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STD3N65M6

Name: STMicroelectronics STD3N65M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD3N65M6
Price: 969 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STD3N65M6

Fabricante N.º:

STD3N65M6

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

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STD3N65M6 Hoja de datos (PDF)

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	₡969	₡969
	₡615	₡6 150
	₡409	₡40 900
	₡335	₡167 500
	₡305	₡305 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡258	₡645 000
	₡248	₡1 240 000
	₡242	₡6 050 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M6
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET M6 MDmesh™

Los MOSFET M6 MDmesh™ de STMicroelectronics combinan una carga de puerta baja (Q_g) con un perfil de capacitancia optimizado para enfocar una alta eficiencia en nuevas topologías en aplicaciones de conversión de potencia. La serie M6 MDmesh con estructura de "súper unión" ofrece un rendimiento de eficiencia extremadamente alta, lo que permite una mayor densidad y una carga de puerta baja para altas frecuencias. Los MOSFET serie M6 tienen un voltaje de ruptura que oscila entre 600 y 700 V. Están disponibles en una amplia gama de opciones de empaque, como una solución de empaque TO sin plomo (TO-LL) que permite una gestión térmica eficiente. Los dispositivos incluyen un amplio rango de voltajes de funcionamiento para aplicaciones industriales como cargadores, adaptadores, módulos de caja de plata, iluminación LED, telecomunicaciones, servidores y energía solar.