Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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₡607,19

Envase tipo carrete

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Reel, Cut Tape

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Envase tipo carrete

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Enhancement

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Reel, Cut Tape

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Envase tipo carrete

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Reel, Cut Tape

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Tube

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Tube

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600 V

50 A

40 mOhms

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107 nC

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227 W

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₡3 664,85

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VSON-4

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1 Channel

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122 W

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IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 559,38
915En existencias

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₡4 559,38

₡3 648,58

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600 V

35 A

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Enhancement

CoolMOS

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1: ₡1 951,69
158En existencias
500Se espera el 28/7/2026

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500Se espera el 28/7/2026

₡1 951,69

₡986,69

₡927,05

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Min.: 1
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600 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R099C7XKSA1
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1: ₡4 011,82
165En existencias

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IPW60R099C7XKSA1

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165En existencias

₡4 011,82

₡2 629,37

₡1 935,43

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Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

85 mOhms

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3 V

42 nC

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110 W

Enhancement

CoolMOS

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IPW60R180C7XKSA1
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1: ₡2 510,10
197En existencias

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IPW60R180C7XKSA1

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₡2 510,10

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13 A

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3 V

24 nC

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+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPZ60R099C7XKSA1
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1: ₡3 849,18
25En existencias

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IPZ60R099C7XKSA1

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726-IPZ60R099C7XKSA1

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₡3 849,18

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22 A

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3 V

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110 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R060C7XKSA1
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1: ₡4 120,24
204En existencias

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IPA60R060C7XKSA1

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726-IPA60R060C7XKSA1

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204En existencias

₡4 120,24

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1 Channel

650 V

16 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

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68 nC

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34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 520,94
583En existencias

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IPP60R120C7XKSA1

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726-IPP60R120C7XKSA1

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₡2 520,94

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N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 951,69
362En existencias
500Se espera el 23/7/2026

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IPP60R180C7XKSA1

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500Se espera el 23/7/2026

₡1 951,69

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₡932,48

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₡677,67

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

155 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R120C7XKSA1
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223En existencias

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IPW60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡6 538,18
240Se espera el 18/2/2027

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726-IPZ60R040C7XKSA1

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₡3 551,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

107 nC

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+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 764,90
2 000Se espera el 27/8/2026

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2 000Se espera el 27/8/2026

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

120 mOhms

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3 V

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