Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL160N4F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Si
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PowerFLAT-5x6-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
STP20NK50Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
STP30N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
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Si
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
STP33N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
STP45N60DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
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Si
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TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
STP7NK80Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
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MOSFETs
Si
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TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
STS5DNF60L
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
3 803 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
STS6NF20V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
16 886 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STU13N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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500
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
STU7NM60N
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511-STU7NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
1 749 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STW12N170K5
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1 113 En existencias
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511-STW12N170K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1 113 En existencias
1
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
STGYA50M120DF3
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511-STGYA50M120DF3
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IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
1 142 En existencias
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
BUL38D
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1:
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3 515 En existencias
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BUL38D
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511-BUL38D
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
3 515 En existencias
1
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500
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1 000
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1 000
₡298
2 000
₡291
5 000
₡284
10 000
₡279
25 000
₡275
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Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PWR BIP/S.SIGNAL
BUL741
STMicroelectronics
1:
₡806
12 934 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BUL741
N.º de artículo de Mouser
511-BUL741
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PWR BIP/S.SIGNAL
12 934 En existencias
1
₡806
10
₡205
1 000
₡192
25 000
₡184
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Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1:
₡9 292
2 329 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SCTL35N65G2V
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MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
2 329 En existencias
1
₡9 292
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₡6 032
1 000
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3 000
₡4 930
1 000
₡6 026
3 000
₡4 930
6 000
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
STB14NK50ZT4
STMicroelectronics
1:
₡2 030
6 137 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB14NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
6 137 En existencias
1
₡2 030
10
₡1 572
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₡1 299
1 000
₡1 195
5 000
Ver
5 000
₡1 148
10 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB28N65M2
STMicroelectronics
1:
₡2 465
2 052 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB28N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
2 052 En existencias
1
₡2 465
10
₡1 647
100
₡1 172
500
₡1 067
1 000
₡887
2 000
₡870
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
STB45N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
₡4 309
939 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB45N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
939 En existencias
1
₡4 309
10
₡2 975
100
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500
₡2 256
1 000
₡1 844
10 000
Ver
10 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD16N65M2
STMicroelectronics
1:
₡1 647
2 734 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
2 734 En existencias
1
₡1 647
10
₡1 067
100
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500
₡603
2 500
₡496
5 000
Ver
1 000
₡556
5 000
₡491
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
STD1NK60-1
STMicroelectronics
1:
₡940
4 055 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD1NK60-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
4 055 En existencias
1
₡940
10
₡359
100
₡324
500
₡298
1 000
Ver
1 000
₡265
3 000
₡235
9 000
₡230
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
STD2N62K3
STMicroelectronics
1:
₡1 212
2 969 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD2N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
2 969 En existencias
1
₡1 212
10
₡777
100
₡525
500
₡418
2 500
₡346
5 000
Ver
1 000
₡397
5 000
₡324
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD5N60M2
STMicroelectronics
1:
₡980
6 550 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
6 550 En existencias
1
₡980
10
₡626
100
₡421
500
₡331
2 500
₡256
5 000
Ver
1 000
₡302
5 000
₡249
10 000
₡240
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
STD7ANM60N
STMicroelectronics
1:
₡1 276
3 498 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD7ANM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
3 498 En existencias
1
₡1 276
10
₡818
100
₡554
500
₡442
2 500
₡367
5 000
Ver
1 000
₡416
5 000
₡346
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF7N105K5
STMicroelectronics
1:
₡2 198
1 471 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF7N105K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1 471 En existencias
1
₡2 198
10
₡1 009
100
₡940
500
₡829
1 000
Ver
1 000
₡777
2 000
₡731
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
STFU13N80K5
STMicroelectronics
1:
₡2 546
1 726 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFU13N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
1 726 En existencias
1
₡2 546
10
₡1 340
100
₡1 131
500
₡1 032
1 000
Ver
1 000
₡951
2 000
₡893
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel