Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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78-SQJ768ELP-T1_GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
VS-SC200FA120
Vishay
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Vishay
Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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241-MBR1060DCAUR26A1
Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
FF600R12KE7EHPSA1
Infineon Technologies
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726-FF600R12KE7EHPSA
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
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Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
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863-NSVT5551DW1T1G
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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689-DN2625DK6-G
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
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726-DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
FDMS86300DC
onsemi
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512-FDMS86300DC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
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511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
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621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
252 491 En existencias
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
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755-SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
1 258 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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78-SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
43 407 En existencias
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
1:
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757-1SS302ALF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
609 265 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1:
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243 536 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L14FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
243 536 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
PMD2001D,115
Nexperia
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186 158 En existencias
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771-PMD2001D115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
186 158 En existencias
1
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Carrete :
3 000
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,135
Nexperia
1:
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286 220 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-PMP4201Y135
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
286 220 En existencias
Embalaje alternativo
1
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10
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10 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
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110 643 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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1
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₡267,52
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
301 813 En existencias
1
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1 000
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Mult.: 1
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 155,43
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N.º de artículo de Mouser
78-SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
71 040 En existencias
1
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Min.: 1
Mult.: 1
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 030,52
28 794 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
28 794 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 030,52
10
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Ver
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9 000
₡281,57
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
XP3832CMT
YAGEO XSemi
1:
₡1 035,73
2 997 En existencias
N.º de artículo de Mouser
603-XP3832CMT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
2 997 En existencias
1
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₡247,74
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Mult.: 1
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
NCP51560BBDWR2G
onsemi
1:
₡1 967,36
1 220 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NCP51560BBDWR2G
onsemi
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
1 220 En existencias
1
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₡1 155,43
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₡1 092,98
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Mult.: 1
Carrete :
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