Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 2.3 mOhm max., 181 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL180N8F8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 2.3 mOhm max., 181 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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MOSFETs
Si
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PowerFLAT-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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BU508AF
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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BJTs - Bipolar Transistors
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ISOWATT-218FX-3
NPN
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
STE145N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FD
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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RF MOSFETs
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 25 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
STGIB20M60TS-L
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Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 25 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
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IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIP2B-26
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
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MOSFETs
Si
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PowerFLAT-5x6-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
STL10LN80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN power transistor
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STLD128DNT4
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN power transistor
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
STD7N52K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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STL210N4F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
PD55015TR-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
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RF MOSFETs
Si
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PowerSO-10RF-Formed-4
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
ST13005
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
STB14N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
STB15N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET
STD65N55F3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
STF2HNK60Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
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IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
STGB30H60DLLFBAG
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IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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IGBTs
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D2PAK-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
STGF10NB60SD
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511-STGF10NB60SD
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IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
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IGBTs
Si
Through Hole
TO-220-3 FP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
STH240N10F7-6
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511-STH240N10F7-6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
STH315N10F7-6
STMicroelectronics
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₡2 815,72
4 937 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STH315N10F7-6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
4 937 En existencias
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Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET
STL115N10F7AG
STMicroelectronics
1:
₡1 790,40
11 761 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL115N10F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET
11 761 En existencias
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Carrete :
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8
N-Channel