TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.

Resultados: 30
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A 5 288En existencias
Cinta cortada
₡910,81
₡413,25
₡326,33
₡273,24
₡260,75
Envase tipo carrete
₡237,33
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 59.5 A 7.2 mOhms 20 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A 7 803En existencias
Cinta cortada
₡1 426,08
₡702,63
₡629,76
₡505,37
₡489,24
Envase tipo carrete
₡439,27
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 84.1 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 92.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 126A N-CH MOSFET 15 046En existencias
Cinta cortada
₡1 779,99
₡890,00
₡806,72
₡650,58
₡645,38
Envase tipo carrete
₡598,54
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 54 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V 597En existencias
₡5 511,73
₡3 055,13
₡2 820,92
₡2 742,85
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 100 mOhms 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V 736En existencias
₡4 574,89
₡2 493,03
₡2 290,05
₡2 144,32
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 120 mOhms 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V 2 445En existencias
Cinta cortada
₡5 662,66
₡3 148,82
₡2 997,88
₡2 841,74
Envase tipo carrete
₡2 841,74
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 100 mOhms 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V 2 725En existencias
Cinta cortada
₡4 595,71
₡2 503,44
₡2 305,66
₡2 279,64
₡2 159,93
Envase tipo carrete
₡2 159,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 120 mOhms 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V 1 680En existencias
Cinta cortada
₡5 204,65
₡2 867,76
₡2 680,40
₡2 539,87
Envase tipo carrete
₡2 539,87
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerPAK-10x12 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 100 mOhms 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V 1 775En existencias
Cinta cortada
₡4 705,01
₡2 571,10
₡2 362,91
₡2 352,50
₡2 227,59
Envase tipo carrete
₡2 227,59
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerPAK-10x12 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 120 mOhms 30 V 5 V - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V 900En existencias
₡5 506,52
₡3 055,13
₡2 815,72
₡2 737,65
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 100 mOhms 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V 815En existencias
₡4 564,48
₡2 487,82
₡2 284,84
₡2 139,11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 120 mOhms 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V 5 422En existencias
Cinta cortada
₡1 509,35
₡775,49
₡671,40
₡546,49
Envase tipo carrete
₡506,93
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 84.8 A 5.8 mOhms 20 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 83.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V 5 555En existencias
Cinta cortada
₡1 400,05
₡900,41
₡619,35
₡493,92
₡457,49
Envase tipo carrete
₡433,03
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 63.7 A 8 mOhms 20 V 4 V 23.6 nC - 55 C + 150 C 71.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V 5 801En existencias
Cinta cortada
₡1 566,60
₡775,49
₡702,63
₡567,31
₡536,08
Envase tipo carrete
₡506,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 59.7 A 10.8 mOhms 20 V 4 V 35.9 nC - 55 C + 150 C 92.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V 5 870En existencias
Cinta cortada
₡1 269,94
₡619,35
₡556,90
₡443,44
₡429,38
Envase tipo carrete
₡375,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 48.1 A 13.5 mOhms 20 V 4 V 31.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V 5 698En existencias
Cinta cortada
₡1 150,23
₡556,90
₡498,61
₡396,59
₡381,50
Envase tipo carrete
₡327,89
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 42.2 A 16 mOhms 20 V 4 V 25.2 nC - 55 C + 150 C 71.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V 5 615En existencias
Cinta cortada
₡1 868,47
₡942,04
₡848,36
₡692,22
₡687,01
Envase tipo carrete
₡640,17
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 70.2 A 8.8 mOhms 20 V 4 V 32.5 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V 5 884En existencias
Cinta cortada
₡1 420,87
₡702,63
₡629,76
₡503,81
₡494,96
Envase tipo carrete
₡438,23
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 93 A 3.4 mOhms 20 V 4 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 92.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V 279En existencias
₡4 996,47
₡2 748,06
₡2 529,46
₡2 409,75
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 120 mOhms 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A 3 024En existencias
Cinta cortada
₡1 368,82
₡671,40
₡603,74
₡482,47
₡471,54
Envase tipo carrete
₡415,85
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.5 mOhms 20 V 4 V 36.7 nC - 55 C + 150 C 83.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A 10 935En existencias
Cinta cortada
₡1 165,84
₡567,31
₡504,33
₡401,28
₡386,71
Envase tipo carrete
₡332,58
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64.9 A 5.3 mOhms 20 V 4 V 25.3 nC - 55 C + 150 C 71.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 10 506En existencias
12 000Se espera el 21/10/2026
Cinta cortada
₡468,42
₡333,10
₡207,15
₡143,13
₡126,47
Envase tipo carrete
₡95,25
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK SC-70W-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9 A 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET 5 726En existencias
Cinta cortada
₡2 107,88
₡1 139,82
₡1 030,52
₡863,97
Envase tipo carrete
₡811,93
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 77.4 A 7.9 mOhms 20 V 4 V 46.9 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 47.1A 48En existencias
21 000En pedido
Cinta cortada
₡1 014,91
₡640,17
₡419,50
₡332,58
₡324,25
Envase tipo carrete
₡270,12
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK1212-8S N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 1.2 mOhms - 12 V, 16 V 4.2 V 65 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 51.1A 180En existencias
21 000Se espera el 14/10/2027
Cinta cortada
₡1 410,46
₡905,61
₡619,35
₡551,69
₡507,45
Envase tipo carrete
₡437,71
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel 1 Channel 30 V 185.6 A 1.06 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel