Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N050DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
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D2PAK-3
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GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
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GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
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GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
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GaN FETs
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PowerFLAT-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N065DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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MOSFETs
Si
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GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT190R70ILB
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GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
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GaN FETs
GaN
SMD/SMT
PowerFLAT-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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MOSFETs
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Through Hole
TO-247-3
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
SCT019HU120G3AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
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SiC MOSFETS
Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 45 V, 1 A Schottky rectifier in SOD128Flat package
LEO1N5819AF
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Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 45 V, 1 A Schottky rectifier in SOD128Flat package
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
SOD-128-2
Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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STPSC40G12WL
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Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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SiC Schottky Diodes
Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
STPST5H100SF
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Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
TO-277A-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41 883 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD54008L-E
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511-PD54008L-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
3 719 En existencias
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₡2 701,22
3 000
₡2 701,22
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55003-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
6 401 En existencias
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₡5 907,28
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
STL57N65M5
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511-STL57N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
2 495 En existencias
1
₡6 604,71
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₡3 414,25
3 000
₡3 414,25
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
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178 En existencias
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511-SH68N65DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
178 En existencias
1
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10
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100
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200
₡6 406,93
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MOSFETs
Si
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
STPST8H100SFY
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511-STPST8H100SFY
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
5 787 En existencias
1
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₡165,51
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1 000
₡185,81
2 500
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12 000
₡162,91
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6 000
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
TO-277A-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
STMicroelectronics
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511-STW65N023M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
517 En existencias
1
₡9 717,09
10
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₡5 464,89
510
₡5 131,79
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
TN1605H-8G-TR
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3 994 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-TN1605H-8G-TR
STMicroelectronics
SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
3 994 En existencias
1
₡1 113,80
10
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100
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1 000
₡340,90
2 000
Ver
2 000
₡305,51
10 000
₡292,50
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1 000
Detalles
SCRs
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
TN3050HP-12L2Y
STMicroelectronics
1:
₡2 638,76
568 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-TN3050HP-12L2Y
STMicroelectronics
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
568 En existencias
1
₡2 638,76
10
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₡1 644,67
1 200
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2 400
₡1 483,33
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Detalles
SCRs
SMD/SMT
HUPAK-9
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
₡2 399,35
2 409 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2 409 En existencias
1
₡2 399,35
10
₡1 582,21
100
₡1 119,00
500
₡957,66
1 000
₡952,45
2 500
₡890,00
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2 500
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
₡8 098,44
1 546 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1 546 En existencias
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1
₡8 098,44
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100
₡5 303,54
400
₡5 298,34
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1 200
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
PD57060-E
STMicroelectronics
1:
₡27 464,96
450 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
450 En existencias
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1
₡27 464,96
10
₡24 290,12
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
BU508AF
STMicroelectronics
1:
₡2 139,11
11 823 En existencias
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BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
11 823 En existencias
1
₡2 139,11
10
₡1 394,85
100
₡1 087,77
600
₡1 082,57
5 100
Ver
5 100
₡999,29
25 200
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3