Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
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SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
50 V
360 mA
1.6 Ohms
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
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800 mV
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Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
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Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
50 V
360 mA
2 Ohms
- 20 V, 20 V
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1.2 nC
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420 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
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Si
SMD/SMT
X1-DFN1616-6
N-Channel
1 Channel
60 V
2.5 A
120 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
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+ 150 C
1.8 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
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DMN65D8LDW-7
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522-DMN65D8LDW-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
23 943 Se espera el 9/6/2027
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3 000
₡32,27
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3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
60 V
200 mA
6 Ohms
- 20 V, 20 V
1 V
870 pC
- 55 C
+ 150 C
400 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
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621-DMN24H3D5L-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
176 950 Se espera el 16/9/2026
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1 000
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3 000
₡111,90
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Mult.: 1
Máx.: 6 000
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
240 V
480 mA
3.5 Ohms
- 20 V, 20 V
1 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.26 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
3.3 A
48 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
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DMN24H3D5L-13
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621-DMN24H3D5L-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
9 989 Se espera el 19/2/2027
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1 000
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10 000
₡100,97
1 000
₡146,25
2 500
₡131,16
5 000
₡113,46
10 000
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
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DMN53D0LQ-7
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103 895 En pedido
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621-DMN53D0LQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
103 895 En pedido
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16 895 Se espera el 12/2/2027
48 000 Se espera el 5/7/2027
39 000 Se espera el 28/7/2027
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40 Semanas
1
₡208,19
10
₡120,75
100
₡85,36
500
₡72,34
3 000
₡39,56
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
540 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
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DMN53D0U-7
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71 490 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0U-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
71 490 En pedido
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12 000 Se espera el 19/2/2027
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40 Semanas
1
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10
₡114,50
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₡81,19
500
₡73,91
3 000
₡40,60
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
300 mA
2 Ohms
- 12 V, 12 V
400 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
520 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
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DMN61D8L-7
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621-DMN61D8L-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
2 954 En existencias
33 000 En pedido
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2 954 Se puede enviar inmediatamente
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18 000 Se espera el 15/1/2027
15 000 Se espera el 5/2/2027
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52 Semanas
1
₡431,99
10
₡270,12
100
₡177,48
500
₡134,28
1 000
₡118,15
3 000
₡118,15
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 080
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
470 mA
1.8 Ohms
- 5 V, 5 V
1.3 V
740 pC
- 55 C
+ 150 C
610 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
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DMN61D8LQ-13
Diodes Incorporated
1:
₡489,24
9 955 Se espera el 15/1/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN61D8LQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
9 955 Se espera el 15/1/2027
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1
₡489,24
10
₡281,57
100
₡201,42
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10 000
₡194,65
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 700
Carrete :
10 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
470 mA
1.8 Ohms
- 5 V, 5 V
1.3 V
740 pC
- 55 C
+ 150 C
610 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
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DMN61D8LVT-7
Diodes Incorporated
1:
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30 338 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN61D8LVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
30 338 En pedido
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9 338 Se espera el 19/2/2027
6 000 Se espera el 23/7/2027
15 000 Se espera el 4/8/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
₡431,99
10
₡267,00
100
₡172,79
500
₡131,68
1 000
₡118,67
3 000
₡84,32
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4 250
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
2 Channel
60 V
630 mA
1.1 Ohms
- 12 V, 12 V
1.3 V
740 pC
- 55 C
+ 150 C
1.09 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
+1 imagen
DMN61D8LVTQ-7
Diodes Incorporated
1:
₡426,78
11 889 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN61D8LVTQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
11 889 En pedido
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En pedido:
5 889 Se espera el 21/8/2026
6 000 Se espera el 3/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
₡426,78
10
₡246,18
100
₡175,40
500
₡146,25
3 000
₡146,25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 710
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
2 Channel
60 V
630 mA
1.1 Ohms
- 12 V, 12 V
1.3 V
740 pC
- 55 C
+ 150 C
1.09 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A
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DMN6066SSS-13
Diodes Incorporated
1:
₡676,61
2 490 Se espera el 19/3/2027
N.º de artículo de Mouser
522-DMN6066SSS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A
2 490 Se espera el 19/3/2027
1
₡676,61
10
₡423,66
100
₡279,49
500
₡217,03
1 000
₡197,26
2 500
₡162,91
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
60 V
3.7 A
48 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.56 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
+2 imágenes
DMN10H120SE-13
Diodes Incorporated
1:
₡629,76
4 998 Se espera el 13/11/2026
N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H120SE-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
4 998 Se espera el 13/11/2026
1
₡629,76
10
₡341,95
100
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SOT-223-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET
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TSOT-26-6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
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SOT-23-3
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Si
SMD/SMT
V-DFN2050-4
N-Channel
2 Channel
20 V
12.2 A
13 mOhms
- 12 V, 12 V
300 mV
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2.1 W
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
300 mA
2 Ohms
- 12 V, 12 V
400 mV
600 pC
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Reel, Cut Tape, MouseReel