.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFETs MOSFETs de SiC

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 161

Filtros aplicados:

Producto = MOSFETs

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡15 749,28 1 149En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R014M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R014M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	1 149En existencias	₡15 749,28 ₡10 581,06	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole		1 Channel	1.2 kV	127 A	14 mOhms	- 10 V, + 23 V	4.2 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	455 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial C3M0075120K-A Wolfspeed 1: ₡4 949,63 670En existencias	N.º de artículo del Fabricante C3M0075120K-A N.º de artículo de Mouser 941-C3M0075120K-A	Wolfspeed	MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial Obtenga más información sobre Wolfspeed c3m 1200vsic mosfets	Hoja de datos	670En existencias	₡4 949,63 ₡2 461,80 ₡2 342,09	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	32 A	90 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	53 nC	- 40 C	+ 175 C	136 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial C3M0040120J1 Wolfspeed 1: ₡6 755,64 661En existencias	N.º de artículo del Fabricante C3M0040120J1 N.º de artículo de Mouser 941-C3M0040120J1	Wolfspeed	MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial Obtenga más información sobre Wolfspeed c3m 1200vsic mosfets	Hoja de datos	661En existencias	₡6 755,64 ₡3 825,42 ₡3 794,19 ₡3 773,37 ₡3 528,76	Min.: 1 Mult.: 1	SMD/SMT		1 Channel	1.2 kV	64 A	53.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	94 nC	- 40 C	+ 150 C	272 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial C3M0045065J1 Wolfspeed 1: ₡5 568,98 601En existencias	N.º de artículo del Fabricante C3M0045065J1 N.º de artículo de Mouser 941-C3M0045065J1	Wolfspeed	MOSFETs de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial Obtenga más información sobre Wolfspeed 650v sic mosfets	Hoja de datos	601En existencias	₡5 568,98 ₡3 091,56 ₡2 945,83 ₡2 930,22 ₡2 737,65	Min.: 1 Mult.: 1	SMD/SMT		1 Channel	650 V	47 A	60 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	61 nC	- 40 C	+ 150 C	147 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡7 598,79 947En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R040M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R040M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	947En existencias	₡7 598,79 ₡5 032,90 ₡4 205,36 ₡4 106,47	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A	39 mOhms	- 10 V, + 23 V	4.2 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 242,50 1 000En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R163M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R163M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1 000En existencias	Cinta cortada ₡3 242,50 ₡1 712,33 ₡1 264,73 ₡1 259,53 Envase tipo carrete ₡1 259,53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	17 A	217 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	85 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡9 482,88 643En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R022M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R022M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	643En existencias	Cinta cortada ₡9 482,88 ₡5 855,24 ₡5 693,89 Envase tipo carrete ₡5 542,96 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	64 A	30 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡4 892,37 1 995En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R057M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R057M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1 995En existencias	Cinta cortada ₡4 892,37 ₡2 846,95 ₡2 628,35 ₡2 461,80 Envase tipo carrete ₡2 342,09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	39 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	161 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC CDMS24740-170 SL PBFREE Central Semiconductor 1: ₡20 584,41 17En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante CDMS24740-170 SL PBFREE N.º de artículo de Mouser 610-CDMS24740-170SL Nuevo producto	Central Semiconductor	MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC Obtenga más información sobre Central Semiconductor central semi 1700v n channel sic mosfets	Hoja de datos	17En existencias	₡20 584,41 ₡16 842,26 ₡14 880,11 Ver Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	26 A	40 mOhms	20 V	2.4 V		- 55 C	+ 175 C	28 W	Depletion
MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor 1: ₡33 080,78 1 642En existencias	N.º de artículo del Fabricante G3R12MT12K N.º de artículo de Mouser 905-G3R12MT12K	GeneSiC Semiconductor	MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Obtenga más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	1 642En existencias	₡33 080,78 ₡31 748,39 ₡27 772,03	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	111 A	12 mOhms	- 10 V, + 22 V	2.7 V	288 nC	- 55 C	+ 175 C	567 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial C3M0040120J1-TR Wolfspeed 1: ₡6 755,64 404En existencias	N.º de artículo del Fabricante C3M0040120J1-TR N.º de artículo de Mouser 941-C3M0040120J1TR	Wolfspeed	MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial Obtenga más información sobre Wolfspeed 650v sic mosfets	Hoja de datos	404En existencias	Cinta cortada ₡6 755,64 ₡3 825,42 ₡3 778,58 ₡3 528,76 Envase tipo carrete ₡3 528,76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT		1 Channel	1.2 kV	64 A	53.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	94 nC	- 40 C	+ 150 C	272 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡5 277,52 1 019En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R048M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R048M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1 019En existencias	Cinta cortada ₡5 277,52 ₡2 919,81 ₡2 737,65 ₡2 696,01 Envase tipo carrete ₡2 591,92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	45 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 867,06 861En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R072M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R072M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	861En existencias	Cinta cortada ₡3 867,06 ₡2 430,57 ₡2 227,59 ₡2 097,48 Envase tipo carrete ₡2 076,66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	33 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 507,94 753En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R107M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R107M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	753En existencias	Cinta cortada ₡3 507,94 ₡2 055,84 ₡1 873,68 ₡1 764,38 Envase tipo carrete ₡1 691,51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	24 A	141 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor 1: ₡5 287,93 1 737En existencias	N.º de artículo del Fabricante G3R450MT17D N.º de artículo de Mouser 905-G3R450MT17D	GeneSiC Semiconductor	MOSFETs de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET Obtenga más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	1 737En existencias	₡5 287,93 ₡3 018,70 ₡2 789,69 ₡2 388,94 Ver ₡2 378,53 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	7 A	450 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement
MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC SCT4018KWATL ROHM Semiconductor 1: ₡14 520,98 994En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SCT4018KWATL N.º de artículo de Mouser 755-SCT4018KWATL Nuevo producto	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct40xkwa power mosfets	Hoja de datos	994En existencias	Cinta cortada ₡14 520,98 ₡10 086,62 Envase tipo carrete ₡9 550,54	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7LA	1 Channel	1.2 kV	75 A	23.4 mOhms	- 4 V, + 21 V	4.8 V	170 nC		+ 175 C		Enhancement
MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L GP3T020A120H SemiQ 1: ₡6 547,45 391En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante GP3T020A120H N.º de artículo de Mouser 148-GP3T020A120H Nuevo producto	SemiQ	MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L Obtenga más información sobre SemiQ gen3 1200v sic mosfets	Hoja de datos	391En existencias	₡6 547,45 ₡3 929,51 ₡3 924,31 ₡3 383,03	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4L	1 Channel	1.2 kV	280 A	25 mOhms	- 4.5 V, + 18 V	4 V	234 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial C3M0900170J-TR Wolfspeed 1: ₡3 086,36 2 442En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante C3M0900170J-TR N.º de artículo de Mouser 941-C3M0900170J-TR Nuevo producto	Wolfspeed	MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial Obtenga más información sobre Wolfspeed 1700v discrete sic mosfets	Hoja de datos	2 442En existencias	Cinta cortada ₡3 086,36 ₡1 743,56 ₡1 509,35 ₡1 254,32 Envase tipo carrete ₡1 145,02 ₡952,45	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1700 V	4.4 A	1.25 Ohms	- 8 V, + 20 V	4.2 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	41 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡7 624,82 1 690En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMCQ120R026M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMCQ120R026M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	1 690En existencias	Cinta cortada ₡7 624,82 ₡4 418,75 ₡4 335,48 Envase tipo carrete ₡4 127,29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	82 A	67 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	63.4 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡6 458,98 1 011En existencias 750Se espera el 5/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMCQ120R034M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMCQ120R034M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	1 011En existencias 750Se espera el 5/11/2026	Cinta cortada ₡6 458,98 ₡4 673,78 ₡3 893,08 ₡3 471,50 Envase tipo carrete ₡3 242,50	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	64 A	89 mOhms	- 10 V, + 25 C	5.1 V	48.7 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡6 006,17 911En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMCQ120R040M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMCQ120R040M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	911En existencias	Cinta cortada ₡6 006,17 ₡3 362,21 ₡3 237,29 ₡3 023,90 Envase tipo carrete ₡3 023,90	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	56 A	104 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	42.4 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡5 043,31 316En existencias 750Se espera el 12/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMCQ120R053M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMCQ120R053M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	316En existencias 750Se espera el 12/11/2026	Cinta cortada ₡5 043,31 ₡2 774,08 ₡2 576,30 ₡2 404,55 Envase tipo carrete ₡2 404,55	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	43 A	138 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	32.8 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡4 429,16 2 169En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMCQ120R078M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMCQ120R078M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	2 169En existencias	Cinta cortada ₡4 429,16 ₡2 404,55 ₡2 206,77 ₡2 159,93 Envase tipo carrete ₡2 024,61	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	31 A	205 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	23.2 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡9 904,46 267En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R022M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R022M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	267En existencias	₡9 904,46 ₡7 546,75 ₡6 287,22 ₡5 600,21 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	80 A	29 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡6 474,59 237En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R040M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R040M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	237En existencias	₡6 474,59 ₡4 684,19 ₡3 903,49 ₡3 471,50 ₡3 247,70	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	48 A	51 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	CoolSiC