Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
STPSC6G065D
STMicroelectronics
1:
₡1 375
1 000 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC6G065D
Nuevo producto
STMicroelectronics
Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
1 000 En existencias
1
₡1 375
10
₡673
100
₡603
500
₡483
1 000
Ver
1 000
₡438
2 000
₡411
5 000
₡385
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-220AC-2
Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
STPSC4G065D
STMicroelectronics
1:
₡1 218
1 984 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC4G065D
Nuevo producto
STMicroelectronics
Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
1 984 En existencias
1
₡1 218
10
₡777
100
₡541
500
₡459
1 000
Ver
1 000
₡383
3 000
₡354
5 000
₡340
10 000
₡335
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-220AC-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
1:
₡3 341
210 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
210 En existencias
1
₡3 341
10
₡2 674
3 000
₡2 674
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1:
₡4 489
210 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
210 En existencias
1
₡4 489
10
₡3 167
3 000
₡3 167
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
STWA60N035M9
STMicroelectronics
1:
₡4 768
300 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N035M9
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
300 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT350R70GTK
STMicroelectronics
1:
₡1 508
711 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-SGT350R70GTK
Nuevo producto
STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
711 En existencias
1
₡1 508
10
₡974
100
₡696
500
₡586
2 500
₡473
5 000
Ver
1 000
₡553
5 000
₡470
10 000
₡458
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
GaN FETs
GaN
SMD/SMT
DPAK-3
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1:
₡11 641
252 En existencias
600 Se espera el 16/11/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG
Nuevo producto
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
252 En existencias
600 Se espera el 16/11/2026
1
₡11 641
10
₡9 576
100
₡8 282
600
₡8 282
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
SM15T39CAY
STMicroelectronics
1:
₡655
46 484 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SM15T39CAY
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
46 484 En existencias
1
₡655
10
₡503
100
₡356
500
₡287
1 000
₡282
2 500
₡230
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SMC (DO-214AB)
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
STD888T4
STMicroelectronics
1:
₡470
71 802 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD888T4
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
71 802 En existencias
1
₡470
10
₡319
100
₡218
500
₡167
2 500
₡133
5 000
Ver
1 000
₡151
5 000
₡117
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
1:
₡1 624
20 833 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
20 833 En existencias
1
₡1 624
10
₡1 050
100
₡725
500
₡592
1 000
₡544
3 000
₡482
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
1:
₡829
43 912 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
43 912 En existencias
1
₡829
10
₡522
100
₡346
500
₡271
3 000
₡240
9 000
Ver
1 000
₡247
9 000
₡229
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
STY145N65M5
STMicroelectronics
1:
₡19 906
2 798 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STY145N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
2 798 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
Max247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
STP65N045M9
STMicroelectronics
1:
₡4 681
542 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP65N045M9
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
542 En existencias
1
₡4 681
10
₡2 604
100
₡2 395
500
₡2 071
1 000
₡2 065
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
STP60N043DM9
STMicroelectronics
1:
₡6 200
931 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
931 En existencias
1
₡6 200
10
₡3 497
100
₡3 231
500
₡2 946
1 000
₡2 941
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
1:
₡3 480
1 142 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
1 142 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
STL325N4LF8AG
STMicroelectronics
1:
₡1 230
4 718 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4LF8AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
4 718 En existencias
1
₡1 230
10
₡911
100
₡737
500
₡696
3 000
₡673
6 000
₡597
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor in D2PAK HV package
+1 imagen
TN4050HP-12G2YTR
STMicroelectronics
1:
₡2 825
719 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-TN4050HP-12G2YTR
STMicroelectronics
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor in D2PAK HV package
719 En existencias
1
₡2 825
10
₡1 873
100
₡1 334
500
₡1 259
1 000
₡1 027
2 000
₡1 021
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SCRs
SMD/SMT
D2PAK-3
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
TN4050HP-12WY
STMicroelectronics
1:
₡2 772
723 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-TN4050HP-12WY
STMicroelectronics
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
723 En existencias
1
₡2 772
10
₡1 839
120
₡1 520
510
₡1 288
1 020
₡1 235
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SCRs
Through Hole
TO-247-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
1:
₡9 895
1 497 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1 497 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡9 895
10
₡6 223
100
₡5 794
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
₡824
42 415 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
42 415 En existencias
1
₡824
10
₡520
100
₡345
500
₡270
3 000
₡215
6 000
Ver
1 000
₡246
6 000
₡204
9 000
₡197
24 000
₡193
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
₡2 500
2 575 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2 575 En existencias
1
₡2 500
10
₡1 647
100
₡1 166
500
₡1 067
2 500
₡899
5 000
Ver
1 000
₡1 061
5 000
₡864
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
STL320N4LF8
STMicroelectronics
1:
₡1 723
4 593 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL320N4LF8
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
4 593 En existencias
1
₡1 723
10
₡1 114
100
₡818
500
₡684
3 000
₡561
6 000
Ver
1 000
₡592
6 000
₡560
24 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
ESDALC6V1-5P6
STMicroelectronics
1:
₡87
131 515 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-ESDALC6V1-5P6
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
131 515 En existencias
1
₡87
10
₡73,7
3 000
₡59,7
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SOT-666-6
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
₡7 523
1 549 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1 549 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡7 523
10
₡5 324
100
₡5 092
400
₡5 087
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
PD57060-E
STMicroelectronics
1:
₡33 002
872 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
872 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4