Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
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DMN2230UQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
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SOT-23-3
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20 V
2 A
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12 V
500 mV
2.3 nC
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600 mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A
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5.4 A
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1 V
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- 55 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
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DMN6075S-7
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SOT-23-3
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60 V
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1 V
12.3 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
DMN2300UFB4-7B
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SMD/SMT
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20 V
1.3 A
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8 V
450 mV
1.6 nC
- 55 C
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500 mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A
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DMN4034SSD-13
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SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
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40 V
4.8 A
34 mOhms
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1 V
4.9 nC
- 55 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 4K
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DMN6068SE-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 4K
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SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
60 V
5.6 A
68 mOhms
20 V
1 V
10.3 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET
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DMN1019UVT-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET
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TSOT-26-6
N-Channel
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12 V
10.7 A
10 mOhms
8 V
350 mV
50.4 nC
- 55 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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DMN53D0L-7
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147 000 Se espera el 13/10/2027
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621-DMN53D0L-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
20 V
800 mV
1.2 nC
- 55 C
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360 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
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DMN2028USS-13
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2 500 Se espera el 15/1/2027
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522-DMN2028USS-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
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SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
20 V
9.8 A
20 mOhms
12 V
600 mV
11.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.56 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
DMN2300UFL4-7
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6 000 Se espera el 20/1/2027
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522-DMN2300UFL4-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
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SMD/SMT
X2-DFN1310-6
N-Channel
2 Channel
20 V
2.11 A
195 mOhms
8 V
450 mV
1.6 nC
- 55 C
+ 150 C
530 mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A
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DMN4027SSD-13
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5 000 Se espera el 18/8/2027
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522-DMN4027SSD-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A
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5 000 Se espera el 18/8/2027
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
40 V
5.4 A
27 mOhms
20 V
1 V
6.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
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11 788 En existencias
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621-DMN1045UFR4-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
11 788 En existencias
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SMD/SMT
X2-DFN1010-3
N-Channel
1 Channel
12 V
3.2 A
25 mOhms
8 V
400 mV
4.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.26 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
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2 500 Se espera el 30/8/2027
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621-DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
476 En existencias
2 500 Se espera el 30/8/2027
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
18 A
100 mOhms
20 V
1 V
25.2 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
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DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
1:
₡567,31
402 En existencias
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621-DMN10H220LVT-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
402 En existencias
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Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
1 Channel
100 V
2.24 A
250 mOhms
16 V
1 V
8.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.67 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
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DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
1:
₡1 040,93
2 272 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
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SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
150 V
2 A
178 mOhms
20 V
1 V
8.7 nC
- 55 C
+ 150 C
1.9 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
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DMN24H3D5L-7
Diodes Incorporated
1:
₡536,08
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147 000 Se espera el 19/5/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN24H3D5L-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
794 En existencias
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3 000
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
240 V
480 mA
3.5 Ohms
20 V
1 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.26 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
DMN3008SFG-7
Diodes Incorporated
1:
₡676,61
35 En existencias
2 000 Se espera el 13/9/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN3008SFG-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
35 En existencias
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2 000
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Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
30 V
17.6 A
4.6 mOhms
20 V
2.3 V
41 nC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
PowerDI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
DMN3016LDN-7
Diodes Incorporated
1:
₡536,08
3 020 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMN3016LDN-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
3 020 En existencias
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Si
SMD/SMT
V-DFN3030-8
N-Channel
2 Channel
30 V
7.3 A
24 mOhms, 24 mOhms
20 V
1.4 V
25.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.6 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
DMN3035LWN-7
Diodes Incorporated
1:
₡463,21
15 En existencias
3 000 Se espera el 28/1/2028
N.º de artículo de Mouser
621-DMN3035LWN-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
15 En existencias
3 000 Se espera el 28/1/2028
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3 000
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Si
SMD/SMT
V-DFN3020-8
N-Channel
2 Channel
30 V
5.5 A
45 mOhms, 45 mOhms
20 V
1 V
9.9 nC
- 55 C
+ 150 C
1.78 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
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DMN3053L-7
Diodes Incorporated
1:
₡322,69
5 356 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMN3053L-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
5 356 En existencias
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3 000
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
30 V
4 A
45 mOhms
12 V
600 mV
17.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
DMN6070SFCL-7
Diodes Incorporated
1:
₡458,01
261 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
621-DMN6070SFCL-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
261 En existencias
3 000 En pedido
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Mult.: 1
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3 000
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Si
SMD/SMT
X1-DFN1616-6
N-Channel
1 Channel
60 V
2.5 A
120 mOhms
20 V
3 V
12.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
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DMN61D8L-7
Diodes Incorporated
1:
₡452,80
996 En existencias
87 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN61D8L-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
996 En existencias
87 000 En pedido
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996 Se puede enviar inmediatamente
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21 000 Se espera el 25/10/2027
27 000 Se espera el 2/2/2028
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3 000
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
470 mA
1.8 Ohms
5 V
1.3 V
740 pC
- 55 C
+ 150 C
610 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
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DMN61D8LVTQ-7
Diodes Incorporated
1:
₡473,62
924 En existencias
15 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN61D8LVTQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
924 En existencias
15 000 En pedido
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924 Se puede enviar inmediatamente
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6 000 Se espera el 14/5/2027
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48 Semanas
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Mult.: 1
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3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
2 Channel
60 V
630 mA
1.1 Ohms
12 V
1.3 V
740 pC
- 55 C
+ 150 C
1.09 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
DMN3730UFB-7
Diodes Incorporated
1:
₡463,21
9 En existencias
33 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-DMN3730UFB-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
9 En existencias
33 000 En pedido
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9 Se puede enviar inmediatamente
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24 000 Se espera el 16/11/2026
9 000 Se espera el 25/6/2027
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44 Semanas
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Mult.: 1
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3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
X1-DFN1006-3
N-Channel
1 Channel
30 V
730 mA
460 mOhms
8 V
450 mV
1.6 nC
- 55 C
+ 150 C
690 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
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DMN6066SSD-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
522-DMN6066SSD-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
3.3 A
48 mOhms
20 V
1 V
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel