CoolMOS™ C7 Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The C7 is optimized for hard switching topologies such as Power Factor Correction (CCM PFC), Two Transistor Forward (TTF) and Solar Boost in applications such as Solar, Server, Telecom and UPS. The 650V breakdown voltage makes it suitable for Solar and Switched Mode Power Supplies (SMPS) PFC stages where extra safety margin are required. They offer the world's lowest RDS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D2PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.

Resultados: 73
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 296En existencias
₡6 760,85
₡3 747,35
₡3 575,60
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 34 mOhms 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1 245En existencias
Cinta cortada
₡4 850,74
₡2 669,99
₡2 461,80
₡2 409,75
Envase tipo carrete
₡2 326,48
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms 20 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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6 555En existencias
Cinta cortada
₡1 733,15
₡916,02
₡739,06
₡634,97
₡624,56
Envase tipo carrete
₡624,56
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: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2 138En existencias
Cinta cortada
₡1 930,93
₡983,68
₡890,00
₡681,81
Envase tipo carrete
₡681,81
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 168 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1 029En existencias
Cinta cortada
₡4 694,60
₡2 565,89
₡2 357,71
₡2 342,09
Envase tipo carrete
₡2 211,98
MouseReel Disponible
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: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 60 mOhms 20 V 1.7 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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998En existencias
₡6 360,09
₡4 585,30
₡3 835,83
₡3 299,75
₡3 232,09
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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293En existencias
₡5 397,23
₡3 606,83
₡3 330,98
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
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6 299En existencias
Cinta cortada
₡1 852,86
₡931,63
₡817,13
₡681,81
₡666,20
Envase tipo carrete
₡634,97
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 230 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 40 C + 150 C 67 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
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165En existencias
₡12 496,37
₡7 754,93
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 17 mOhms 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2 280En existencias
Cinta cortada
₡2 107,88
₡1 238,71
₡957,66
₡832,74
₡785,90
Envase tipo carrete
₡739,06
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Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 185 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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365En existencias
₡4 725,83
₡3 325,77
₡2 690,81
₡2 388,94
₡2 118,29
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Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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808En existencias
₡2 961,45
₡1 832,04
₡1 670,69
₡1 514,55
₡1 467,71
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A VSON-4
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2 981En existencias
Cinta cortada
₡2 649,17
₡1 582,21
₡1 379,23
₡1 275,14
₡1 228,30
Envase tipo carrete
₡1 228,30
MouseReel Disponible
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: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
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713En existencias
₡6 344,47
₡4 590,50
₡3 825,42
₡3 403,84
₡3 221,68
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Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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850En existencias
₡2 029,82
₡1 030,52
₡931,63
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 155 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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168En existencias
₡6 360,09
₡4 600,91
₡3 835,83
₡3 414,25
₡3 232,09
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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2 661En existencias
Cinta cortada
₡2 165,14
₡1 103,39
₡999,29
₡832,74
Envase tipo carrete
₡785,90
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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365En existencias
₡3 429,87
₡1 816,42
₡1 665,49
₡1 457,30
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 190 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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573En existencias
₡2 857,36
₡1 488,53
₡1 358,41
₡1 139,82
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 120 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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243En existencias
₡4 746,64
₡3 341,39
₡2 706,42
₡2 399,35
₡2 149,52
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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6 984En existencias
Cinta cortada
₡6 563,07
₡3 773,37
₡3 679,69
₡3 559,98
Envase tipo carrete
₡3 273,73
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 984En existencias
₡2 841,74
₡1 483,33
₡1 353,21
₡1 134,61
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 120 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 246En existencias
Cinta cortada
₡3 440,28
₡1 826,83
₡1 670,69
₡1 550,99
Envase tipo carrete
₡1 462,51
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 593En existencias
Cinta cortada
₡2 076,66
₡1 358,41
₡988,88
₡848,36
Envase tipo carrete
₡723,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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891En existencias
Cinta cortada
₡3 695,30
₡1 972,56
₡1 806,01
₡1 707,13
Envase tipo carrete
₡1 592,62
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel