MOSFETs de SiC – Mouser Costa Rica

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡7 130,38
635En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R045M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R045M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

635En existencias

Cinta cortada

₡7 130,38

₡4 845,53

₡4 241,79

₡3 976,36

Envase tipo carrete

₡3 497,53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 414,25
368En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R140M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Hoja de datos

368En existencias

₡3 414,25

₡2 571,10

₡2 211,98

₡1 889,29

₡1 795,61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 642,55
323En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R060M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R060M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

323En existencias

Cinta cortada

₡4 642,55

₡3 544,37

₡2 774,08

Envase tipo carrete

₡2 258,82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 600,21
432En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

432En existencias

₡5 600,21

₡3 315,36

₡2 794,90

₡2 409,75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 133,20
437En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

Fin de vida útil

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos

437En existencias

₡3 133,20

₡2 050,63

₡2 045,43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 241,79
859En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R090M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R090M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

859En existencias

Cinta cortada

₡4 241,79

₡2 992,68

₡2 238,00

₡2 227,59

Envase tipo carrete

₡2 061,04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

125 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 872,26
3 860En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R140M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R140M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

3 860En existencias

Cinta cortada

₡3 872,26

₡2 529,46

₡1 904,90

Envase tipo carrete

₡1 717,54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 304,25
434En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA

NRND

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

434En existencias

₡4 304,25

₡2 675,19

₡2 253,62

₡2 128,70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡8 181,72
1 469En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

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Hoja de datos

1 469En existencias

₡8 181,72

₡5 074,54

₡4 652,96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 779,29
5 640En existencias
4 000Se espera el 7/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R1K0M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Hoja de datos

5 640En existencias

4 000Se espera el 7/10/2026

Cinta cortada

₡2 779,29

₡1 847,65

₡1 316,78

₡1 165,84

Envase tipo carrete

₡1 087,77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡8 259,79
516En existencias
1 000Se espera el 27/8/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R030M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R030M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

516En existencias

1 000Se espera el 27/8/2026

Cinta cortada

₡8 259,79

₡5 818,80

₡4 965,24

Envase tipo carrete

₡4 632,14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

41 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 367,41
2 512En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R220M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R220M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

2 512En existencias

Cinta cortada

₡3 367,41

₡2 196,36

₡1 629,06

₡1 524,96

Envase tipo carrete

₡1 426,08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

294 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 174,84
1 196En existencias
1 000Se espera el 28/1/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R350M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R350M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

1 196En existencias

1 000Se espera el 28/1/2027

Cinta cortada

₡3 174,84

₡2 081,86

₡1 535,37

₡1 363,62

Envase tipo carrete

₡1 207,48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 725,83
697En existencias
720Se espera el 20/5/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R090M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R090M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

697En existencias

720Se espera el 20/5/2027

₡4 725,83

₡2 758,47

₡2 326,48

₡2 232,80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 830,63
250En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R140M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

250En existencias

₡3 830,63

₡2 430,57

₡2 040,22

₡1 889,29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 778,58
1 518En existencias
3 120En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R220M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

1 518En existencias

3 120En pedido

₡3 778,58

₡2 264,02

₡1 884,08

₡1 707,13

₡1 597,83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

289 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 310,16
597En existencias
240Se espera el 4/2/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R350M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

597En existencias

240Se espera el 4/2/2027

₡3 310,16

₡1 878,88

₡1 566,60

₡1 389,64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 320,57
297En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R350M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

Hoja de datos

297En existencias

₡3 320,57

₡2 035,02

₡1 727,95

₡1 566,60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

350 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 835,83
46En existencias
11 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R450M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R450M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Hoja de datos

46En existencias

11 000En pedido

Cinta cortada

₡3 835,83

₡2 576,30

₡2 087,07

₡1 852,86

Envase tipo carrete

₡1 639,47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 185,25
57En existencias
2 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R650M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R650M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Hoja de datos

57En existencias

2 000En pedido

Cinta cortada

₡3 185,25

₡2 133,91

₡1 530,17

₡1 400,05

Envase tipo carrete

₡1 306,37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

7.4 A

650 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡8 894,75
480Se espera el 10/9/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R030M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

480Se espera el 10/9/2026

₡8 894,75

₡5 954,12

₡5 069,33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

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227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
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TO-247-3

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189 W

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CoolSiC

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960Se espera el 27/8/2026
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1.2 kV

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78 mOhms

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150 W

Enhancement

CoolSiC

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IMZ120R220M1HXKSA1
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IMZ120R220M1HXKSA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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TO-247-4

N-Channel

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13 A

220 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

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+ 150 C

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CoolSiC

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IMZA65R048M1HXKSA1
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