MOSFETs de SiC – Mouser Costa Rica

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡10 078,33
198En existencias
Nuevo producto

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IMY120R018CM2HXKSA1

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726-IMY120R018CM2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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198En existencias

₡10 078,33

₡8 202,54

₡6 836,35

₡5 985,20

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡6 841,77
235En existencias
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IMY120R036AM2HXKSA1

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726-IMY120R036AM2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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235En existencias

₡6 841,77

₡5 350,90

₡4 461,79

₡3 903,39

₡3 713,64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡6 673,71
225En existencias
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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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225En existencias

₡6 673,71

₡5 220,78

₡4 353,36

₡3 811,23

₡3 621,48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡14 437,12
140En existencias
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IMZA120R012M2HXKSA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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₡14 437,12

₡9 248,86

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡10 896,96
152En existencias
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₡10 896,96

₡6 814,67

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡8 099,53
185En existencias
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₡8 099,53

₡4 933,45

₡4 413,00

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡22 325,22
302En existencias
480Se espera el 18/6/2026
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302En existencias

480Se espera el 18/6/2026

₡22 325,22

₡19 045,29

₡16 659,88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡9 346,45
111En existencias
240Se espera el 11/6/2026
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IMZA120R022M2HXKSA1

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111En existencias

240Se espera el 11/6/2026

₡9 346,45

₡5 762,92

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡6 798,40
138En existencias
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IMZA120R034M2HXKSA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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₡6 798,40

₡4 082,29

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡6 473,12
137En existencias
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IMZA120R040M2HXKSA1

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726-IMZA120R040M2HXK

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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₡6 473,12

₡3 865,44

₡3 296,20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ₡23 100,47
621En existencias
Nuevo producto

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IMSQ120R012M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R012M2HHX

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Cinta cortada

₡23 100,47

₡18 226,66

₡17 017,69

Envase tipo carrete

₡17 017,69

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡9 346,45
1 705En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R022M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R022M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

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Hoja de datos

1 705En existencias

₡9 346,45

₡5 762,92

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡17 023,11
1 730En pedido
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IMCQ120R010M2HXTMA1

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726-IMCQ120R010M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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1 730En pedido

Cinta cortada

₡17 023,11

₡13 125,15

₡11 905,34

₡10 777,69

Envase tipo carrete

₡10 777,69

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡7 654,98
1 855En existencias
Nuevo producto

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IMCQ120R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R026M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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1 855En existencias

Cinta cortada

₡7 654,98

₡5 432,22

₡4 467,21

₡4 380,47

Envase tipo carrete

₡4 174,46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡6 180,37
574En existencias
Nuevo producto

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IMCQ120R034M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R034M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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574En existencias

Cinta cortada

₡6 180,37

₡4 342,52

₡3 507,63

₡3 274,51

Envase tipo carrete

₡3 274,51

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡6 109,89
270En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R040M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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270En existencias

Cinta cortada

₡6 109,89

₡4 223,25

₡3 274,51

₡3 057,65

Envase tipo carrete

₡3 057,65

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 101,51
377En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R053M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R053M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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377En existencias

Cinta cortada

₡5 101,51

₡3 372,09

₡2 602,26

₡2 428,78

Envase tipo carrete

₡2 428,78

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 499,74
919En existencias
Nuevo producto

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IMCQ120R078M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R078M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Hoja de datos

919En existencias

Cinta cortada

₡4 499,74

₡3 057,65

₡2 239,03

₡2 043,86

Envase tipo carrete

₡2 043,86

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ₡12 740,23
712En existencias
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IMSQ120R026M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R026M2HHX

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Cinta cortada

₡12 740,23

₡9 335,61

₡8 625,41

₡8 056,16

Envase tipo carrete

₡8 056,16

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ₡10 062,07
672En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMSQ120R040M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R040M2HHX

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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672En existencias

Cinta cortada

₡10 062,07

₡7 237,53

₡6 380,96

₡5 979,78

Envase tipo carrete

₡5 979,78

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ₡8 592,88
331En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMSQ120R053M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R053M2HHX

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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331En existencias

Cinta cortada

₡8 592,88

₡6 109,89

₡5 161,15

₡4 819,60

Envase tipo carrete

₡4 819,60

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡14 437,12
296En existencias
480Se espera el 18/6/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R012M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R012M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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296En existencias

480Se espera el 18/6/2026

₡14 437,12

₡9 248,86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡10 896,96
654En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R017M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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₡6 814,67

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Máx.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
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IMZC120R026M2HXKSA1

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726-IMZC120R026M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
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827En existencias
240Se espera el 11/6/2026
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IMZC120R034M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R034M2HXK

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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240Se espera el 11/6/2026

₡6 689,98

₡4 082,29

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 70

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W