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MOSFETs de SiC

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Resultados: 59

Filtros aplicados:

Marca = Multiple Values

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡11 512,69
12En existencias
600Se espera el 2/4/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT019HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

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Hoja de datos

12En existencias

600Se espera el 2/4/2027

Cinta cortada

₡11 512,69

₡8 598,09

₡6 604,71

Envase tipo carrete

₡6 573,48

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: ₡9 581,77
551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTW40N120G2VAG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

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Hoja de datos

551En existencias

₡9 581,77

₡5 943,71

₡5 548,16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: ₡16 238,52
1 597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTL90N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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Hoja de datos

1 597En existencias

Cinta cortada

₡16 238,52

₡11 871,82

₡11 601,17

₡11 575,15

₡10 851,70

Envase tipo carrete

₡10 841,29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: ₡8 925,98
2 311En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTL35N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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2 311En existencias

Cinta cortada

₡8 925,98

₡6 308,04

₡5 412,84

₡5 407,64

₡5 058,92

Envase tipo carrete

₡5 058,92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡11 554,33
632En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT012W90G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT012W90G3-4AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

632En existencias

₡11 554,33

₡7 281,31

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡12 996,02
491En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT016H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT016H120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

491En existencias

Cinta cortada

₡12 996,02

₡9 394,40

₡9 253,87

₡8 936,39

Envase tipo carrete

₡8 186,92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡11 845,79
254En existencias
600Se espera el 25/9/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT020HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT020HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

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Hoja de datos

254En existencias

600Se espera el 25/9/2026

Cinta cortada

₡11 845,79

₡8 847,91

₡7 650,84

Envase tipo carrete

₡6 771,25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₡7 083,53
943En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT027H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027H65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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943En existencias

Cinta cortada

₡7 083,53

₡4 944,42

₡4 017,99

Envase tipo carrete

₡3 752,56

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: ₡4 762,26
1 754En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT055TO65G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055TO65G3

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Hoja de datos

1 754En existencias

Cinta cortada

₡4 762,26

₡3 252,91

₡2 685,60

₡2 440,98

₡2 232,80

Envase tipo carrete

₡2 232,80

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡10 003,34
465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT018W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

465En existencias

₡10 003,34

₡7 369,79

₡5 636,64

₡4 897,58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡10 529,02
362En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT020W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

362En existencias

₡10 529,02

₡6 583,89

₡6 261,20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡10 596,68
305En existencias
1 200Se espera el 31/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

305En existencias

1 200Se espera el 31/8/2026

₡10 596,68

₡7 577,98

₡6 531,84

₡5 797,98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡9 862,82
424En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

424En existencias

₡9 862,82

₡6 136,29

₡5 756,35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡8 093,24
261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT027W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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Hoja de datos

261En existencias

₡8 093,24

₡6 042,60

₡4 569,69

₡3 841,03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡7 322,95
377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

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Hoja de datos

377En existencias

₡7 322,95

₡5 121,38

₡3 913,90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡7 229,26
505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

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Hoja de datos

505En existencias

₡7 229,26

₡5 079,74

₡3 877,47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: ₡6 011,38
527En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W65G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

527En existencias

₡6 011,38

₡3 606,83

₡3 216,48

₡3 055,13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡6 984,65
481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

481En existencias

₡6 984,65

₡5 064,13

₡4 330,27

₡3 684,90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ₡7 041,90
1 080En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT055HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Hoja de datos

1 080En existencias

Cinta cortada

₡7 041,90

₡5 366,00

₡4 470,80

Envase tipo carrete

₡3 903,49

₡3 721,33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡7 036,69
301En existencias
1 200Se espera el 10/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT070W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

301En existencias

1 200Se espera el 10/8/2026

₡7 036,69

₡5 667,87

₡4 449,98

₡3 721,33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: ₡11 455,44
49En existencias
1 000Se espera el 17/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT012H90G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

49En existencias

1 000Se espera el 17/8/2026

Cinta cortada

₡11 455,44

₡8 218,15

₡7 463,47

₡7 458,27

Envase tipo carrete

₡6 974,24

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

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: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

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: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

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: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
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: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms
67 mOhms
72 mOhms
87 mOhms
100 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
73 nC
76 nC
77 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W
398 W