Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
FF1400R23T2E7PB5BPSA1
Infineon Technologies
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Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
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Tarjetas de memoria Industrial Compact Flash Card, C-500, 8 GB, SLC Flash, 0C to +70C
SFCF008GH1AF2TO-C-MS-537-STD
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
AHV85043K18ESTR
Allegro MicroSystems
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
SNXH800H120L7QDSG
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Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
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Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA020V120E5
APC-E
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Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
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Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA030V120E5
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Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA040V120E5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
C4D40120D
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Módulos IGBT ELECTRONIC COMPONENT
FF300R12KS4
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Módulos IGBT ELECTRONIC COMPONENT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
CSD87330Q3D
Texas Instruments
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
+2 imágenes
ZXMS6005DN8Q-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Controladores de puerta con aislamiento óptico Isolated Dual-Input Control Independent Dual-Channel Gate Driver
MP18851-A4BGY-P
Monolithic Power Systems (MPS)
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946-MP18851A4BGYP
Monolithic Power Systems (MPS)
Controladores de puerta con aislamiento óptico Isolated Dual-Input Control Independent Dual-Channel Gate Driver
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25
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100
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₡1 274
1 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
+2 imágenes
BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
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NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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10
₡409
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₡269
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₡209
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Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
CM450DX-24T#110G
Mitsubishi Electric
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917-CM450DX-24T
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
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Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
CM600DX-24T#110G
Mitsubishi Electric
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N.º de artículo de Mouser
917-CM600DX-24T
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
60 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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1
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10
₡486
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₡323
500
₡252
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₡230
3 000
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
BC847BVN-7
Diodes Incorporated
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621-BC847BVN-7
Diodes Incorporated
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
147 651 En existencias
1
₡309
10
₡191
100
₡123
500
₡92,2
1 000
₡82,4
3 000
₡64,5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
268 799 En existencias
1
₡260
10
₡161
100
₡102
500
₡76,4
1 000
₡68,3
3 000
₡53,7
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
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755-SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
1 258 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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45 451 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
45 451 En existencias
1
₡1 827
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₡1 193
100
₡829
500
₡716
2 000
₡678
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
FDMS3669S
onsemi
1:
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42 680 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS3669S
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
42 680 En existencias
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₡1 404
10
₡905
100
₡623
500
₡498
1 000
₡464
3 000
₡464
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
BAV199T-7-F
Diodes Incorporated
1:
₡114
338 202 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-BAV199T-F
Diodes Incorporated
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
338 202 En existencias
1
₡114
10
₡78,1
100
₡47,7
500
₡38,5
1 000
₡35,2
3 000
₡24,4
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
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