existencias
₡5 485,71
₡2 977,06
₡2 722,03
₡2 685,60
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3.5 V 109 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3 440En existencias
Cinta cortada
₡4 184,54
₡2 258,82
₡2 076,66
₡2 014,20
₡1 899,70
Envase tipo carrete
₡1 899,70
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 60 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 40 C + 150 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 321En existencias
Cinta cortada
₡2 701,22
₡1 400,05
₡1 275,14
₡1 165,84
₡1 124,21
Envase tipo carrete
₡1 056,54
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 105 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 980En existencias
Cinta cortada
₡3 809,81
₡2 040,22
₡1 868,47
₡1 774,79
₡1 675,90
Envase tipo carrete
₡1 675,90
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 75 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 492En existencias
Cinta cortada
₡4 028,40
₡2 165,14
₡1 988,18
₡1 910,11
₡1 806,01
Envase tipo carrete
₡1 806,01
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 55 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 595En existencias
Cinta cortada
₡2 211,98
₡1 306,37
₡1 066,95
₡890,00
₡858,77
Envase tipo carrete
₡806,72
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
678En existencias
₡2 675,19
₡1 384,44
₡1 259,53
₡1 103,39
₡1 035,73
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
268En existencias
₡4 777,87
₡2 815,72
₡2 373,32
₡2 300,46
₡2 165,14
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
712En existencias
₡1 759,17
₡879,59
₡796,31
₡640,17
₡608,94
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
577En existencias
Cinta cortada
₡5 350,38
₡2 961,45
₡2 784,49
₡2 779,29
₡2 633,55
Envase tipo carrete
₡2 633,55
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms 20 V 4 V 79 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 895En existencias
Cinta cortada
₡2 440,98
₡1 608,24
₡1 467,71
₡1 254,32
Envase tipo carrete
₡1 254,32
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
420En existencias
Cinta cortada
₡2 722,03
₡1 410,46
₡1 285,55
₡1 134,61
Envase tipo carrete
₡1 066,95
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
250En existencias
₡5 194,24
₡3 549,57
₡2 930,22
₡2 623,15
₡2 467,01
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
4 368En existencias
3 000Se espera el 30/11/2026
Cinta cortada
₡5 027,70
₡2 815,72
₡2 617,94
₡2 576,30
Envase tipo carrete
₡2 440,98
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3 632En existencias
Cinta cortada
₡1 993,38
₡1 066,95
₡968,07
₡796,31
Envase tipo carrete
₡749,47
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
974En existencias
₡2 654,37
₡1 374,03
₡1 176,25
₡1 035,73
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 341En existencias
Cinta cortada
₡2 940,63
₡1 535,37
₡1 400,05
₡1 259,53
Envase tipo carrete
₡1 186,66
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms 20 V 4.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 404En existencias
Cinta cortada
₡1 811,22
₡916,02
₡843,15
₡681,81
Envase tipo carrete
₡588,13
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
518En existencias
Cinta cortada
₡3 934,72
₡2 113,09
₡1 936,13
₡1 858,06
₡1 800,81
Envase tipo carrete
₡1 733,15
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 66 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 40 C + 150 C 189 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
614En existencias
₡3 851,44
₡2 066,25
₡1 889,29
₡1 701,92
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
622En existencias
₡3 690,10
₡2 290,05
₡2 076,66
₡1 764,38
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
180En existencias
₡10 133,46
₡6 037,40
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 101 A 18 mOhms 20 V 3.5 V 251 nC - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
480En existencias
₡8 275,40
₡4 689,39
₡4 652,96
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube