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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
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2 988En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.7 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
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710En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
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976En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 8.4 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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963En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 3.8 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1
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939En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3
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1 861En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.2 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH
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914En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 41 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
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1 951En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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1 888En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 9 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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1 518En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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1 031En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
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2 148En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 5.8 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 46.5 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
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1 219En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 5.2 A 1.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A
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3 035En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.8 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Hi Vltg NPN Zener SuperMESH
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2 376En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 2.5 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
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3 961En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
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4 984En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH
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2 308En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 3 A 4.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22.7 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH
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2 048En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22.5 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
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3 166En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
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3 889En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 5.4 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
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1 732En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
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1 165En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3.7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
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2 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
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21 999En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 600 V 400 mA 8.5 Ohms - 25 V, 25 V 2.25 V 7 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel