Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Hoja de datos
3 462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Hoja de datos
675En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
1 922En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 16 mOhms 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
4 413En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 A 10 mOhms 20 V 2.5 V 98 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
Hoja de datos
3 444En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 460 A 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
Hoja de datos
1 400En existencias
4 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 443 A 520 uOhms 20 V 3.2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Hoja de datos
2 011En existencias
10 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3 052En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
Hoja de datos
2 995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 80 V 129 A 3.6 mOhms 20 V 3.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
1 990En existencias
6 000Se espera el 21/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8SW N-Channel 1 Channel 60 V 373 A 2 mOhms 20 V 3.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 270 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
Hoja de datos
2 734En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
Hoja de datos
2 969En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
2 700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L N-Channel 1 Channel 40 V 58 A 6.3 mOhms 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
740En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 1.63 mOhms 20 V 3.5 V 106 C - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
Hoja de datos
793En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
Hoja de datos
3 458En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
Hoja de datos
1 400En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 100 V 40 A 11.1 mOhms 4 V 28 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
Hoja de datos
2 100En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 100 V 40 A 11.1 mOhms 4 V 28 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
Hoja de datos
2 093En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
Hoja de datos
881En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
Hoja de datos
1 920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Hoja de datos
697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms 20 V 4.7 V 43 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
Hoja de datos
2 100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6F N-Channel, P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 73 mOhms - 12 V, 20 V 2 V 6.2 nC + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
2 996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si