Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V_(ds) and are 100% tested gate resistance(R_g). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

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Resultados: 47

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2307CDS-T1-E3 Vishay Semiconductors 1: ₡504,85 399 441En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2307CDS-T1-E3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2307CDS-E3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	399 441En existencias	Cinta cortada ₡504,85 ₡231,61 ₡204,54 ₡157,18 Envase tipo carrete ₡115,02 Ver ₡150,41 ₡108,26 ₡107,22 ₡97,85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	30 V	3.5 A	88 mOhms	20 V	1 V	4.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.8 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2347DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡322,69 153 520En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2347DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2347DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishaypchannelmosfet	Hoja de datos	153 520En existencias	Cinta cortada ₡322,69 ₡145,21 ₡127,51 ₡96,29 Envase tipo carrete ₡72,87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	30 V	5 A	33 mOhms	20 V	2.5 V	6.9 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡343,51 191 269En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2302DDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2302DDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	191 269En existencias	Cinta cortada ₡343,51 ₡153,54 ₡135,32 ₡102,01 Envase tipo carrete ₡77,55 Ver ₡67,14 ₡62,46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	20 V	2.9 A	57 mOhms	8 V	850 mV	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	860 mW	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W SI2306BDS-T1-E3 Vishay Semiconductors 1: ₡494,44 43 852En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2306BDS-T1-E3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2306BDS-E3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W	Hoja de datos	43 852En existencias	Cinta cortada ₡494,44 ₡225,36 ₡198,82 ₡152,50 Envase tipo carrete ₡118,15 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	3.16 A	47 mOhms	20 V	1 V	3 nC	- 55 C	+ 150 C	750 mW	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡530,87 213 986En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2369DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2369DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	213 986En existencias	Cinta cortada ₡530,87 ₡376,82 ₡234,21 ₡161,86 Envase tipo carrete ₡121,79 Ver ₡135,84 ₡105,65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	30 V	7.6 A	29 mOhms	20 V	2.5 V	11.4 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23 SI2371EDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡260,23 450 350En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2371EDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2371EDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23 Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishaypchannelmosfet	Hoja de datos	450 350En existencias	Cinta cortada ₡260,23 ₡116,58 ₡102,01 ₡76,51 Envase tipo carrete ₡57,25 Ver ₡49,44 ₡42,16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	30 V	4.8 A	45 mOhms	12 V	1.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 SI2302CDS-T1-E3 Vishay Semiconductors 1: ₡369,53 177 134En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2302CDS-T1-E3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2302CDS-E3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	177 134En existencias	Cinta cortada ₡369,53 ₡166,03 ₡146,25 ₡110,86 Envase tipo carrete ₡84,32 ₡73,91 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	20 V	2.6 A	57 mOhms	8 V	850 mV	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	710 mW	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23 SI2329DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡530,87 26 828En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2329DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2329DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23	Hoja de datos	26 828En existencias	Cinta cortada ₡530,87 ₡243,58 ₡215,47 ₡166,03 ₡158,74 Envase tipo carrete ₡119,19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	8 V	6 A	30 mOhms	5 V	350 mV	19.3 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2318CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡322,69 53 975En existencias 63 000Se espera el 2/11/2026	N.º de artículo del Fabricante SI2318CDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2318CDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23 Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay siliconix p channel mosfets	Hoja de datos	53 975En existencias 63 000Se espera el 2/11/2026	Cinta cortada ₡322,69 ₡145,21 ₡127,51 ₡96,29 Envase tipo carrete ₡72,87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	40 V	5.6 A	42 mOhms	20 V	2.5 V	2.9 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23 SI2342DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: ₡426,78 64 664En existencias 24 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SI2342DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2342DS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23	Hoja de datos	64 664En existencias 24 000En pedido	Cinta cortada ₡426,78 ₡193,09 ₡170,19 ₡129,60 Envase tipo carrete ₡99,93 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	8 V	6 A	17 mOhms	5 V	800 mV	6 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡473,62 58 878En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2392ADS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2392ADS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23 Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishayThunderFET	Hoja de datos	58 878En existencias	Cinta cortada ₡473,62 ₡214,95 ₡189,45 ₡144,69 Envase tipo carrete ₡105,13 Ver ₡140,01 ₡102,01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	100 V	3.1 A	102 mOhms	20 V	3 V	2.9 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SOT-23 SI2300DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡369,53 24 258En existencias 24 000Se espera el 9/3/2028	N.º de artículo del Fabricante SI2300DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2300DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SOT-23	Hoja de datos	24 258En existencias 24 000Se espera el 9/3/2028	Cinta cortada ₡369,53 ₡166,03 ₡146,25 ₡110,86 Envase tipo carrete ₡84,32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	3.6 A	68 mOhms	12 V	1.5 V	3 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡426,78 66 338En existencias 114 000Se espera el 9/3/2028	N.º de artículo del Fabricante SI2302CDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2302CDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	66 338En existencias 114 000Se espera el 9/3/2028	Cinta cortada ₡426,78 ₡193,09 ₡170,19 ₡129,60 Envase tipo carrete ₡99,93 Ver ₡98,89 ₡86,92 ₡83,27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	20 V	2.9 A	57 mOhms	8 V	850 mV	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	860 mW	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23 SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡322,69 22 821En existencias 27 000Se espera el 11/3/2027	N.º de artículo del Fabricante SI2305CDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2305CDS-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	22 821En existencias 27 000Se espera el 11/3/2027	Cinta cortada ₡322,69 ₡145,21 ₡127,51 ₡96,29 Envase tipo carrete ₡77,03 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	8 V	5.8 A	35 mOhms	8 V	1 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V SI2306BDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: ₡478,83 26 440En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2306BDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2306BDS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V	Hoja de datos	26 440En existencias	Cinta cortada ₡478,83 ₡219,12 ₡193,09 ₡148,33 Envase tipo carrete ₡115,02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	3.16 A	47 mOhms	20 V	3 V	3 nC	- 55 C	+ 150 C	750 mW	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡452,80 65 629En existencias 18 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SI2309CDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2309CDS-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	65 629En existencias 18 000En pedido	Cinta cortada ₡452,80 ₡206,10 ₡181,64 ₡138,96 Envase tipo carrete ₡107,22 ₡93,68 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	60 V	1.6 A	345 mOhms	20 V	3 V	2.7 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡650,58 61 693En existencias 98 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SI2312CDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2312CDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	61 693En existencias 98 000En pedido	Cinta cortada ₡650,58 ₡449,68 ₡284,69 ₡175,92 ₡130,12 Envase tipo carrete ₡128,03 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	20 V	6 A	31.8 mOhms	8 V	1 V	8.8 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2325DS-T1-E3 Vishay Semiconductors 1: ₡1 051,34 17 572En existencias 12 000Se espera el 17/3/2028	N.º de artículo del Fabricante SI2325DS-T1-E3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2325DS-E3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	17 572En existencias 12 000Se espera el 17/3/2028	Cinta cortada ₡1 051,34 ₡402,84 ₡359,12 ₡335,70 ₡296,67 Envase tipo carrete ₡234,21 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	150 V	690 mA	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	1.25 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23 SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡385,14 24 692En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2377EDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2377EDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	24 692En existencias	Cinta cortada ₡385,14 ₡173,31 ₡152,50 ₡115,54 Envase tipo carrete ₡88,48 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	20 V	4.4 A	61 mOhms	8 V	1 V	7.6 nC	- 55 C	+ 150 C	1.8 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2338DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡478,83 124En existencias 42 000Se espera el 9/9/2027	N.º de artículo del Fabricante SI2338DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2338DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	124En existencias 42 000Se espera el 9/9/2027	Cinta cortada ₡478,83 ₡239,41 ₡211,31 ₡156,14 ₡134,28 Envase tipo carrete ₡104,09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	6 A	28 mOhms	20 V	2.5 V	4.2 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23 SI2356DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡364,33 1 511En existencias 339 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SI2356DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2356DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23	Hoja de datos	1 511En existencias 339 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SI2356DS-T1-GE3 Existencias: 1 511 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 144 000 Se espera el 5/7/2027 195 000 Se espera el 9/3/2028 Plazo de entrega de fábrica: 38 Semanas	Cinta cortada ₡364,33 ₡223,80 ₡150,41 ₡106,17 ₡88,48 Envase tipo carrete ₡70,26 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	40 V	4.3 A	51 mOhms	12 V	1.5 V	3.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2366DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: ₡395,55 5 716En existencias 6 000Se espera el 21/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SI2366DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2366DS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	5 716En existencias 6 000Se espera el 21/10/2026	Cinta cortada ₡395,55 ₡180,08 ₡158,22 ₡120,23 ₡118,15 Envase tipo carrete ₡92,12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	5.8 A	36 mOhms	20 V	2.5 V	3.2 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SOT-23 SI2399DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: ₡452,80 51 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SI2399DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2399DS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SOT-23	Hoja de datos	51 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SI2399DS-T1-GE3 Existencias: 0 En pedido: 18 000 Se espera el 21/6/2027 6 000 Se espera el 12/7/2027 27 000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 38 Semanas	Cinta cortada ₡452,80 ₡246,70 ₡192,05 ₡147,29 ₡137,40 Envase tipo carrete ₡100,45 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	34 mOhms	12 V	1.5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23 SI2301CDS-T1-E3 Vishay Semiconductors 1: ₡489,24 1 113En existencias 258 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SI2301CDS-T1-E3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2301CDS-E3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	1 113En existencias 258 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SI2301CDS-T1-E3 Existencias: 1 113 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 87 000 Se espera el 18/2/2027 171 000 Se espera el 9/3/2028 Plazo de entrega de fábrica: 38 Semanas	Cinta cortada ₡489,24 ₡297,71 ₡200,90 ₡136,88 ₡120,23 Envase tipo carrete ₡92,64 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	20 V	3.1 A	112 mOhms	8 V	400 mV	10 nC	- 55 C	+ 150 C	1.6 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ₡385,14 3 934En existencias 90 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SI2301CDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2301CDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	3 934En existencias 90 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SI2301CDS-T1-GE3 Existencias: 3 934 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 54 000 Se espera el 15/6/2027 36 000 Se espera el 9/3/2028 Plazo de entrega de fábrica: 38 Semanas	Cinta cortada ₡385,14 ₡173,31 ₡152,50 ₡115,54 Envase tipo carrete ₡115,54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	20 V	3.1 A	112 mOhms	8 V	1 V	3.3 nC	- 55 C	+ 150 C	1.6 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel