MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V

Los MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V de Infineon ofrecen al diseñador una nueva opción que puede simplificar los circuitos, a la vez que optimizan el rendimiento. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Los MOSFET de potencia de canal P son ideales para aplicaciones de protección de batería, protección contra polaridad inversa, cargadores de baterías lineales, conmutación de carga, convertidores CC/CC y unidades de bajo voltaje.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
30 463En existencias
Cinta cortada
₡1 285,55
₡660,99
₡546,49
₡463,73
₡436,15
Envase tipo carrete
₡413,25
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 35 A 38 mOhms 20 V 2.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
6 693En existencias
Cinta cortada
₡3 377,82
₡1 790,40
₡1 634,26
₡1 514,55
Envase tipo carrete
₡1 415,67
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 41 A 72 mOhms 20 V 2 V 224 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
2 586En existencias
Cinta cortada
₡2 977,06
₡1 556,19
₡1 462,51
₡1 311,57
Envase tipo carrete
₡1 207,48
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 63 A 32 mOhms 20 V 2 V 219 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
4 442En existencias
Cinta cortada
₡1 004,50
₡481,43
₡427,30
₡339,86
₡320,61
Envase tipo carrete
₡275,33
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.7 A 186 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
2 231En existencias
Cinta cortada
₡1 290,75
₡629,76
₡546,49
₡451,76
₡427,82
Envase tipo carrete
₡388,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 22 A 111 mOhms 20 V 4 V 59 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
925En existencias
Cinta cortada
₡1 400,05
₡687,01
₡608,94
₡515,78
Envase tipo carrete
₡454,37
₡432,51
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.8 A 185 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
2 170En existencias
Cinta cortada
₡791,11
₡371,61
₡330,50
₡258,67
Envase tipo carrete
₡210,27
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 16.4 A 90 mOhms 20 V 2.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
Hoja de datos
36 445En existencias
Cinta cortada
₡223,80
₡156,14
₡98,89
₡61,94
Envase tipo carrete
₡47,88
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MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
Hoja de datos
2 414En existencias
Cinta cortada
₡640,17
₡396,59
₡260,75
₡204,54
Envase tipo carrete
₡158,74
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
Hoja de datos
3 436En existencias
Cinta cortada
₡582,92
₡361,72
₡237,85
₡186,85
Envase tipo carrete
₡144,69
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
Hoja de datos
12 126En existencias
Cinta cortada
₡171,75
₡76,51
₡66,62
₡49,44
Envase tipo carrete
₡45,28
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MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 550 mA 1.7 Ohms 20 V 2 V 870 pC - 55 C + 150 C 1.04 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
411En existencias
2 000Se espera el 1/4/2027
Cinta cortada
₡1 098,18
₡530,87
₡472,58
₡374,74
Envase tipo carrete
₡342,99
₡310,20
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3.9 A 67 mOhms 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel
Hoja de datos
6 392En existencias
Cinta cortada
₡2 883,38
₡1 504,15
₡1 368,82
₡1 223,09
Envase tipo carrete
₡1 145,02
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 60 V 100 A 11 mOhms 20 V 1 V 281 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
3 276En existencias
Cinta cortada
₡1 150,23
₡556,90
₡479,35
₡395,55
₡368,49
Envase tipo carrete
₡331,02
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 22 A 65 mOhms 20 V 2.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
14 623En existencias
Cinta cortada
₡338,30
₡151,46
₡132,72
₡100,45
Envase tipo carrete
₡89,52
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MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 990 mA 2 Ohms 20 V 2 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
2 097En existencias
Cinta cortada
₡1 217,89
₡593,33
₡530,87
₡423,14
Envase tipo carrete
₡399,20
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 6.4 A 67 mOhms 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL (NEGATIVE)
Hoja de datos
7 500En existencias
10 000Se espera el 30/12/2026
Cinta cortada
₡1 051,34
₡502,77
₡447,08
₡354,44
Envase tipo carrete
₡287,30
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 60 V 3.44 A 110 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
3 312En existencias
Cinta cortada
₡3 029,11
₡1 982,97
₡1 462,51
₡1 321,98
Envase tipo carrete
₡1 150,23
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
7 724En existencias
Cinta cortada
₡1 181,46
₡572,51
₡512,14
₡408,04
Envase tipo carrete
₡356,52
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 9 A 420 mOhms 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
677En existencias
₡3 164,43
₡1 665,49
₡1 519,76
₡1 457,30
₡1 306,37
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
3 643En existencias
Cinta cortada
₡442,40
₡200,90
₡176,96
₡135,32
Envase tipo carrete
₡121,27
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 1.29 A 1.38 Ohms 20 V 2 V 11.6 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
12 399En existencias
Cinta cortada
₡333,10
₡150,41
₡132,20
₡99,93
Envase tipo carrete
₡89,00
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.1 A 750 mOhms 20 V 1 V 4 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
2 813En existencias
3 000En pedido
Cinta cortada
₡390,35
₡177,48
₡156,66
₡119,19
Envase tipo carrete
₡118,67
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 1.55 A 980 Ohms 20 V 2 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
687En existencias
Cinta cortada
₡1 077,36
₡518,38
₡463,73
₡367,97
₡347,15
Envase tipo carrete
₡302,91
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.9 A 178 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
1 835En existencias
2 500Se espera el 4/3/2027
Cinta cortada
₡660,99
₡307,07
₡272,72
₡211,83
Envase tipo carrete
₡163,95
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 6.5 A 250 mOhms 20 V 2.1 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel