650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Resultados: 29
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
3 250En existencias
Cinta cortada
₡14 286,78
₡11 111,94
₡10 601,88
₡10 518,61
Envase tipo carrete
₡10 518,61
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
23En existencias
4 950En pedido
₡6 485,00
₡4 194,95
₡3 325,77
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
449En existencias
₡10 882,93
₡7 135,58
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
766En existencias
₡5 667,87
₡3 242,50
₡3 013,49
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
1 282En existencias
Cinta cortada
₡12 189,30
₡9 102,94
₡7 869,44
₡7 057,51
Envase tipo carrete
₡7 057,51
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
438En existencias
₡7 114,76
₡4 351,09
₡4 106,47
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
497En existencias
₡5 277,52
₡3 502,73
₡3 299,75
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
312En existencias
Cinta cortada
₡6 386,11
₡3 596,42
₡3 507,94
₡3 320,57
Envase tipo carrete
₡3 320,57
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
1 046En existencias
₡9 961,71
₡7 047,10
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
1 589En existencias
₡6 297,63
₡4 361,50
₡4 273,02
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
380En existencias
₡5 693,89
₡3 695,30
₡3 502,73
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
453En existencias
Cinta cortada
₡20 152,42
₡15 223,61
₡15 213,20
₡14 411,69
Envase tipo carrete
₡14 411,69
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
794En existencias
Cinta cortada
₡6 714,00
₡4 387,52
₡4 179,34
₡4 153,31
Envase tipo carrete
₡4 153,31
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
202En existencias
₡14 973,79
₡10 513,40
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 650V
Hoja de datos
1 364En existencias
Cinta cortada
₡6 589,09
₡4 028,40
₡3 799,40
Envase tipo carrete
₡3 799,40
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
418En existencias
Cinta cortada
₡10 060,60
₡6 318,45
₡5 980,15
Envase tipo carrete
₡5 980,15
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
752En existencias
Cinta cortada
₡4 965,24
₡2 727,24
Envase tipo carrete
₡2 727,24
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
531En existencias
₡5 470,09
₡3 013,49
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
422En existencias
₡5 168,22
₡2 852,15
₡2 513,85
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
2 818En existencias
₡5 282,72
₡2 919,81
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 45
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
722En existencias
Cinta cortada
₡8 478,38
₡5 069,33
Envase tipo carrete
₡5 069,33
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
800En existencias
Cinta cortada
₡7 505,11
₡4 330,27
Envase tipo carrete
₡4 330,27
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
400En existencias
₡10 711,18
₡6 698,39
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
396En existencias
₡7 963,12
₡4 491,62
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
450En existencias
₡8 712,59
₡5 058,92
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 45
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement