Resultados: 129
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120 Volt 80 Amp 1 855En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 80 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 Amp 3 144En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 4 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 40 Amp 1 306En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 18 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK 1 421En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 330 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V Pwr Mosfet 1 697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 10 Amp 2 826En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep 3 110En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 80 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp 6 141En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.5 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp 17 162En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 100 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 10 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp 5 310En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 23 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 16 Amp 8 250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 24 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.5 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60V 0.060 Ohm 16A 9 562En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 16 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14.1 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 250V 0.165mOhm 17A MOSFET 18 038En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 0.032 Ohm 24A STripFET II 6 314En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 24 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 5 219En existencias
2 500Se espera el 6/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp 4 739En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 55 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp 5 147En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 30 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 52 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK 3 414En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 35 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp 6 975En existencias
12 500Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 31 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp 8 018En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 16 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 33 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 8.9 mOhm 44A STripFET VI Deep 5 189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 44 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200 Volt 5 Amp 8 360En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 700 mOhms - 5 V, 5 V 1 V 5 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 60 Amp 4 433En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 60 A 14 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 56 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET 1 638En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V 8 784En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 5 mOhms - 22 V, 22 V 1 V 14 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel