Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
MOSFETs are in stock with same-day shipping at Mouser Electronics from industry leading manufacturers.  Mouser is an authorized distributor for many MOSFET manufacturers including Diodes Inc., Infineon, IXYS, Nexperia, onsemi, STMicroelectronics, Toshiba, Vishay, & more.
More...

Please view our large selection of MOSFETs below.
Resultados: 22 708
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Hoja de datos
500En existencias
500Se espera el 26/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
349En existencias
480Se espera el 16/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 52 mOhms 20 V 5 V 141 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Hoja de datos
140En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
Carrete: 3 000

AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP062-60QL/SOT8002/MLPAK33
Hoja de datos
627En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 60 V 20 A 62 mOhms 20 V 2.7 V 19 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL
Hoja de datos
1 251En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection
Hoja de datos
27 097En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 40 000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 890 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1.2 V - 55 C + 150 C 450 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2 009En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms 30 V 5 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Hoja de datos
314En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2 090En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
425En existencias
500Se espera el 8/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 80 mOhms 20 V 5 V 91 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement
Vishay Semiconductors SI2319DDS-T1-BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 2 214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SI2393DS-T1-BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2 518En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SI2399BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2 582En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SISS4304DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2 836En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SIB5215DK-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2 950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SIRA12DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2 698En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SI2392BDS-T1-BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 2 867En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SI1425DH-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2 946En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SIHG050N65SF-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V 425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SIRA14DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2 410En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SI3425DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2 940En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SIRA18DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2 940En existencias
6 000Se espera el 9/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Hoja de datos
2 077En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
Diodes Incorporated DMN3059LCA3-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN1006-3 T&R 10K 7 904En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10 000

Reel, Cut Tape