DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Resultados: 47
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW 11 844En existencias
Cinta cortada
₡385,14
₡173,31
₡152,50
₡148,33
Envase tipo carrete
₡148,33
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 630
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 110 mOhms 12 V 500 mV 2.3 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A 3 337En existencias
Cinta cortada
₡739,06
₡347,15
₡291,98
₡256,07
Envase tipo carrete
₡174,88
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 5.4 A 34 mOhms 20 V 1 V 4.9 nC - 55 C + 150 C 1.56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF 257 727En existencias
Cinta cortada
₡291,46
₡127,51
₡111,38
₡90,56
Envase tipo carrete
₡58,29
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 85 mOhms 20 V 1 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 1.15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A 87 300En existencias
Cinta cortada
₡218,60
₡97,33
₡84,84
₡79,11
₡73,91
Envase tipo carrete
₡73,91
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 570
: 10 000
Si SMD/SMT X2-DFN1006-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.3 A 175 mOhms 8 V 450 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A 3 832En existencias
Cinta cortada
₡983,68
₡467,38
₡411,69
₡386,19
₡365,37
Envase tipo carrete
₡264,40
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 40 V 4.8 A 34 mOhms 20 V 1 V 4.9 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 4K 12 806En existencias
32 000Se espera el 15/1/2027
Cinta cortada
₡416,37
₡188,41
₡166,03
₡147,29
₡135,32
Envase tipo carrete
₡92,64
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4 000
: 4 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 60 V 5.6 A 68 mOhms 20 V 1 V 10.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET 13 257En existencias
Cinta cortada
₡484,03
₡217,03
₡191,01
₡164,47
Envase tipo carrete
₡164,47
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 550
: 3 000
Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 1 Channel 12 V 10.7 A 10 mOhms 8 V 350 mV 50.4 nC - 55 C + 150 C 1.73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs 207 526En existencias
147 000Se espera el 13/10/2027
Cinta cortada
₡182,16
₡87,44
₡76,51
₡65,58
Envase tipo carrete
₡38,51
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K 397En existencias
2 500Se espera el 15/1/2027
Cinta cortada
₡577,72
₡276,37
₡234,21
Envase tipo carrete
₡234,21
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 20 V 9.8 A 20 mOhms 12 V 600 mV 11.6 nC - 55 C + 150 C 1.56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS 3 592En existencias
6 000Se espera el 20/1/2027
Cinta cortada
₡379,94
₡171,75
₡150,93
₡140,53
Envase tipo carrete
₡86,92
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT X2-DFN1310-6 N-Channel 2 Channel 20 V 2.11 A 195 mOhms 8 V 450 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 530 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A 2 765En existencias
5 000Se espera el 18/8/2027
Cinta cortada
₡962,86
₡485,59
₡391,39
₡360,16
Envase tipo carrete
₡229,53
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 40 V 5.4 A 27 mOhms 20 V 1 V 6.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss 11 788En existencias
Cinta cortada
₡281,05
₡125,43
₡109,82
₡95,25
Envase tipo carrete
₡55,17
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT X2-DFN1010-3 N-Channel 1 Channel 12 V 3.2 A 25 mOhms 8 V 400 mV 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V 476En existencias
2 500Se espera el 30/8/2027
Cinta cortada
₡796,31
₡440,83
₡327,37
₡318,52
₡258,15
Envase tipo carrete
₡177,48
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 100 mOhms 20 V 1 V 25.2 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs 402En existencias
Cinta cortada
₡567,31
₡275,85
₡243,58
₡197,26
₡168,11
Envase tipo carrete
₡120,23
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 1 Channel 100 V 2.24 A 250 mOhms 16 V 1 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.67 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A 2 272En existencias
Cinta cortada
₡1 040,93
₡650,58
₡431,47
₡341,95
Envase tipo carrete
₡277,93
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 150 V 2 A 178 mOhms 20 V 1 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss 794En existencias
147 000Se espera el 19/5/2027
Cinta cortada
₡536,08
₡243,58
₡214,95
₡179,04
₡150,41
Envase tipo carrete
₡93,68
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 240 V 480 mA 3.5 Ohms 20 V 1 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A 35En existencias
2 000Se espera el 13/9/2027
Cinta cortada
₡676,61
₡359,12
₡277,93
₡234,73
₡206,10
Envase tipo carrete
₡155,10
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17.6 A 4.6 mOhms 20 V 2.3 V 41 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF 3 020En existencias
Cinta cortada
₡536,08
₡243,58
₡219,12
Envase tipo carrete
₡130,64
₡107,22
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT V-DFN3030-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.3 A 24 mOhms, 24 mOhms 20 V 1.4 V 25.1 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF 15En existencias
3 000Se espera el 28/1/2028
Cinta cortada
₡463,21
₡210,27
₡185,29
₡171,23
Envase tipo carrete
₡108,78
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT V-DFN3020-8 N-Channel 2 Channel 30 V 5.5 A 45 mOhms, 45 mOhms 20 V 1 V 9.9 nC - 55 C + 150 C 1.78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF 5 356En existencias
Cinta cortada
₡322,69
₡143,65
₡125,95
₡124,91
Envase tipo carrete
₡124,91
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 740
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 45 mOhms 12 V 600 mV 17.2 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF 261En existencias
3 000En pedido
Cinta cortada
₡458,01
₡234,21
₡193,09
₡175,40
₡171,75
Envase tipo carrete
₡115,02
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT X1-DFN1616-6 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 120 mOhms 20 V 3 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23 996En existencias
87 000En pedido
Cinta cortada
₡452,80
₡232,65
₡200,90
₡174,36
₡170,71
Envase tipo carrete
₡99,41
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 470 mA 1.8 Ohms 5 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson 924En existencias
15 000En pedido
Cinta cortada
₡473,62
₡252,43
₡194,65
₡186,85
Envase tipo carrete
₡186,85
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 730
: 3 000
Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 60 V 630 mA 1.1 Ohms 12 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 1.09 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V 9En existencias
33 000En pedido
Cinta cortada
₡463,21
₡222,76
₡195,17
₡180,08
₡176,44
Envase tipo carrete
₡96,81
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT X1-DFN1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 730 mA 460 mOhms 8 V 450 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 690 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
17 492En pedido
Cinta cortada
₡577,72
₡321,13
₡257,11
₡255,55
₡253,99
Envase tipo carrete
₡164,47
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 3.3 A 48 mOhms 20 V 1 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel