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STWA65N60DM6

Name: STMicroelectronics STWA65N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA65N60DM6
Price: 4176 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STWA65N60DM6

Fabricante N.º:

STWA65N60DM6

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡4 176,00	₡4 176,00
	₡3 085,60	₡30 856,00
	₡2 494,00	₡249 400,00
	₡2 163,40	₡1 298 040,00
	₡1 896,60	₡2 275 920,00
10 200	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	71 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.25 V
Qg - Carga de puerta:	54 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	DM6
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Q_g), very low recovery charge (Q_rr), low recovery time (t_rr), and an excellent R_DS(on) per area.