DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Resultados: 47
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET 156En existencias
10 000Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 880
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET 358En existencias
30 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 690
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs 734En existencias
145 900En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4 180
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family 576En existencias
90 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 180
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF 17 598En existencias
20 000Se espera el 29/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 880
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF 295En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT X1-DFN1616-6 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
23 943Se espera el 9/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 870 pC - 55 C + 150 C 400 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
176 950Se espera el 16/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 240 V 480 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
17 492En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 210
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 3.3 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
9 989Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
103 895En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
71 490En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 300 mA 2 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 600 pC - 55 C + 150 C 520 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23 2 954En existencias
33 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 080
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 470 mA 1.8 Ohms - 5 V, 5 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
9 955Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 700
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 470 mA 1.8 Ohms - 5 V, 5 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
30 338En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4 250
: 3 000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 60 V 630 mA 1.1 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 1.09 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
11 889En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 710
: 3 000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 60 V 630 mA 1.1 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 1.09 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A
2 490Se espera el 19/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 3.7 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
4 998Se espera el 13/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 290
: 2 500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 3.6 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 1 Channel Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT V-DFN2050-4 N-Channel 2 Channel 20 V 12.2 A 13 mOhms - 12 V, 12 V 300 mV 56 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 300 mA 2 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 600 pC - 55 C + 150 C 520 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel