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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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27 782En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 155 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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1 764En existencias
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Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 346 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
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121 750En existencias
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Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 81 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
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3 069En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 255 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
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6 594En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 41 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 37A
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8 807En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 110 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
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5 116En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 47 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
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8 050En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8
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19 236En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 36 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 105 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V
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2 803En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement, Logic Level 60V, D2PAK-3
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932En existencias
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Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 60 V 26 A 42 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 24 nC - 65 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
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3 865En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 13 Ohms - 20 V, 20 V 3.8 V 40 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
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7 260En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
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6 006En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 40 V 10 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 26 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
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4 925En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 60 V 6 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 24 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4 667En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 60 V 6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
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5 000En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
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3 901En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 87 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
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4 924En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4 196En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4 740En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 24 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 118 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench
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5 972En existencias
4 800Se espera el 28/7/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 124 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
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1 778En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
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4 937En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 80 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
Hoja de datos
4 709En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 124 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement PowerTrench Tube