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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 586

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF460BG
Microchip Technology
1: ₡29 218,93
63En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF460BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF460BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

63En existencias

₡29 218,93

₡28 266,48

₡25 200,93

₡20 251,31

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

14 A

500 V

65 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet

MRF140
MACOM
1: ₡132 052,48
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF140

N.º de artículo de Mouser
937-MRF140

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet

Hoja de datos

22En existencias

₡132 052,48

₡111 509,71

₡106 721,43

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

150 MHz

15 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

MRF174
MACOM
1: ₡79 532,32
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF174

N.º de artículo de Mouser
937-MRF174

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

Hoja de datos

67En existencias

₡79 532,32

₡65 136,24

₡64 256,66

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

13 A

65 V

200 MHz

9 dB

125 W

- 65 C

+ 200 C

Screw Mount

211-07

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: ₡11 543,92
573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

Hoja de datos

573En existencias

Cinta cortada

₡11 543,92

₡8 665,75

₡8 238,97

Envase tipo carrete

₡7 499,91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

FH2164
MACOM
1: ₡89 363,91
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FH2164

N.º de artículo de Mouser
937-FH2164

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

Hoja de datos

17En existencias

₡89 363,91

₡74 832,52

₡73 416,85

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

30 MHz to 90 MHz

13 dB

8 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

MRF134
MACOM
1: ₡51 770,69
5En existencias
360En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF134

N.º de artículo de Mouser
937-MRF134

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

360En pedido

₡51 770,69

₡43 063,31

₡42 282,61

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

900 mA

65 V

400 MHz

11 dB

5 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264

ARF468AG
Microchip Technology
1: ₡34 090,48
28En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF468AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF468AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264

Hoja de datos

28En existencias

₡34 090,48

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH8F71
CML Micro
1: ₡71 236,10
6En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH8F71

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F71

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

6En existencias

Cinta cortada

₡71 236,10

Envase tipo carrete

₡71 236,10

Min.: 1
Mult.: 1

: 10

N-Channel

GaAs

18 GHz

12 dB

30 dBm

SMD/SMT

Die

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz

DU2820S
MACOM
1: ₡62 180,00
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2820S

N.º de artículo de Mouser
937-DU2820S

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

19En existencias

₡62 180,00

₡51 984,08

₡50 443,51

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

24 A

65 V

175 MHz

13 dB

20 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

MWT-LN600
CML Micro
10: ₡16 826,65
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-LN600

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN600

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

₡16 826,65

₡16 457,12

₡15 723,26

₡15 608,76

Presupuesto

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

175 mA

4.5 V

26 GHz

8 dB, 11 dB

20 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

ARF465AG
Microchip Technology
1: ₡32 164,76
273En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF465AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF465AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

273En existencias

₡32 164,76

₡27 038,18

₡26 814,38

₡26 512,51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6 A

1.2 kV

60 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

MWT-PH9F
CML Micro
10: ₡49 246,44
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH9F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH9F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

₡49 246,44

₡49 204,80

₡44 317,63

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

180 mA to 220 mA

7.5 V

26 GHz

13 dB

28 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

ARF1510
Microchip Technology
1: ₡178 436,36
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1510

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1510

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

4En existencias

₡178 436,36

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8 A

1 kV

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz

DU2860U
MACOM
1: ₡94 594,59
16En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2860U

N.º de artículo de Mouser
937-DU2860U

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

16En existencias

₡94 594,59

₡80 458,75

₡79 828,98

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

12 A

65 V

175 MHz

13 dB

60 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
1: ₡3 336,18
420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SK4037(TE12L,Q)

N.º de artículo de Mouser
757-2SK4037TE12LQ

Toshiba

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

Hoja de datos

420En existencias

Cinta cortada

₡3 336,18

₡2 185,95

₡1 613,44

₡1 431,28

Envase tipo carrete

₡1 259,53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

3 A

12 V

470 MHz

11.5 dB

36.5 dBm

+ 150 C

SMD/SMT

PW-X-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

MWT-PH15F
CML Micro
10: ₡75 113,57
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH15F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH15F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

₡75 113,57

₡75 045,91

Presupuesto

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

150 mA to 190 mA

7.5 V

28 GHz

12 dB

28 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH27F71
CML Micro
1: ₡29 166,88
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH27F71

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

₡29 166,88

Envase tipo carrete

₡29 166,88

₡25 247,78

Min.: 1
Mult.: 1

: 10

N-Channel

GaAs

26 GHz

16 dB

25 dBm

SMD/SMT

Die

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

ARF465BG
Microchip Technology
1: ₡32 175,17
21En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF465BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF465BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

21En existencias

₡32 175,17

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6 A

1.2 kV

60 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz

DU2810S
MACOM
1: ₡59 478,79
11En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2810S

N.º de artículo de Mouser
937-DU2810S

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

11En existencias

₡59 478,79

₡49 725,26

₡48 252,35

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.8 A

65 V

175 MHz

13 dB

10 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: ₡91 518,64
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

110En existencias

Cinta cortada

₡91 518,64

₡73 021,30

Envase tipo carrete

₡73 021,30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 120

N-Channel

2.5 A

110 V

1 Ohms

1 GHz

19 dB

400 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

BLF981SU
Ampleon
1: ₡71 855,45
55En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981SU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

55En existencias

₡71 855,45

₡60 400,01

₡56 080,15

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

24 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT-467B-2

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

BLF981U
Ampleon
1: ₡70 169,15
19En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981U

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

19En existencias

₡70 169,15

₡59 208,14

₡54 919,51

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

24 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT-467C-2

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

BLP981XY
Ampleon
1: ₡33 429,49
39En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP981XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

Obtenga más información

Hoja de datos

39En existencias

Cinta cortada

₡33 429,49

₡27 631,51

₡26 184,61

Envase tipo carrete

₡25 586,08

₡24 748,13

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

23.8 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY

ART1K9FHU
Ampleon
1: ₡129 772,84
97En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART1K9FHU

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K9FHU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY

Hoja de datos

97En existencias

₡129 772,84

₡112 826,49

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

55 V

69 mOhms

1 MHz to 500 MHz

24.6 dB

1.9 kW

+ 225 C

Screw Mount

SOT539A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL

ART2K0TFEGJ
Ampleon
1: ₡158 143,41
78En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART2K0TFEGJ

N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0TFEGJ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL

Hoja de datos

78En existencias

Cinta cortada

₡158 143,41

₡136 247,43

₡130 782,55

Envase tipo carrete

₡129 887,35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

107 mOhms

29 dB

+ 225 C

SMD/SMT

ACC-1230-6G-2-7

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
64 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
150 mA to 190 mA
160 mA to 200 mA
175 mA
180 mA to 220 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
54.7 mOhms, 111 mOhms
57.4 mOhms, 111 mOhms
57.5 mOhms
58.4 mOhms, 111 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
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65 mOhms, 111 Ohms
65 mOhms, 111 mOhms
65.26 mOhms, 126.67 mOhms
65.3 mOhms, 111 mOhms
69 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 400 MHz
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1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
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1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
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10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

6.4 dB
8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB

200 mW
2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm
20.3 dBm
20.7 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
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A2-3
ACC-1230-6F-2-7
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B2-3
B4E-5
DFN-16