Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
MRF422
MACOM
1:
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MRF422
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937-MRF422
MACOM
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
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RF Bipolar Transistors
Screw Mount
211-11
Bipolar Power
Si
30 MHz
- 65 C
+ 150 C
Tray
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
MRF448
MACOM
1:
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MRF448
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937-MRF448
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
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RF Bipolar Transistors
Screw Mount
211-11
Bipolar Power
Si
30 MHz
250 W
- 65 C
+ 150 C
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FH/SOT539/TRAY
ART1K6FHU
Ampleon
1:
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FH/SOT539/TRAY
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RF MOSFETs
Screw Mount
SOT539AN-5
LDMOS
1 MHz to 425 MHz
1.6 kW
+ 225 C
28 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FE/SOT539/TRAY
ART2K0FEU
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94-ART2K0FEU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FE/SOT539/TRAY
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Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
SOT539AN-5
LDMOS
1 MHz to 400 MHz
2 kW
+ 225 C
28.4 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FH/SOT1214/TRAY
ART700FHU
Ampleon
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94-ART700FHU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FH/SOT1214/TRAY
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Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
SOT1214A-5
LDMOS
1 MHz to 450 MHz
700 W
+ 225 C
28.6 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
BLA9H0912L-1200PU
Ampleon
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94-BLA9H0912L-1200PU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
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Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
SOT539A-5
LDMOS
960 MHz to 1.215 GHz
1.2 kW
+ 225 C
19 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
BLA9H0912LS-700GU
Ampleon
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94-BLA9H0912LS-700GU
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
42 En existencias
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Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT502E-3
LDMOS
960 MHz to 1.215 GHz
700 W
+ 225 C
20 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
BLC2425M10LS500PZ
Ampleon
1:
₡96 906
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94-BLC2425M10LS500PZ
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
110 En existencias
Embalaje alternativo
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Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT1250-1-5
LDMOS
2.4 GHz to 2.5 GHz
500 W
+ 225 C
14.5 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY
BLF978PU
Ampleon
1:
₡155 678
111 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
94-BLF978PU
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY
111 En existencias
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Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
SOT539A-5
LDMOS
700 MHz
1.2 kW
+ 225 C
24.5 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
BLL9G1214L-600U
Ampleon
1:
₡125 025
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N.º de artículo de Mouser
94-BLL9G1214L-600U
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
115 En existencias
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Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
SOT502A-3
LDMOS
1.2 GHz to 1.4 GHz
600 W
+ 225 C
19 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
BLM10D3438-35ABZ
Ampleon
1:
₡13 346
1 000 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
94-BLM10D3438-35ABZ
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
1 000 En existencias
1
₡13 346
10
₡10 359
25
₡9 599
100
₡9 025
250
Ver
500
₡7 981
250
₡8 868
500
₡7 981
1 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
QFN-20
LDMOS
3.4 GHz to 3.8 GHz
45.5 dBm
+ 200 C
35.4 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
CLF3H0035-100U
Ampleon
1:
₡167 394
97 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035-100U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
97 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
SOT467C-3
GaN Si
0 Hz to 3.5 GHz
100 W
+ 300 C
15 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
CLF3H0035S-100U
Ampleon
1:
₡167 394
60 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035S-100U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
60 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT467B-3
GaN Si
0 Hz to 3.5 GHz
100 W
+ 300 C
15 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
MWT-1F
CML Micro
10:
₡42 259
70 En existencias
NRND
N.º de artículo del Fabricante
MWT-1F
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-1F
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
70 En existencias
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
RF MOSFET Transistors
Die
GaAs
12 GHz
26 dBm
+ 150 C
10 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1:
₡223 462
21 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
21 En existencias
1
₡223 462
10
₡192 862
25
₡185 229
50
₡168 328
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
OM-1230-4
Si
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
24.4 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
₡28 455
175 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
175 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡28 455
10
₡23 229
25
₡21 924
100
₡20 491
250
Ver
500
₡19 395
250
₡20 213
500
₡19 395
1 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270-WB-4
Si
136 MHz to 520 MHz
70 W
- 40 C
+ 150 C
18.5 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
₡21 176
457 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
457 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡21 176
10
₡17 104
25
₡16 083
100
₡14 970
250
Ver
500
₡14 106
250
₡14 436
500
₡14 106
1 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270-2
Si
136 MHz to 520 MHz
33 W
- 40 C
+ 150 C
17.7 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
₡428 823
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡428 823
10
₡376 368
25
₡374 268
50
₡355 702
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
NI-1230
Si
1.8 MHz to 600 MHz
600 W
+ 150 C
25 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1:
₡200 929
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
1
₡200 929
10
₡172 098
25
₡165 091
50
₡163 572
100
Ver
150
₡153 572
100
₡160 677
150
₡153 572
450
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
NI-1230
Si
1.8 MHz to 600 MHz
600 W
+ 150 C
25 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
₡273 302
121 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
121 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡273 302
10
₡237 017
25
₡227 963
50
₡222 500
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
NI-1230H-4
Si
1.8 MHz to 600 MHz
1.25 kW
+ 150 C
24 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP N+N 150MA 8V FT=16G
+2 imágenes
MCH6001-TL-E
onsemi
1:
₡574
7 123 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-MCH6001-TL-E
onsemi
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP N+N 150MA 8V FT=16G
7 123 En existencias
1
₡574
10
₡357
100
₡233
500
₡180
3 000
₡148
6 000
Ver
1 000
₡162
6 000
₡131
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOT-363-6
Bipolar
Si
16 GHz
+ 150 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
HFA3096BZ96
Renesas / Intersil
1:
₡6 392
956 En existencias
N.º de artículo de Mouser
968-HFA3096BZ96
Renesas / Intersil
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
956 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡6 392
10
₡4 657
100
₡4 420
2 500
₡4 420
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
SOIC-Narrow-16
Bipolar
Si
8 GHz, 5.5 GHz
- 55 C
+ 125 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE
+1 imagen
HFA3134IHZ96
Renesas / Intersil
1:
₡4 536
1 957 En existencias
N.º de artículo de Mouser
968-HFA3134IHZ96
Renesas / Intersil
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE
1 957 En existencias
1
₡4 536
10
₡3 254
100
₡3 022
3 000
₡3 022
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
SOT-23
Bipolar
Si
8.5 GHz
- 40 C
+ 85 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
ARF1510
Microchip Technology
1:
₡198 847
7 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
ARF1510
N.º de artículo de Mouser
494-ARF1510
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
7 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
Si
40 MHz
750 W
- 55 C
+ 175 C
17 dB
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
+1 imagen
ARF460AG
Microchip Technology
1:
₡32 863
121 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF460AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
121 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Through Hole
TO-247-3
Si
65 MHz
150 W
- 55 C
+ 150 C
13 dB
Tube