Automotive Brushless DC (BLDC) Motor Applications

Diodes Incorporated Automotive Brushless DC (BLDC) Motors offer improved performance, longer lifetime, reduced noise, and greater ease of use when compared to equivalent mechanical solutions. MOSFETs within the BLDC Motor Systems are typically configured in a three-phase bridge arrangement to drive the DC motor. The MOSFETs must be capable of handling start-up and stalled motor currents of up to six times the continuous current rating of the motor. The Diodes Incorporated BLDC Motors are extensively used in automotive applications such as fuel pumps, water pumps, and Anti-Lock Braking Systems (ABS), and provide additional torque for power steering systems.

Tipos de Semiconductores

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Resultados: 88
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 40Vrrm 1A SBR 0.425Vf 50uA 7 981En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 690
: 3 000


Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch 6 891En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA 17 308En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS 18 354En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 480
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 20A TrechSBR 50Vrrm 20A 0.5Vf 0.5mA 17 780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2 500
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier 29 895En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 440
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 91 809En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 840
: 2 500


Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch 9 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A 35 734En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 310
: 5 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 5.0A Schottky Rec 40V 0.55V 0.5A 8 469En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400
: 3 000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier 49 617En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 730
: 3 000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf 22 038En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 290
: 3 000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schottky Rec 40vF 0.50V 0.1mA 11 788En existencias
9 000Se espera el 9/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 660
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 138 062En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW 21 836En existencias
15 000Se espera el 5/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 720
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A 9 366En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V 49 036En existencias
51 000Se espera el 23/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 930
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A 3 025En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140
: 2 500

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 200V SBR 10A 180Ifsm 0.88Vf 100uA 7 570En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 170
: 5 000
Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch 1 768En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa HV Hall Effect Latch 3 to 28V 8kV 3mA 980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A 2 218En existencias
303 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4 060
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family 5 293En existencias
6 000Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 150
: 3 000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch 197En existencias
36 000Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch 100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1