Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package 138En existencias
Min.: 1
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Máx.: 50
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package 115En existencias
1 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package 214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET 614En existencias
600Se espera el 7/7/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A 12En existencias
600Se espera el 2/4/2027
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: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 45 V, 1 A Schottky rectifier in SOD128Flat package 200En existencias
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: 500

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SOD-128-2


STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode 543En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier 11 099En existencias
Min.: 1
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: 6 000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS 1 435En existencias
Min.: 1
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 41 883En existencias
Min.: 1
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor 3 719En existencias
Min.: 1
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: 3 000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5)
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS 6 401En existencias
Min.: 1
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5 2 495En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET 178En existencias
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: 200

MOSFETs Si
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier 5 787En existencias
Min.: 1
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: 6 000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET 517En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics SCR 16 A 800 V High Temperature SCR 3 994En existencias
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Mult.: 1
: 1 000

SCRs
STMicroelectronics SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor 568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SCRs SMD/SMT HUPAK-9
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET 2 409En existencias
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 1 546En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor 11 823En existencias
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Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3