Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STB12N60DM2AG
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511-STB12N60DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
227 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET
STD155N3LH6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
360°
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STGB40V60F
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511-STGB40V60F
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP16N65M2
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251 En existencias
1 000 Se espera el 18/5/2026
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511-STP16N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
251 En existencias
1 000 Se espera el 18/5/2026
1
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
STF18N60DM2
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371 En existencias
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511-STF18N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
371 En existencias
1
₡1 786,40
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
STL4N10F7
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923 En existencias
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511-STL4N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
923 En existencias
1
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU6N65M2
STMicroelectronics
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511-STU6N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
45 En existencias
1
₡933,80
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
ST13007D
STMicroelectronics
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511-ST13007D
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
1 336 En existencias
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₡342,20
5 000
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25 000
Presupuesto
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Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
STB10N60M2
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511-STB10N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
1 075 En existencias
1
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
STB31N65M5
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₡2 934,80
836 En existencias
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511-STB31N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
836 En existencias
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
STD11N65M5
STMicroelectronics
1:
₡1 455,80
1 127 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD11N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
1 127 En existencias
1
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₡477,34
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
STD18N60M6
STMicroelectronics
1:
₡1 293,40
1 632 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD18N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
1 632 En existencias
1
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₡386,28
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp
STD20NF10T4
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1 981 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD20NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp
1 981 En existencias
1
₡916,40
10
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1 000
₡272,02
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₡239,54
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Min.: 1
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
STD3NM60N
STMicroelectronics
1:
₡1 020,80
2 222 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
2 222 En existencias
1
₡1 020,80
10
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₡348,00
1 000
₡314,36
2 500
₡285,36
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package
+1 imagen
STD80N3LL
STMicroelectronics
1:
₡765,60
2 977 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N3LL
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package
2 977 En existencias
1
₡765,60
10
₡490,10
100
₡324,80
500
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1 000
₡230,26
2 500
₡200,68
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i
360°
+5 imágenes
STD95P3LLH6AG
STMicroelectronics
1:
₡1 409,40
1 118 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD95P3LLH6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i
1 118 En existencias
1
₡1 409,40
10
₡910,60
100
₡620,60
500
₡496,48
1 000
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2 500
₡455,88
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
STF21N90K5
STMicroelectronics
1:
₡4 466,00
1 728 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF21N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
1 728 En existencias
1
₡4 466,00
10
₡2 441,80
100
₡2 238,80
500
₡2 186,60
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF26N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 977,80
981 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
981 En existencias
1
₡1 977,80
10
₡997,60
100
₡899,00
500
₡730,80
1 000
₡725,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
STFH24N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 368,80
1 058 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFH24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
1 058 En existencias
1
₡1 368,80
10
₡852,60
100
₡759,80
500
₡678,60
920
₡614,80
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct
STGIF10CH60TS-L
STMicroelectronics
1:
₡7 632,80
97 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGIF10CH60TS-L
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct
97 En existencias
1
₡7 632,80
10
₡5 150,40
100
₡4 367,40
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIP2F-26
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
360°
+6 imágenes
STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics
1:
₡4 790,80
258 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
258 En existencias
1
₡4 790,80
10
₡3 485,80
100
₡2 905,80
600
₡2 418,60
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
STGWA50HP65FB2
STMicroelectronics
1:
₡2 099,60
662 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA50HP65FB2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
662 En existencias
1
₡2 099,60
10
₡1 148,40
100
₡939,60
600
₡823,60
1 200
₡788,80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
1:
₡5 823,20
380 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
380 En existencias
1
₡5 823,20
10
₡3 451,00
100
₡3 068,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
STI20N65M5
STMicroelectronics
1:
₡2 233,00
958 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STI20N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
958 En existencias
1
₡2 233,00
10
₡1 212,20
100
₡968,60
500
₡852,60
1 000
₡829,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
STL13N60M6
STMicroelectronics
1:
₡1 513,80
2 800 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
2 800 En existencias
1
₡1 513,80
10
₡968,60
100
₡661,20
500
₡537,08
1 000
₡484,30
3 000
₡476,18
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel