4th Gen E Series MOSFETs

Vishay Semiconductors 4th Gen E Series MOSFETs are low Figure-Of-Merit (FOM) MOSFETs with E series technology. The 4th Gen E series MOSFETs feature low effective capacitance and reduced switching and conduction losses. These MOSFETs are avalanche energy rated (UIS). Vishay Semiconductors 4th Gen E MOSFETs are available in TO-220AB, PowerPAK® SO-8L, PowerPAK® 8 x 8, DPAK (TO-252), and Thin-Lead TO-220 FULLPAK packages. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and Power Factor Correction (PFC) power supplies.

Resultados: 29
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
1 536En existencias
Cinta cortada
₡3 726,53
₡2 446,19
₡1 800,81
₡1 597,83
Envase tipo carrete
₡1 556,19
₡1 431,28
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
4 218En existencias
₡3 445,48
₡1 826,83
₡1 670,69
₡1 452,10
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 80 mOhms 30 V 5 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2 476En existencias
Cinta cortada
₡2 113,09
₡1 072,16
₡973,27
₡806,72
Envase tipo carrete
₡749,47
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 - 8 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 208 mOhms 30 V 5 V 23 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 40A N-CH MOSFET
Hoja de datos
904En existencias
₡4 652,96
₡2 539,87
₡2 336,89
₡2 159,93
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 57 mOhms 30 V 3 V 74 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK
Hoja de datos
1 102En existencias
₡2 113,09
₡1 348,01
₡978,47
₡843,15
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET
Hoja de datos
3 679En existencias
Cinta cortada
₡4 819,51
₡2 638,76
₡2 472,21
Envase tipo carrete
₡2 295,25
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerPAK-10 1 Channel 600 V 34 A 59 mOhms 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
838En existencias
₡2 690,81
₡1 675,90
₡1 249,12
₡1 108,59
₡973,27
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
3 952En existencias
₡1 821,63
₡910,81
₡822,34
₡671,40
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Hoja de datos
1 323En existencias
₡4 267,82
₡2 513,85
₡2 102,68
₡1 753,97
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 57 mOhms 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Hoja de datos
856En existencias
₡2 373,32
₡1 217,89
₡1 103,39
₡905,61
₡879,59
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Hoja de datos
1 629En existencias
Cinta cortada
₡2 940,63
₡2 050,63
₡1 524,96
₡1 420,87
₡1 327,19
Envase tipo carrete
₡900,41
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220
Hoja de datos
356En existencias
₡3 034,31
₡1 655,08
₡1 509,35
₡1 254,32
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 100 mOhms 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL
Hoja de datos
2 091En existencias
₡1 426,08
₡962,86
₡645,38
₡593,33
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 700 mOhms 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 539En existencias
₡1 441,69
₡713,04
₡640,17
₡513,18
₡512,66
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4.3 A 600 mOhms 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V
Hoja de datos
2 884En existencias
Cinta cortada
₡962,86
₡458,53
₡409,09
₡322,69
Envase tipo carrete
₡283,13
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET
Hoja de datos
3 650En existencias
Cinta cortada
₡4 361,50
₡2 368,12
₡2 248,41
₡2 170,34
Envase tipo carrete
₡2 014,20
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerPAK-10 1 Channel 600 V 29 A 70 mOhms 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
Hoja de datos
1 888En existencias
Cinta cortada
₡3 690,10
₡2 586,71
₡2 087,07
₡1 998,59
₡1 811,22
Envase tipo carrete
₡1 191,87
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 120 mOhms 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
929En existencias
₡3 357,00
₡1 774,79
₡1 623,85
₡1 420,87
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms 30 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Hoja de datos
872En existencias
₡2 456,60
₡1 608,24
₡1 202,28
₡1 004,50
₡931,63
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
2 156En existencias
₡4 944,42
₡2 716,83
₡2 524,26
₡2 519,05
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 70 mOhms 30 V 5 V 53 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
424En existencias
₡9 930,48
₡5 844,83
₡5 813,60
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 000
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 99 A 23 mOhms 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 524 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Hoja de datos
2 837En existencias
Cinta cortada
₡3 518,35
₡1 868,47
₡1 712,33
₡1 597,83
₡1 509,35
Envase tipo carrete
₡1 509,35
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 68 mOhms 30 V 3 V 80 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
Hoja de datos
1 720En existencias
9 000Se espera el 19/11/2026
Cinta cortada
₡2 045,43
₡1 061,75
₡957,66
₡785,90
₡759,88
Envase tipo carrete
₡692,22
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
415En existencias
₡2 722,03
₡1 410,46
₡1 285,55
₡1 072,16
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 100 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
1 810En existencias
₡1 014,91
₡634,97
₡417,41
₡331,54
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.2 A 1.45 Ohms 30 V 3 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement