STMicroelectronics Transistores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in 227En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET 823En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed 74En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 251En existencias
1 000Se espera el 18/5/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack 371En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3 923En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package 45En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor 1 336En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A 1 075En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 836En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS 1 127En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package 1 632En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp 1 981En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II 2 222En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package 2 977En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i 1 118En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1 728En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 981En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr 1 058En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct 97En existencias
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IGBT Modules Si Through Hole SDIP2F-26


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT 258En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long 662En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss 380En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5 958En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 2 800En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel