.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Transistores

Lista Imágenes

Resultados: 1 879

Filtros aplicados:

Marca = Valores múltiples

Tipo de producto

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET SH63N65DM6AG STMicroelectronics 1: ₡10 253,17 174En existencias	N.º de artículo del Fabricante SH63N65DM6AG N.º de artículo de Mouser 511-SH63N65DM6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm sh63n65dm6ag power mosfet	Hoja de datos	174En existencias	Cinta cortada ₡10 253,17 ₡7 812,19 ₡6 334,06 Envase tipo carrete ₡6 334,06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 200	MOSFETs	Si	SMD/SMT	ACEPACK SMIT-9	N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor BU508AF STMicroelectronics 1: ₡2 139,11 10 712En existencias	N.º de artículo del Fabricante BU508AF N.º de artículo de Mouser 511-BU508AF	STMicroelectronics	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	10 712En existencias	₡2 139,11 ₡1 212,68 ₡983,68 ₡858,77 Ver ₡687,01 ₡681,81	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	ISOWATT-218FX-3	NPN
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa STE145N65M5 STMicroelectronics 1: ₡17 263,84 760En existencias	N.º de artículo del Fabricante STE145N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STE145N65M5	STMicroelectronics	Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	760En existencias	₡17 263,84 ₡12 418,30 ₡11 824,97	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFET Modules	Si	Screw Mount	ISOTOP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH STN1NK80Z STMicroelectronics 1: ₡1 061,75 41 915En existencias	N.º de artículo del Fabricante STN1NK80Z N.º de artículo de Mouser 511-STN1NK80Z	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH	Hoja de datos	41 915En existencias	Cinta cortada ₡1 061,75 ₡515,78 ₡450,20 ₡359,64 Ver Envase tipo carrete ₡297,19 ₡349,23 ₡340,90 ₡297,19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4 000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	SOT-223-4	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp STP20NM60FD STMicroelectronics 1: ₡3 435,07 4 235En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP20NM60FD N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	4 235En existencias	₡3 435,07 ₡2 399,35 ₡2 139,11 ₡1 951,75 ₡1 925,72	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET STD80N340K6 STMicroelectronics 1: ₡2 399,35 2 338En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD80N340K6 N.º de artículo de Mouser 511-STD80N340K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp80n240k6 mosfets	Hoja de datos	2 338En existencias	Cinta cortada ₡2 399,35 ₡1 233,50 ₡1 119,00 ₡957,66 Envase tipo carrete ₡900,41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor PD54008L-E STMicroelectronics 1: ₡4 449,98 3 425En existencias	N.º de artículo del Fabricante PD54008L-E N.º de artículo de Mouser 511-PD54008L-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor	Hoja de datos	3 425En existencias	Cinta cortada ₡4 449,98 ₡3 206,07 ₡2 893,79 ₡2 737,65 Envase tipo carrete ₡2 737,65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	RF MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerFLAT (5x5)	N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD54008-E STMicroelectronics 1: ₡8 098,44 1 523En existencias	N.º de artículo del Fabricante PD54008-E N.º de artículo de Mouser 511-PD54008-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	Hoja de datos	1 523En existencias	₡8 098,44 ₡5 730,32 ₡5 303,54 ₡5 298,34 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD57030-E STMicroelectronics 1: ₡22 853,64 480En existencias	N.º de artículo del Fabricante PD57030-E N.º de artículo de Mouser 511-PD57030-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	Hoja de datos	480En existencias	₡22 853,64 ₡19 428,97 ₡18 825,23	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH STL10LN80K5 STMicroelectronics 1: ₡2 243,21 3 053En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL10LN80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STL10LN80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH	Hoja de datos	3 053En existencias	Cinta cortada ₡2 243,21 ₡1 342,80 ₡1 092,98 ₡916,02 Envase tipo carrete ₡869,18 Ver ₡874,38 ₡791,11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-VHV-8	N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN power transistor STLD128DNT4 STMicroelectronics 1: ₡968,07 4 522En existencias	N.º de artículo del Fabricante STLD128DNT4 N.º de artículo de Mouser 511-STLD128DNT4	STMicroelectronics	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN power transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	4 522En existencias	Cinta cortada ₡968,07 ₡608,94 ₡400,24 ₡314,36 Envase tipo carrete ₡243,06 Ver ₡269,08 ₡191,53 ₡176,96 ₡176,44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	BJTs - Bipolar Transistors	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK STD7N52K3 STMicroelectronics 1: ₡1 181,46 3 759En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD7N52K3 N.º de artículo de Mouser 511-STD7N52K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	3 759En existencias	Cinta cortada ₡1 181,46 ₡749,47 ₡504,85 ₡409,09 Envase tipo carrete ₡342,47 Ver ₡366,93 ₡329,45 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 STL210N4F7 STMicroelectronics 1: ₡1 353,21 2 603En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL210N4F7 N.º de artículo de Mouser 511-STL210N4F7	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6	Hoja de datos	2 603En existencias	Cinta cortada ₡1 353,21 ₡775,49 ₡593,33 ₡496,52 Envase tipo carrete ₡426,26 Ver ₡472,06 ₡401,28 ₡400,76 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	MOSFETs	Si
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) H VL fast-switching BUL743 STMicroelectronics 1: ₡1 540,58 4 639En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUL743 N.º de artículo de Mouser 511-BUL743	STMicroelectronics	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) H VL fast-switching Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	4 639En existencias	₡1 540,58 ₡895,20 ₡676,61 ₡551,69 Ver ₡459,57 ₡447,60 ₡436,15	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-220-3	NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package STB28N60M2 STMicroelectronics 1: ₡1 452,10 1 792En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB28N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STB28N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	1 792En existencias	Cinta cortada ₡1 452,10 ₡718,24 ₡645,38 ₡518,38 Envase tipo carrete ₡458,53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp STD35NF06LT4 STMicroelectronics 1: ₡1 134,61 21 229En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD35NF06LT4 N.º de artículo de Mouser 511-STD35NF06L	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp	Hoja de datos	21 229En existencias	Cinta cortada ₡1 134,61 ₡551,69 ₡490,28 ₡389,83 ₡361,72 Envase tipo carrete ₡324,77 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte STD3N80K5 STMicroelectronics 1: ₡1 035,73 5 125En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD3N80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STD3N80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	5 125En existencias	Cinta cortada ₡1 035,73 ₡496,00 ₡443,44 ₡351,31 Envase tipo carrete ₡318,00 Ver ₡341,43 ₡306,03 ₡286,26 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A STD3NK80Z-1 STMicroelectronics 1: ₡1 488,53 3 339En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD3NK80Z-1 N.º de artículo de Mouser 511-STD3NK80Z-1	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A	Hoja de datos	3 339En existencias	₡1 488,53 ₡697,42 ₡629,76 ₡536,08 Ver ₡496,52 ₡478,83 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected STD5N95K5 STMicroelectronics 1: ₡1 342,80 3 778En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD5N95K5 N.º de artículo de Mouser 511-STD5N95K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	3 778En existencias	Cinta cortada ₡1 342,80 ₡660,99 ₡593,33 ₡472,58 ₡446,56 Envase tipo carrete ₡405,96 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT STGF7NB60SL STMicroelectronics 1: ₡1 290,75 2 872En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGF7NB60SL N.º de artículo de Mouser 511-STGF7NB60SL	STMicroelectronics	IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stgxx igbt	Hoja de datos	2 872En existencias	₡1 290,75 ₡629,76 ₡567,31 ₡451,24 Ver ₡423,66 ₡396,07 ₡392,43	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-220-3 FP
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed STGWA40H120F2 STMicroelectronics 1: ₡4 403,14 535En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGWA40H120F2 N.º de artículo de Mouser 511-STGWA40H120F2	STMicroelectronics	IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed	Hoja de datos	535En existencias	₡4 403,14 ₡2 555,49 ₡2 149,52 ₡2 055,84	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole
IGBTs 600V 65A N-Channel STGY50NC60WD STMicroelectronics 1: ₡9 076,92 953En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGY50NC60WD N.º de artículo de Mouser 511-STGY50NC60WD	STMicroelectronics	IGBTs 600V 65A N-Channel Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stgxx igbt	Hoja de datos	953En existencias	₡9 076,92 ₡5 610,62 ₡5 303,54	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	Max247-3
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics 1: ₡5 230,68 495En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGYA120M65DF2AG N.º de artículo de Mouser 511-STGYA120M65DF2AG	STMicroelectronics	IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in	Hoja de datos	495En existencias	₡5 230,68 ₡3 252,91 ₡2 664,78 ₡2 586,71	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	Max247-3
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT STGYA50H120DF2 STMicroelectronics 1: ₡4 283,43 416En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGYA50H120DF2 N.º de artículo de Mouser 511-STGYA50H120DF2	STMicroelectronics	IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm h igbt	Hoja de datos	416En existencias	₡4 283,43 ₡2 711,62 ₡2 279,64 ₡2 211,98	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i STH275N8F7-6AG STMicroelectronics 1: ₡3 018,70 905En existencias	N.º de artículo del Fabricante STH275N8F7-6AG N.º de artículo de Mouser 511-STH275N8F7-6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stripfet f7 mosfets	Hoja de datos	905En existencias	Cinta cortada ₡3 018,70 ₡1 582,21 ₡1 441,69 ₡1 301,16 Envase tipo carrete ₡1 223,09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel