Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification. 

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 75V 80A
Hoja de datos
300En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
Hoja de datos
300Se espera el 2/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
Hoja de datos
300Se espera el 27/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A
Hoja de datos
203Se espera el 26/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
Hoja de datos
44Se espera el 29/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 250V 30A N-CH LINEAR
Hoja de datos
1 050Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 64A N-CH LINEAR
Hoja de datos
1 050Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
Hoja de datos
930Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
Hoja de datos
1 170Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 1000V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 30A N-CH LINEAR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 44A N-CH LINEAR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 17 Amps 1200V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 46 Amps 500V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 17 Amps 1200V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 500V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 N-CH 75V 140A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 500V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-268-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 17 Amps 1200V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 2.5KV 3A N-CH LINEAR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 500V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3