Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 37

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPA90R340C3XKSA2
Infineon Technologies
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585En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA90R340C3XKSA2

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726-IPA90R340C3XKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

585En existencias

₡3 580,80

₡2 133,91

₡1 733,15

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15 A

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3.5 V

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35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
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8 652En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K8CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

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Hoja de datos

8 652En existencias

Cinta cortada

₡848,36

₡402,32

₡358,60

₡308,12

₡286,26

Envase tipo carrete

₡214,95

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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1.9 A

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Infineon Technologies
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
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N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

3 446En existencias

Cinta cortada

₡1 306,37

₡650,58

₡556,90

₡465,82

₡435,63

Envase tipo carrete

₡397,12

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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6 A

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1 659En existencias

₡1 046,14

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₡367,97

Ver

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
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792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

792En existencias

₡2 508,64

₡1 472,92

₡1 202,28

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Infineon Technologies
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12 638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R280CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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12 638En existencias

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₡1 072,16

₡514,74

₡460,09

₡364,85

Envase tipo carrete

₡300,83

Ver

MouseReel Disponible

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
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4 778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4 778En existencias

Cinta cortada

₡676,61

₡315,92

₡280,53

₡218,08

Envase tipo carrete

₡171,75

Ver

MouseReel Disponible

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

SPW55N80C3
Infineon Technologies
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441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW55N80C3

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726-SPW55N80C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

Hoja de datos

441En existencias

₡8 644,93

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
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284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW55N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

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284En existencias

₡8 556,45

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800 V

54.9 A

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500 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW90R120C3XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡8 577,27
194En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW90R120C3XKSA1

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

Hoja de datos

194En existencias

₡8 577,27

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB11N60C3
Infineon Technologies
1: ₡2 264,02
1 015En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB11N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB11N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Hoja de datos

1 015En existencias

Cinta cortada

₡2 264,02

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Envase tipo carrete

₡905,61

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

11 A

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2.1 V

45 nC

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+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

SPW20N60C3
Infineon Technologies
1: ₡3 075,95
2 705En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

2 705En existencias

₡3 075,95

₡1 707,13

₡1 483,33

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₡1 176,25

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

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600 V

20.7 A

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208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 013,49
854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

854En existencias

₡3 013,49

₡1 577,01

₡1 441,69

₡1 363,62

₡1 223,09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

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3.5 V

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34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡645,38
7 494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

7 494En existencias

Cinta cortada

₡645,38

₡300,83

₡267,00

₡207,15

Envase tipo carrete

₡162,39

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

20 V

3.5 V

9 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: ₡785,90
912En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

912En existencias

₡785,90

₡372,65

₡331,54

₡259,71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11.1 A

1.17 Ohms

20 V

3 V

18.7 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPB90R340C3ATMA2
Infineon Technologies
1: ₡3 539,16
1 194En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB90R340C3ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90R340C3ATMA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

1 194En existencias

Cinta cortada

₡3 539,16

₡1 878,88

₡1 722,74

₡1 608,24

Envase tipo carrete

₡1 436,48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

15 A

340 mOhms

20 V

3.5 V

94 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
1: ₡1 873,68
304En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3XKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

304En existencias

₡1 873,68

₡942,04

₡853,56

₡687,01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1 A

450 mOhms

20 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡942,04
2 899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2 899En existencias

Cinta cortada

₡942,04

₡448,12

₡400,24

₡315,40

Envase tipo carrete

₡258,15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: ₡390,35
2 632En existencias
6 000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2 632En existencias

6 000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

₡390,35

₡177,48

₡156,14

₡118,67

Envase tipo carrete

₡91,08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

20 V

2.5 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 483,33
460En existencias
1 000Se espera el 24/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

460En existencias

1 000Se espera el 24/9/2026

₡1 483,33

₡655,79

₡598,54

₡473,62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 113,80
53En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

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Hoja de datos

53En existencias

₡1 113,80

₡582,92

₡433,03

₡333,10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

890 mOhms

20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 321,98
669En existencias
1 000Se espera el 19/8/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

669En existencias

1 000Se espera el 19/8/2027

₡1 321,98

₡676,61

₡577,72

₡466,86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

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1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

IPA60R230P6XKSA1
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IPA60R230P6XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16.8 A

538 mOhms

20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
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IPA60R280P6XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
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Cinta cortada

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₡251,38

Envase tipo carrete

₡195,69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 A
1.9 A
2.4 A
3 A
5 A
5.1 A
6 A
8.5 A
9 A
9.9 A
10.1 A
11 A
11.1 A
12 A
12.5 A
13 A
13.8 A
14.7 A
15 A
16.8 A

77 mOhms
89 mOhms
113 mOhms
120 mOhms
144 mOhms
145 mOhms
170 mOhms
190 mOhms
214 mOhms
252 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
340 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
490 mOhms
538 mOhms
540 mOhms
600 mOhms
650 mOhms

3.8 nC
6 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
12 nC
13 nC
16.4 nC
18 nC
18.7 nC
20.5 nC
23 nC
25 nC
25.5 nC
28 nC
31 nC
32 nC
32.6 nC
44 nC
45 nC

5 W
6 W
6.9 W
7 W
26 W
26.5 W
28 W
30 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
41 W
42 W
53 W
82 W
83 W
92 W
119 W