Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL8P4LLF6
STMicroelectronics
1: ₡921,63
2 744En existencias

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STL8P4LLF6

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511-STL8P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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Cinta cortada

₡921,63

₡470,03

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₡285,16

Envase tipo carrete

₡237,46

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

P-Channel

1 Channel

40 V

8 A

20.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET

STL92N10F7AG
STMicroelectronics
1: ₡1 436,66
1 006En existencias
3 000Se espera el 6/7/2026

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STL92N10F7AG

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511-STL92N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET

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3 000Se espera el 6/7/2026

Cinta cortada

₡1 436,66

₡927,05

₡634,30

₡515,57

Envase tipo carrete

₡422,33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

16 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150

STP100N10F7
STMicroelectronics
1: ₡1 463,77
889En existencias
1 000Se espera el 27/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150

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₡1 463,77

₡726,46

₡650,56

₡535,09

₡494,97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP100N6F7
STMicroelectronics
1: ₡1 127,65
1 970En existencias

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STP100N6F7

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511-STP100N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

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₡1 127,65

₡547,56

₡485,76

₡385,46

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI

STP105N3LL
STMicroelectronics
1: ₡954,16
2 241En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP105N3LL

N.º de artículo de Mouser
511-STP105N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI

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₡954,16

₡452,68

₡403,89

₡318,23

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

150 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

STP140N8F7
STMicroelectronics
1: ₡1 664,36
1 322En existencias

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STP140N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP140N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

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₡829,47

₡748,15

₡607,19

₡590,93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa

STP160N3LL
STMicroelectronics
1: ₡1 024,64
478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP160N3LL

N.º de artículo de Mouser
511-STP160N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa

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₡1 024,64

₡574,67

₡552,98

₡335,04

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP200N3LL
STMicroelectronics
1: ₡1 068,01
2 810En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP200N3LL

N.º de artículo de Mouser
511-STP200N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

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2 810En existencias

₡1 068,01

₡655,99

₡601,77

₡478,17

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

2.15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

176.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

STP270N8F7
STMicroelectronics
1: ₡3 187,77
359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP270N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP270N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

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₡3 187,77

₡1 902,90

₡1 539,67

₡1 203,55

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a

STS8N6LF6AG
STMicroelectronics
1: ₡672,25
4 589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS8N6LF6AG

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511-STS8N6LF6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a

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₡672,25

₡421,24

₡278,12

₡216,31

₡196,25

Envase tipo carrete

₡167,52

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

3.2 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI

STT6N3LLH6
STMicroelectronics
1: ₡401,18
8 447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STT6N3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STT6N3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI

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Cinta cortada

₡401,18

₡248,30

₡159,93

₡121,98

Envase tipo carrete

₡93,25

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package

STB130N6F7
STMicroelectronics
1: ₡1 425,82
687En existencias
1 000Se espera el 21/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
STB130N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package

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₡1 425,82

₡916,21

₡623,46

₡523,16

Envase tipo carrete

₡450,52

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

160 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

STH150N10F7-2
STMicroelectronics
1: ₡2 347,45
1 000Se espera el 7/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH150N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH150N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

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₡916,21

Envase tipo carrete

₡856,58

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III

STL8DN10LF3
STMicroelectronics
1: ₡1 539,67
5 891Se espera el 21/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
STL8DN10LF3

N.º de artículo de Mouser
511-STL8DN10LF3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III

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5 891Se espera el 21/5/2026

Cinta cortada

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₡997,53

₡683,09

₡552,98

₡513,95

Envase tipo carrete

₡479,79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

20.5 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

STP150N10F7
STMicroelectronics
1: ₡1 902,90
1 911Se espera el 7/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP150N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP150N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

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1 911Se espera el 7/9/2026

₡1 902,90

₡1 084,27

₡970,43

₡802,36

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET i

STB80N4F6AG
STMicroelectronics
1: ₡1 311,97
856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB80N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB80N4F6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET i

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856En existencias

Cinta cortada

₡1 311,97

₡840,31

₡580,09

₡476,54

Envase tipo carrete

₡386,00

₡378,95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

STH140N8F7-2
STMicroelectronics
1: ₡1 989,64
997Se espera el 20/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH140N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH140N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

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997Se espera el 20/7/2026

Cinta cortada

₡1 989,64

₡1 290,29

₡910,79

₡742,73

Envase tipo carrete

₡683,09

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

STL50DN6F7
STMicroelectronics
1: ₡1 219,81
790Se espera el 22/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
STL50DN6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL50DN6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

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790Se espera el 22/6/2026

Cinta cortada

₡1 219,81

₡764,41

₡503,10

₡399,01

Envase tipo carrete

₡300,34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

2 Channel

60 V

57 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N6F7
STMicroelectronics
2 500: ₡187,58
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD80N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

₡187,58

₡183,24

Min.: 2 500
Mult.: 2 500

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI

STD96N3LLH6
STMicroelectronics
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STD96N3LLH6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI

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MouseReel Disponible

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: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

STH270N8F7-2
STMicroelectronics
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MouseReel Disponible

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: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet

STH300NH02L-6
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: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

24 V

180 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

STL12N10F7
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STL12N10F7

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511-STL12N10F7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

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SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

13.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

STripFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a

STL86N3LLH6AG
STMicroelectronics
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STL86N3LLH6AG

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511-STL86N3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a

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₡316,07

₡313,36

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Mult.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in

STL8N6LF6AG
STMicroelectronics
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STL8N6LF6AG

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511-STL8N6LF6AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in

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₡618,04

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₡260,77

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

32 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

STripFET Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.3 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
7.8 A
8 A
10 A
12 A
16 A
18 A
19 A
20 A
21 A
24 A
25 A
32 A
33 A
35 A

1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms

3.6 nC
6 nC
6.4 nC
7.8 nC
8 nC
8.7 nC
12 nC
13 nC
14 nC
16 nC
17 nC
20 nC
20.5 nC
22 nC
25 nC
26 nC
27 nC
27.6 nC
28 nC
29 nC

350 mW
1.6 W
2.4 W
2.6 W
2.9 W
3.2 W
4.8 W
5 W
30 W
33 W
35 W
40 W
50 W
52 W
55 W
58 W
60 W
62.5 W
70 W
72 W