Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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78-SQJ768ELP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
VS-SC200FA120
Vishay
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78-VS-SC200FA120
Vishay
Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
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Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
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726-FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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689-DN2625DK6-G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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241-MBR1060DCAUR26A1
Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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10
₡334,66
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₡218,08
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
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863-NSVT5551DW1T1G
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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10
₡347,15
100
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
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726-DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
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757-1SS302ALF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
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₡114,50
10
₡69,22
100
₡43,20
500
₡36,95
3 000
₡23,94
6 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
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757-SSM6L14FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
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₡260,23
10
₡159,26
100
₡100,97
500
₡75,99
4 000
₡49,44
8 000
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₡60,89
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
PMD2001D,115
Nexperia
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771-PMD2001D115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
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₡114,50
10
₡68,70
100
₡54,13
500
₡51,01
3 000
₡45,28
6 000
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₡43,72
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₡42,16
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,135
Nexperia
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771-PMP4201Y135
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
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₡212,35
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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10
₡634,97
100
₡424,18
500
₡335,18
3 000
₡288,34
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₡306,55
6 000
₡277,41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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₡452,80
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₡281,05
100
₡181,64
500
₡138,96
3 000
₡107,22
6 000
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₡125,43
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQJ208EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
71 040 En existencias
1
₡1 155,43
10
₡733,86
100
₡494,44
500
₡400,76
3 000
₡335,70
6 000
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₡362,76
6 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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78-SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
28 794 En existencias
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1
₡1 030,52
10
₡655,79
100
₡441,35
500
₡349,23
3 000
₡303,43
6 000
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₡319,57
6 000
₡291,46
9 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
FDMS3669S
onsemi
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42 680 En existencias
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512-FDMS3669S
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
42 680 En existencias
1
₡1 441,69
10
₡931,63
100
₡640,17
500
₡512,14
3 000
₡387,23
6 000
Ver
1 000
₡423,14
6 000
₡383,58
9 000
₡375,26
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
BAV199T-7-F
Diodes Incorporated
1:
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331 839 En existencias
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621-BAV199T-F
Diodes Incorporated
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
331 839 En existencias
1
₡176,96
10
₡99,41
100
₡63,50
500
₡48,92
1 000
₡42,16
3 000
₡42,16
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Mult.: 1
Máx.: 1 380
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3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
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DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
1:
₡260,23
378 643 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
378 643 En existencias
1
₡260,23
10
₡158,74
100
₡98,89
500
₡75,47
1 000
₡58,81
3 000
₡43,72
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Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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143 156 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
143 156 En existencias
1
₡218,60
10
₡135,32
100
₡108,26
500
₡103,05
3 000
₡93,16
6 000
Ver
1 000
₡98,89
6 000
₡90,56
9 000
₡89,52
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Mult.: 1
Carrete :
3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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110 353 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
110 353 En existencias
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1
₡624,56
10
₡391,91
100
₡257,63
500
₡199,34
3 000
₡156,66
6 000
Ver
1 000
₡180,60
6 000
₡144,69
9 000
₡142,61
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Min.: 1
Mult.: 1
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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31 294 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
31 294 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 301,16
10
₡837,95
100
₡572,51
500
₡454,89
1 000
₡418,45
2 500
₡392,43
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Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡973,27
33 879 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
33 879 En existencias
1
₡973,27
10
₡582,92
100
₡414,29
500
₡327,37
1 000
₡299,27
3 000
₡259,19
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡1 618,65
77 816 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
77 816 En existencias
1
₡1 618,65
10
₡1 046,14
100
₡723,45
500
₡588,13
1 000
₡562,10
3 000
₡525,67
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Min.: 1
Mult.: 1
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
₡551,69
67 694 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSL308CH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
67 694 En existencias
1
₡551,69
10
₡314,88
100
₡214,43
500
₡172,79
3 000
₡122,31
6 000
Ver
1 000
₡154,58
6 000
₡120,75
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Mult.: 1
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D
BUK7K15-80EX
Nexperia
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29 872 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-BUK7K15-80EX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D
29 872 En existencias
1
₡1 202,28
10
₡775,49
100
₡525,67
500
₡416,89
1 500
₡357,56
3 000
Ver
1 000
₡401,28
3 000
₡310,72
9 000
₡303,95
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