TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
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8 130En existencias
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: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 85A 300W 21mohm @ 10V
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545En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 85 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
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5 490En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.8 A 119 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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3 920En existencias
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: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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3 362En existencias
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: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V
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766En existencias
6 000Se espera el 25/8/2026
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Máx.: 6 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8S P-Channel 1 Channel 40 V 198 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 392 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 4.3A
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60 853En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 5.6 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.7A
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106 298En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.8 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
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11 025En existencias
69 000En pedido
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.2 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
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29 454En existencias
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Si SMD/SMT MicroFoot-6 P-Channel 1 Channel 12 V 16 A 22 mOhms - 10 V, 10 V 800 mV 65 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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20 308En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 18 A 9.4 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 73 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8
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39 129En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 16 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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7 051En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 11.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 71 nC - 50 C + 150 C 52.1 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
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38 526En existencias
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Si SMD/SMT ChipFET-8 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 16.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 96 nC - 55 C + 150 C 6.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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8 006En existencias
3 000En pedido
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 265 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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26 660En existencias
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Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 48 mOhms, 48 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 23 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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7 688En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 12 V 4.5 A 33 mOhms, 33 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
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2 286En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 60 V 53 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 104.2 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 57A 300W
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1 567En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 57 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC89-6
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4 957En existencias
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Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SC-89-6 P-Channel 1 Channel 20 V 1.75 A 65 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 31.1 nC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
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1 527En existencias
3 000Se espera el 27/8/2026
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Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 30 A 4.4 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 180 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
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841En existencias
6 000Se espera el 27/8/2026
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 21 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220
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888En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 126 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220
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497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs SC70-6
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5 205En existencias
6 000Se espera el 18/9/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4 A 34 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel