Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL 828En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 3.1 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL 1 275En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM 67 590En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 69 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 26 nC - 55 C + 150 C 30.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 8 802En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET 6 023En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 1 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION 3 416En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT Power88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 533 A 480 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 187 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 25 404En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 24 A 22.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH 17 699En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 250
: 3 000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 553.8 A 400 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 341 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 9 957En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 22.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL 1 870En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 68 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21.3 nC - 55 C + 175 C 57.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG 6 822En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 5 560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF 163En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 3 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 27 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 13 430En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO 4 440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 60 V 422 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 143 nC - 55 C + 175 C 284 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 10 243En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION 2 953En existencias
3 000Se espera el 21/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 398.2 A 810 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 165 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH 1 581En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 420 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 140 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel 4 007En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 1 684En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 155 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 9 254En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 2 515En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si LFPAK-4 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 5 417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 103 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA 1 405En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 30 V 409 A 650 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 147 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel