FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.

Resultados: 38
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-channel Femto FET MOSFET A 595-CS A 595-CSD25480F3 7 400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.7 A 840 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 700 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4 5 181En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 2.1 A 180 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 1.06 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25484 A 595-CSD25484F4 2 964En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 825 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 1.09 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement FemtoFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3 2 664En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 1.8 A 250 mOhms - 6 V, 6 V 950 mV 950 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4 3 161En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 800 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 913 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement FemtoFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3 43 157En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 3.6 A 76 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A A 595-CSD13381F4T 64 158En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 2.1 A 180 mOhms - 8 V, 8 V 650 mV 1.06 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T 39 932En existencias
45 000Se espera el 19/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 2.9 A 44 mOhms - 10 V, 10 V 700 mV 2.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17381 A 595-CSD17381F4 4 391En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.1 A 109 mOhms - 12 V, 12 V 850 mV 1.04 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T 17 761En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.1 A 109 mOhms - 8 V, 8 V 650 mV 1.04 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5T 5 159En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 7.1 A 19 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5 1 770En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 7.1 A 19 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4 1 987En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 67 mOhms - 10 V, 10 V 700 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17585F5 1 209En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.9 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 900 mV 5.1 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5T 4 214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.2 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 1.75 V 11 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T 4 260En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 80 mOhms - 6 V, 6 V 950 mV 4.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4T 6 181En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 175 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4 771En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 970 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T 10 448En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 800 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 913 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4T 6 028En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.6 A 1.07 Ohms - 12 V, 12 V 950 mV 960 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T 5 756En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 825 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 1.09 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T 8 637En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 250 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3T 10 756En existencias
15 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 3.6 A 76 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4 467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 2.9 A 44 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement FemtoFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V N-Ch FemtoFET A 595-CSD15380F3 A 59 A 595-CSD15380F3 1 287En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 1.46 Ohms - 10 V, 10 V 850 mV 216 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel