CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage VGS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

Resultados: 45
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
Hoja de datos
486En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
3 408En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
Hoja de datos
6En existencias
750En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
278En existencias
2 000Se espera el 25/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
391En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1 690En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
427En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1 211En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
695En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
833En existencias
1 000Se espera el 26/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
6 850En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
1 280Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 403 A 10.4 mOhms - 10 V, 25 V 5.1 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
742Se espera el 11/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 342 A 13.6 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 261 nC - 55 C + 175 C 1.364 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
Hoja de datos
1 731En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1 968Se espera el 11/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
Hoja de datos
750Se espera el 11/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
480Se espera el 11/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 69 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
Hoja de datos
1 042En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
240En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 103 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC