Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.

Resultados: 39
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
46 177En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
25 771En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.35 mOhms 20 V 3 V 103 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
40 756En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 P-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 460 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
14 816En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
Hoja de datos
56 440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 23.7 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
44 524En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
11 180En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 4.3 mOhms 20 V 2.5 V 39 nC + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
17 458En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3.3 mOhms 20 V 2.5 V 81 nC + 175 C 157 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
17 713En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 44 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
4 029En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 158 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
16 682En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
1 831En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.35 mOhms 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
1 682En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 13.7 mOhms 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
1 835En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 9.7 mOhms 20 V 4 V 28 nC + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
968En existencias
2 000Se espera el 6/11/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 9.7 mOhms 20 V 1.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
23 524En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 230 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
5 373En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 156 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
3 739En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 172 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
4 390En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms 20 V 2.5 V 76 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
4 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 6.5 mOhms 20 V 4 V 49 nC + 175 C 157 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
2 964En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
2 944En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
3 783En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 4.7 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 160 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
4 594En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.8 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
2 756En existencias
5 000Se espera el 16/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 6.7 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel