Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 47

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET DMN1019UVT-7 Diodes Incorporated 1: ₡400,76 31 924En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMN1019UVT-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN1019UVT-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET	Hoja de datos	31 924En existencias	Cinta cortada ₡400,76 ₡217,03 ₡191,01 ₡164,47 Envase tipo carrete ₡164,47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 550 : 3 000	Si	SMD/SMT	TSOT-26-6	N-Channel	1 Channel	12 V	10.7 A	10 mOhms	8 V	350 mV	50.4 nC	- 55 C	+ 150 C	1.73 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF DMN6075S-7 Diodes Incorporated 1: ₡291,46 301 837En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMN6075S-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN6075S-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	301 837En existencias	Cinta cortada ₡291,46 ₡127,51 ₡111,38 ₡90,56 Envase tipo carrete ₡58,29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	60 V	2.5 A	85 mOhms	20 V	1 V	12.3 nC	- 55 C	+ 150 C	1.15 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated 1: ₡218,60 47 493En existencias 40 000Se espera el 21/10/2026	N.º de artículo del Fabricante DMN2300UFB4-7B N.º de artículo de Mouser 522-DMN2300UFB4-7B	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	47 493En existencias 40 000Se espera el 21/10/2026	Cinta cortada ₡218,60 ₡97,33 ₡84,84 ₡79,11 ₡73,91 Envase tipo carrete ₡73,91 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 570 : 10 000	Si	SMD/SMT	X2-DFN1006-3	N-Channel	1 Channel	20 V	1.3 A	175 mOhms	8 V	450 mV	1.6 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A DMN4034SSD-13 Diodes Incorporated 1: ₡978,47 4 707En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMN4034SSD-13 N.º de artículo de Mouser 522-DMN4034SSD-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	4 707En existencias	Cinta cortada ₡978,47 ₡467,38 ₡407,00 ₡361,20 ₡323,73 Envase tipo carrete ₡261,79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	2 Channel	40 V	4.8 A	34 mOhms	20 V	1 V	4.9 nC	- 55 C	+ 150 C	1.25 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 4K DMN6068SE-13 Diodes Incorporated 1: ₡416,37 27 356En existencias 32 000Se espera el 5/3/2027	N.º de artículo del Fabricante DMN6068SE-13 N.º de artículo de Mouser 522-DMN6068SE-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 4K Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	27 356En existencias 32 000Se espera el 5/3/2027	Cinta cortada ₡416,37 ₡188,41 ₡166,03 ₡147,29 ₡135,32 Envase tipo carrete ₡92,64 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4 000 : 4 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	60 V	5.6 A	68 mOhms	20 V	1 V	10.3 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated 1: ₡364,33 12 777En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMN2230UQ-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN2230UQ-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	12 777En existencias	Cinta cortada ₡364,33 ₡163,95 ₡143,65 Envase tipo carrete ₡143,65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 630 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	20 V	2 A	110 mOhms	12 V	500 mV	2.3 nC	- 55 C	+ 150 C	600 mW	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss DMN24H3D5L-7 Diodes Incorporated 1: ₡536,08 29 275En existencias 147 000Se espera el 18/11/2026	N.º de artículo del Fabricante DMN24H3D5L-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN24H3D5L-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss	Hoja de datos	29 275En existencias 147 000Se espera el 18/11/2026	Cinta cortada ₡536,08 ₡243,58 ₡214,95 ₡179,04 ₡150,41 Envase tipo carrete ₡93,68 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	240 V	480 mA	3.5 Ohms	20 V	1 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	1.26 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs DMN53D0L-7 Diodes Incorporated 1: ₡182,16 296 285En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMN53D0L-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN53D0L-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn53xx mosfet	Hoja de datos	296 285En existencias	Cinta cortada ₡182,16 ₡87,44 ₡76,51 ₡50,49 ₡44,24 Envase tipo carrete ₡38,51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	50 V	500 mA	1.6 Ohms	20 V	800 mV	1.2 nC	- 55 C	+ 150 C	360 mW	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW DMN61D8LQ-7 Diodes Incorporated 1: ₡484,03 15 335En existencias 15 000Se espera el 5/2/2027	N.º de artículo del Fabricante DMN61D8LQ-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN61D8LQ-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	15 335En existencias 15 000Se espera el 5/2/2027	Cinta cortada ₡484,03 ₡220,68 ₡194,65 ₡178,00 Envase tipo carrete ₡178,00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 690 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	60 V	470 mA	1.8 Ohms	5 V	1.3 V	740 pC	- 55 C	+ 150 C	610 mW	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K DMN2028USS-13 Diodes Incorporated 1: ₡567,31 644En existencias 2 500Se espera el 26/2/2027	N.º de artículo del Fabricante DMN2028USS-13 N.º de artículo de Mouser 522-DMN2028USS-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	644En existencias 2 500Se espera el 26/2/2027	Cinta cortada ₡567,31 ₡264,92 ₡228,48 Envase tipo carrete ₡228,48 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 330 : 2 500	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	20 V	9.8 A	20 mOhms	12 V	600 mV	11.6 nC	- 55 C	+ 150 C	1.56 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated 1: ₡379,94 3 592En existencias 6 000Se espera el 28/10/2026	N.º de artículo del Fabricante DMN2300UFL4-7 N.º de artículo de Mouser 522-DMN2300UFL4-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	3 592En existencias 6 000Se espera el 28/10/2026	Cinta cortada ₡379,94 ₡171,75 ₡150,93 ₡132,20 Envase tipo carrete ₡86,92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	X2-DFN1310-6	N-Channel	2 Channel	20 V	2.11 A	195 mOhms	8 V	450 mV	1.6 nC	- 55 C	+ 150 C	530 mW	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated 1: ₡473,62 53En existencias 33 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante DMN3730UFB-7 N.º de artículo de Mouser 522-DMN3730UFB-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	53En existencias 33 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: DMN3730UFB-7 Existencias: 53 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 9 000 Se espera el 25/6/2027 9 000 Se espera el 28/7/2027 15 000 Se espera el 11/8/2027 Plazo de entrega de fábrica: 44 Semanas	Cinta cortada ₡473,62 ₡240,46 ₡209,75 ₡180,08 ₡176,44 Envase tipo carrete ₡103,57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	X1-DFN1006-3	N-Channel	1 Channel	30 V	730 mA	460 mOhms	8 V	450 mV	1.6 nC	- 55 C	+ 150 C	690 mW	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A DMN4027SSD-13 Diodes Incorporated 1: ₡962,86 133En existencias 7 500En pedido	N.º de artículo del Fabricante DMN4027SSD-13 N.º de artículo de Mouser 522-DMN4027SSD-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	133En existencias 7 500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: DMN4027SSD-13 Existencias: 133 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2 500 Se espera el 6/8/2027 5 000 Se espera el 18/8/2027 Plazo de entrega de fábrica: 36 Semanas	Cinta cortada ₡962,86 ₡485,59 ₡391,39 ₡360,16 Envase tipo carrete ₡230,05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	2 Channel	40 V	5.4 A	27 mOhms	20 V	1 V	6.3 nC	- 55 C	+ 150 C	1.25 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A DMN4034SSS-13 Diodes Incorporated 1: ₡744,27 4 259En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMN4034SSS-13 N.º de artículo de Mouser 522-DMN4034SSS-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	4 259En existencias	Cinta cortada ₡744,27 ₡347,15 ₡308,12 ₡276,89 Envase tipo carrete ₡193,61 Ver ₡247,22 ₡171,23 ₡166,03 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	40 V	5.4 A	34 mOhms	20 V	1 V	4.9 nC	- 55 C	+ 150 C	1.56 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated 1: ₡281,05 13 698En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMN1045UFR4-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN1045UFR4-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss	Hoja de datos	13 698En existencias	Cinta cortada ₡281,05 ₡125,43 ₡109,82 ₡106,17 ₡87,96 Envase tipo carrete ₡61,41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	X2-DFN1010-3	N-Channel	1 Channel	12 V	3.2 A	25 mOhms	8 V	400 mV	4.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.26 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V DMN10H100SK3-13 Diodes Incorporated 1: ₡796,31 526En existencias 2 500Se espera el 30/8/2027	N.º de artículo del Fabricante DMN10H100SK3-13 N.º de artículo de Mouser 621-DMN10H100SK3-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	526En existencias 2 500Se espera el 30/8/2027	Cinta cortada ₡796,31 ₡440,83 ₡327,37 ₡318,52 ₡258,15 Envase tipo carrete ₡177,48 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	18 A	100 mOhms	20 V	1 V	25.2 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs DMN10H220LVT-7 Diodes Incorporated 1: ₡567,31 402En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMN10H220LVT-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN10H220LVT-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	402En existencias	Cinta cortada ₡567,31 ₡275,85 ₡243,58 ₡197,26 ₡168,11 Envase tipo carrete ₡120,23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	TSOT-26-6	N-Channel	1 Channel	100 V	2.24 A	250 mOhms	16 V	1 V	8.3 nC	- 55 C	+ 150 C	1.67 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss DMN13H750S-7 Diodes Incorporated 1: ₡541,28 114En existencias 9 000Se espera el 19/5/2027	N.º de artículo del Fabricante DMN13H750S-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN13H750S-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss	Hoja de datos	114En existencias 9 000Se espera el 19/5/2027	Cinta cortada ₡541,28 ₡275,85 ₡243,58 ₡202,98 Envase tipo carrete ₡120,23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	130 V	1 A	750 mOhms	20 V	2 V	5.6 nC	- 55 C	+ 150 C	1.26 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A DMN15H310SE-13 Diodes Incorporated 1: ₡1 103,39 151En existencias 2 500Se espera el 30/7/2027	N.º de artículo del Fabricante DMN15H310SE-13 N.º de artículo de Mouser 621-DMN15H310SE-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A	Hoja de datos	151En existencias 2 500Se espera el 30/7/2027	Cinta cortada ₡1 103,39 ₡598,54 ₡469,98 ₡393,99 ₡350,27 Envase tipo carrete ₡268,04 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	150 V	2 A	178 mOhms	20 V	1 V	8.7 nC	- 55 C	+ 150 C	1.9 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated 1: ₡676,61 127En existencias 2 000Se espera el 13/9/2027	N.º de artículo del Fabricante DMN3008SFG-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN3008SFG-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodesinc dmn3008 mosfet	Hoja de datos	127En existencias 2 000Se espera el 13/9/2027	Cinta cortada ₡676,61 ₡359,12 ₡277,93 ₡234,73 ₡206,10 Envase tipo carrete ₡155,10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	PowerDI3333-8	N-Channel	1 Channel	30 V	17.6 A	4.6 mOhms	20 V	2.3 V	41 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement		PowerDI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated 1: ₡556,90 10En existencias 3 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante DMN3016LDN-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN3016LDN-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	10En existencias 3 000En pedido	Cinta cortada ₡556,90 ₡333,10 ₡235,25 ₡214,95 Envase tipo carrete ₡120,23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	V-DFN3030-8	N-Channel	2 Channel	30 V	7.3 A	24 mOhms, 24 mOhms	20 V	1.4 V	25.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.6 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated 1: ₡463,21 1 430En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMN3035LWN-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN3035LWN-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	1 430En existencias	Cinta cortada ₡463,21 ₡210,27 ₡185,29 ₡159,26 Envase tipo carrete ₡108,78 Ver ₡133,76 ₡100,97 ₡93,16 ₡84,32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	V-DFN3020-8	N-Channel	2 Channel	30 V	5.5 A	45 mOhms, 45 mOhms	20 V	1 V	9.9 nC	- 55 C	+ 150 C	1.78 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF DMN3053L-7 Diodes Incorporated 1: ₡322,69 5 489En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMN3053L-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMN3053L-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn mosfet	Hoja de datos	5 489En existencias	Cinta cortada ₡322,69 ₡143,65 ₡125,95 ₡124,91 Envase tipo carrete ₡124,91 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 740 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	4 A	45 mOhms	12 V	600 mV	17.2 nC	- 55 C	+ 150 C	1.2 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF DMN4026SK3-13 Diodes Incorporated 1: ₡588,13 23En existencias 2 500Se espera el 19/2/2027	N.º de artículo del Fabricante DMN4026SK3-13 N.º de artículo de Mouser 621-DMN4026SK3-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF	Hoja de datos	23En existencias 2 500Se espera el 19/2/2027	Cinta cortada ₡588,13 ₡316,96 ₡232,13 Envase tipo carrete ₡232,13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 320 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	28 A	20 mOhms	20 V	1 V	9.6 nC	- 55 C	+ 150 C	3.4 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET DMN53D0LDW-13 Diodes Incorporated 1: ₡202,98 193En existencias 30 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante DMN53D0LDW-13 N.º de artículo de Mouser 621-DMN53D0LDW-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes dmn53xx mosfet	Hoja de datos	193En existencias 30 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: DMN53D0LDW-13 Existencias: 193 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10 000 Se espera el 17/9/2027 20 000 Se espera el 17/12/2027 Plazo de entrega de fábrica: 44 Semanas	Cinta cortada ₡202,98 ₡117,63 ₡85,36 ₡64,02 ₡58,81 Envase tipo carrete ₡58,81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 620 : 10 000	Si	SMD/SMT	SOT-363-6	N-Channel	2 Channel	50 V	360 mA	1.6 Ohms	20 V	800 mV	600 pC	- 55 C	+ 150 C	310 mW	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel