MOSFETs de SiC – Mouser Costa Rica

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 30

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡6 624
651En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R045M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R045M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

651En existencias

Cinta cortada

₡6 624

₡5 034

₡4 356

₡4 002

Envase tipo carrete

₡3 416

₡3 358

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 405
1 148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R090M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R090M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

1 148En existencias

Cinta cortada

₡3 405

₡2 604

₡2 256

₡2 221

Envase tipo carrete

₡1 949

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

125 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 272
345En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R060M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R060M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

345En existencias

Cinta cortada

₡5 272

₡3 637

₡2 917

₡2 912

Envase tipo carrete

₡2 378

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 732
444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

444En existencias

₡2 732

₡1 966

₡1 740

₡1 549

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 755
1 121En existencias
4 000Se espera el 21/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R1K0M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1 121En existencias

4 000Se espera el 21/5/2026

Cinta cortada

₡2 755

₡1 821

₡1 369

₡1 241

Envase tipo carrete

₡1 021

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 381
1 882En existencias
1 250Se espera el 19/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R450M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R450M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1 882En existencias

1 250Se espera el 19/3/2026

Cinta cortada

₡3 381

₡2 523

₡1 839

Envase tipo carrete

₡1 543

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡8 207
179En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R030M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R030M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

179En existencias

Cinta cortada

₡8 207

₡5 765

₡5 139

Envase tipo carrete

₡4 193

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

41 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 950
594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R140M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R140M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

594En existencias

Cinta cortada

₡3 950

₡2 888

₡2 337

₡2 076

Envase tipo carrete

₡1 781

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 970
850En existencias
1 000Se espera el 26/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R350M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R350M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

850En existencias

1 000Se espera el 26/2/2026

Cinta cortada

₡2 970

₡1 972

₡1 566

₡1 392

Envase tipo carrete

₡1 189

₡1 119

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡6 780
176En existencias
240Se espera el 26/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R030M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Obtenga más información

Hoja de datos

176En existencias

240Se espera el 26/2/2026

₡6 780

₡4 884

₡4 396

₡4 391

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 280
1 180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R090M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R090M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1 180En existencias

₡4 280

₡2 674

₡2 256

₡2 250

₡2 042

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 115
1 004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R220M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1 004En existencias

₡3 115

₡1 984

₡1 653

₡1 456

₡1 415

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

289 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡8 596
872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R030M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

872En existencias

₡8 596

₡5 759

₡5 145

₡5 139

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡7 673
222En existencias
720Se espera el 30/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

222En existencias

720Se espera el 30/7/2026

₡7 673

₡4 657

₡4 089

₡3 898

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 791
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

332En existencias

₡4 791

₡3 039

₡2 604

₡2 459

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡7 383
153En existencias
240Se espera el 23/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

153En existencias

240Se espera el 23/2/2026

₡7 383

₡4 472

₡3 834

₡3 805

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 329
57En existencias
1 000Se espera el 16/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R220M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R220M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

57En existencias

1 000Se espera el 16/2/2026

Cinta cortada

₡3 329

₡2 268

₡1 746

₡1 618

Envase tipo carrete

₡1 357

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

294 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 382
255En existencias
240Se espera el 13/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R060M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Obtenga más información

Hoja de datos

255En existencias

240Se espera el 13/8/2026

₡5 382

₡3 173

₡2 691

₡2 517

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 979
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R140M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Obtenga más información

Hoja de datos

422En existencias

₡3 979

₡2 291

₡1 914

₡1 682

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 109
68En existencias
240Se espera el 16/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R350M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Obtenga más información

Hoja de datos

68En existencias

240Se espera el 16/2/2026

₡3 109

₡1 897

₡1 583

₡1 305

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 182
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

300En existencias

₡4 182

₡2 192

₡1 989

₡1 984

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 352
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R107M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

251En existencias

₡3 352

₡1 949

₡1 757

₡1 566

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 638
78En existencias
960Se espera el 7/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R060M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

78En existencias

960Se espera el 7/5/2026

₡5 638

₡3 764

₡3 463

₡2 848

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 449
159En existencias
240Se espera el 12/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R140M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

159En existencias

240Se espera el 12/2/2026

₡4 449

₡3 138

₡2 616

₡2 332

₡2 076

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 729
80En existencias
480Se espera el 5/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R220M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

80En existencias

480Se espera el 5/8/2026

₡3 729

₡2 163

₡1 810

₡1 572

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

220 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

34 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms