Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
STMicroelectronics
1:
₡3 679,69
374 En existencias
600 Se espera el 8/9/2026
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N.º de artículo de Mouser 511-STWA60N028T
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
374 En existencias
600 Se espera el 8/9/2026
1
₡3 679,69
10
₡2 461,80
100
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600
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
84 A
28 mOhms
30 V
4.2 V
164 nC
- 55 C
+ 150 C
481 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
STL57N65M5
STMicroelectronics
1:
₡6 448,57
2 439 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL57N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
2 439 En existencias
1
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10
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100
₡3 726,53
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3 000
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Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
1 Channel
650 V
22.5 A
61 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
96 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
₡791,11
41 533 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41 533 En existencias
1
₡791,11
10
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100
₡331,54
500
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3 000
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6 000
Ver
1 000
₡236,29
6 000
₡179,56
9 000
₡175,92
24 000
₡172,79
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Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
2 Channel
60 V
33 A
23 mOhms, 23 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
8 nC
- 55 C
+ 175 C
58 W
Enhancement
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
₡2 399,35
2 383 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2 383 En existencias
1
₡2 399,35
10
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100
₡1 119,00
500
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2 500
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5 000
₡775,49
10 000
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
12 A
340 mOhms
- 10 V, 10 V
3 V
17.8 nC
- 55 C
+ 150 C
92 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
₡10 617,49
173 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
173 En existencias
1
₡10 617,49
10
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₡5 532,55
200
₡5 532,55
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₡5 527,34
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Detalles
Si
N-Channel
650 V
64 A
35 mOhms
AQG 324
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1:
₡9 691,07
489 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW65N023M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
489 En existencias
1
₡9 691,07
10
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120
₡5 345,18
510
₡4 944,42
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Detalles
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
95 A
23 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
230 nC
- 55 C
+ 150 C
463 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1:
₡5 449,27
580 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW65N045M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
580 En existencias
1
₡5 449,27
10
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₡3 055,13
510
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1 020
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Detalles
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
54 A
45 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
312 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
1:
₡1 556,19
16 971 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
16 971 En existencias
1
₡1 556,19
10
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100
₡697,42
500
₡562,10
3 000
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6 000
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1 000
₡530,87
6 000
₡446,56
9 000
₡443,44
24 000
Presupuesto
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Carrete :3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
60 V
130 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
1:
₡796,31
38 160 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL8N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
38 160 En existencias
1
₡796,31
10
₡487,16
100
₡332,58
500
₡260,23
1 000
₡248,78
3 000
₡248,78
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Carrete :3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
1 Channel
100 V
35 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FD
STMicroelectronics
1:
₡3 648,46
4 499 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FD
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
4 499 En existencias
1
₡3 648,46
10
₡2 467,01
100
₡2 269,23
500
₡2 035,02
1 000
₡1 925,72
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20 A
290 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
54 nC
- 65 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
FDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
₡1 774,79
2 383 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
2 383 En existencias
1
₡1 774,79
10
₡1 150,23
100
₡796,31
500
₡666,20
1 000
₡629,76
2 500
₡577,72
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
440 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
14.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
STL7LN80K5
STMicroelectronics
1:
₡1 535,37
2 355 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL7LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
2 355 En existencias
1
₡1 535,37
10
₡994,09
100
₡681,81
500
₡551,69
1 000
₡515,78
3 000
₡472,06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
800 V
5 A
1.15 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
STB31N65M5
STMicroelectronics
1:
₡3 075,95
840 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB31N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
840 En existencias
1
₡3 075,95
10
₡2 014,20
100
₡1 504,15
500
₡1 259,53
1 000
₡1 124,21
2 000
₡1 103,39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
22 A
148 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
STB11NK40ZT4
STMicroelectronics
1:
₡1 774,79
1 888 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB11NK40Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
1 888 En existencias
1
₡1 774,79
10
₡1 072,16
100
₡780,70
500
₡650,58
1 000
₡593,33
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
400 V
9 A
550 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
STB11NK50ZT4
STMicroelectronics
1:
₡2 133,91
1 206 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB11NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
1 206 En existencias
1
₡2 133,91
10
₡1 509,35
100
₡1 087,77
500
₡952,45
1 000
₡869,18
2 000
₡858,77
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
10 A
480 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
49 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
STB28NM50N
STMicroelectronics
1:
₡4 351,09
922 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB28NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
922 En existencias
1
₡4 351,09
10
₡2 956,24
100
₡2 165,14
500
₡2 118,29
1 000
₡1 727,95
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
21 A
158 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
STB33N60DM2
STMicroelectronics
1:
₡3 101,97
848 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB33N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
848 En existencias
1
₡3 101,97
10
₡2 071,45
100
₡1 488,53
500
₡1 353,21
1 000
₡1 259,53
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
130 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB35N60DM2
STMicroelectronics
1:
₡3 440,28
565 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB35N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
565 En existencias
1
₡3 440,28
10
₡2 024,61
100
₡1 655,08
500
₡1 519,76
1 000
₡1 264,73
2 000
₡1 223,09
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
28 A
110 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
54 nC
- 55 C
+ 150 C
210 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
STD130N6F7
STMicroelectronics
1:
₡1 051,34
3 885 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
3 885 En existencias
1
₡1 051,34
10
₡671,40
100
₡450,72
500
₡357,04
2 500
₡280,01
5 000
Ver
1 000
₡326,85
5 000
₡263,36
10 000
₡251,91
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
134 W
Enhancement
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
STD6N80K5
STMicroelectronics
1:
₡1 467,71
2 500 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD6N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
2 500 En existencias
1
₡1 467,71
10
₡942,04
100
₡645,38
500
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
4.5 A
1.6 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
7.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
STD80N4F6
STMicroelectronics
1:
₡1 400,05
2 946 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N4F6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
2 946 En existencias
1
₡1 400,05
10
₡900,41
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₡619,35
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₡493,92
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₡457,49
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
36 nC
- 55 C
+ 175 C
70 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
STF100N10F7
STMicroelectronics
1:
₡1 457,30
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N.º de artículo de Mouser 511-STF100N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
1 912 En existencias
1
₡1 457,30
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₡645,38
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
45 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
30 W
Enhancement
STripFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STF13N60M2
STMicroelectronics
1:
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N.º de artículo de Mouser 511-STF13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
2 951 En existencias
1
₡1 321,98
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Ver
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
380 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF20N90K5
STMicroelectronics
1:
₡4 137,70
726 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF20N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
726 En existencias
1
₡4 137,70
10
₡2 232,80
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₡1 727,95
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1 000
₡1 618,65
2 000
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Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
900 V
20 A
210 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
STF24NM60N
STMicroelectronics
1:
₡2 560,69
2 083 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF24NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
2 083 En existencias
1
₡2 560,69
10
₡1 321,98
100
₡1 202,28
500
₡988,88
1 000
₡973,27
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
17 A
190 mOhms
- 30 V, 30 V
2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Costa Rica