Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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NVMFD5877NLWFT1G-UM
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-FD5877NLWFT1G-UM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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N.º de artículo de Mouser 689-DN2625DK6-G
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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N.º de artículo de Mouser 241-MBR1060DCAUR26A1
Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NSVT5551DW1T1G
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onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
XP3832CMT
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP3832CMT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
SH63N65DM6AG
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser 511-SH63N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
174 En existencias
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V,Diodos de Conmutación de Señal Baja,SOT-23,4A
BAV99_R1_00001
Panjit
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N.º de artículo de Mouser 241-BAV99_R1_00001
Panjit
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V,Diodos de Conmutación de Señal Baja,SOT-23,4A
968 321 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
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FDS8949
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FDS8949
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
58 911 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 781-SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
73 888 En existencias
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Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
BSM250D17P2E004
ROHM Semiconductor
1:
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ROHM Semiconductor
Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
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₡585 299,77
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
PMD2001D,115
Nexperia
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N.º de artículo de Mouser 771-PMD2001D115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
184 970 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,135
Nexperia
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N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y135
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
288 027 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
110 643 En existencias
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₡277,41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 155,43
71 040 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
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Carrete :3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 030,52
28 792 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
28 792 En existencias
Embalaje alternativo
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
NCP51560BBDWR2G
onsemi
1:
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1 242 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NCP51560BBDWR2G
onsemi
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
1 242 En existencias
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1 000
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Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
CAB008A12GM3T
Wolfspeed
1:
₡109 901,47
13 En existencias
N.º de artículo de Mouser 941-CAB008A12GM3T
Wolfspeed
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
13 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
FDC6318P
onsemi
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₡640,17
55 011 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDC6318P
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
55 011 En existencias
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3 000
₡181,12
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Carrete :3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/-20V N/P
FDC6420C
onsemi
1:
₡556,90
338 943 En existencias
36 000 Se espera el 15/12/2026
N.º de artículo de Mouser 512-FDC6420C
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/-20V N/P
338 943 En existencias
36 000 Se espera el 15/12/2026
1
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Carrete :3 000
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Módulos IGBT IGBT 1700V 450A
FF450R17ME4
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser 641-FF450R17ME4
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT 1700V 450A
116 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,115
Nexperia
1:
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127 387 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
127 387 En existencias
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1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA929DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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57 576 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIA929DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
57 576 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡452,80
308 399 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
308 399 En existencias
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9 000
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₡93,16
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Carrete :3 000
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