E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (RDS(ON)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). E series MOSFETs are available in 800VDS high-voltage variants with drain current (ID) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.  

Resultados: 39
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET
Hoja de datos
25 359En existencias
Cinta cortada
₡1 566,60
₡775,49
₡697,42
₡562,10
Envase tipo carrete
₡499,13
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.3 A 1.1 Ohms 30 V 2 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix SIHU2N80AE-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET
Hoja de datos
5 586En existencias
₡1 150,23
₡744,27
₡469,98
₡423,66
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.9 A 2.5 Ohms 30 V 4 V 7 nC - 55 C + 155 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHB17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 15A N-CH MOSFET
Hoja de datos
9 469En existencias
₡1 910,11
₡1 009,70
₡884,79
₡733,86
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Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 179 W Enhancement Tube
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET
Hoja de datos
3 894En existencias
₡1 894,49
₡952,45
₡837,95
₡702,63
₡650,58
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 380 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHP17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 794En existencias
₡1 956,95
₡988,88
₡895,20
₡780,70
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 543En existencias
₡2 284,84
₡1 171,05
₡1 061,75
₡962,86
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHP15N80AE-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 666En existencias
₡1 868,47
₡942,04
₡879,59
₡739,06
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 304 mOhms 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 155 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
3 549En existencias
₡2 617,94
₡1 353,21
₡1 233,50
₡1 082,57
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 156 mOhms 30 V 4 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 442En existencias
₡1 936,13
₡978,47
₡884,79
₡770,29
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 250 mOhms 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 34 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHB21N80AE-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
9 551En existencias
₡2 159,93
₡1 103,39
₡999,29
₡858,77
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Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17.4 A 205 mOhms 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 32 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 13A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 361En existencias
₡1 722,74
₡858,77
₡775,49
₡629,76
₡572,51
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 269 mOhms 30 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2 409En existencias
₡1 634,26
₡811,93
₡733,86
₡593,33
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14.5 A 243 mOhms 30 V 4 V 66 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 19A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 975En existencias
₡2 029,82
₡1 025,32
₡931,63
₡765,08
₡713,04
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 500 V 19 A 184 mOhms 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET
Hoja de datos
5 512En existencias
₡1 571,81
₡780,70
₡702,63
₡567,31
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 609 V 7 A 600 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors SIHK045N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
2 338En existencias
Cinta cortada
₡5 131,79
₡3 278,93
₡2 763,67
₡2 597,12
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Envase tipo carrete
₡2 362,91
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2 731En existencias
Cinta cortada
₡3 721,33
₡1 988,18
₡1 821,63
₡1 613,44
Envase tipo carrete
₡1 613,44
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT DPAK- N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 12A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 921En existencias
₡2 503,44
₡1 290,75
₡1 171,05
₡1 020,11
₡947,25
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 380 mOhms 30 V 4 V 88 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors SIHK055N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
2 099En existencias
Cinta cortada
₡5 215,06
₡2 878,17
₡2 690,81
₡2 513,85
Envase tipo carrete
₡2 513,85
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 56 mOhms 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
3 174En existencias
Cinta cortada
₡1 457,30
₡942,04
₡645,38
₡525,67
Envase tipo carrete
₡468,42
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 45 V 208 A 1.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 167 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 8A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 033En existencias
₡1 930,93
₡973,27
₡879,59
₡770,29
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET
Hoja de datos
3 906En existencias
₡3 414,25
₡1 951,75
₡1 587,42
₡1 467,71
₡1 301,16
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms 30 V 4 V 122 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 611En existencias
₡3 112,38
₡1 634,26
₡1 493,74
₡1 363,62
₡1 269,94
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 127 mOhms 30 V 3 V 75 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 633En existencias
Cinta cortada
₡2 550,28
₡1 316,78
₡1 197,07
₡1 046,14
Envase tipo carrete
₡1 040,93
₡983,68
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 180 mOhms 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
Hoja de datos
598En existencias
₡2 789,69
₡1 452,10
₡1 321,98
₡1 264,73
₡1 092,98
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 457En existencias
₡1 431,28
₡713,04
₡629,76
₡512,14
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10.5 A 380 mOhms 30 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Tube