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SCT070H120G3-7

Name: STMicroelectronics SCT070H120G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070H120G3-7
Price: 2935 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SCT070H120G3-7

Fabricante N.º:

SCT070H120G3-7

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	87 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	37 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	223 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.9 ns
Empaquetado:	Reel
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	26.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	17.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18.7 ns