Transistores

Resultados: 1 876
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 2.3 mOhm max., 181 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package 350En existencias
Cinta cortada
₡1 795,61
₡900,41
₡811,93
₡660,99
Envase tipo carrete
₡546,49
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Min.: 1
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: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET 2 335En existencias
Cinta cortada
₡2 399,35
₡1 233,50
₡1 119,00
₡957,66
Envase tipo carrete
₡895,20
Min.: 1
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: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor 10 598En existencias
₡2 139,11
₡1 150,23
₡910,81
₡843,15
₡671,40
Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa 750En existencias
₡17 263,84
₡12 418,30
₡11 824,97
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp 4 225En existencias
₡3 148,82
₡2 185,95
₡2 040,22
₡1 899,70
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor 3 301En existencias
Cinta cortada
₡4 449,98
₡3 206,07
₡2 893,79
₡2 737,65
Envase tipo carrete
₡2 701,22
Min.: 1
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: 3 000
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5) N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 1 523En existencias
₡8 098,44
₡5 730,32
₡5 303,54
₡5 298,34
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Min.: 1
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RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 480En existencias
₡22 853,64
₡19 428,97
₡18 825,23
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 25 A, 600 V short-circuit rugged IGBT 212En existencias
₡8 301,42
₡5 641,84
₡4 600,91
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IGBT Modules Si Through Hole SDIP2B-26
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH 2 205En existencias
Cinta cortada
₡1 514,55
₡978,47
₡671,40
₡546,49
₡505,89
Envase tipo carrete
₡478,31
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH 3 043En existencias
Cinta cortada
₡2 243,21
₡1 342,80
₡1 092,98
₡916,02
Envase tipo carrete
₡869,18
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Min.: 1
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: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN power transistor 4 519En existencias
Cinta cortada
₡968,07
₡608,94
₡400,24
₡314,36
Envase tipo carrete
₡243,06
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Min.: 1
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: 2 500
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK 3 759En existencias
Cinta cortada
₡1 181,46
₡749,47
₡504,85
₡409,09
Envase tipo carrete
₡342,47
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 2 603En existencias
Cinta cortada
₡1 353,21
₡775,49
₡593,33
₡496,52
Envase tipo carrete
₡426,26
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
MOSFETs Si
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST 573En existencias
Cinta cortada
₡11 543,92
₡8 665,75
₡8 238,97
Envase tipo carrete
₡7 692,48
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw 6 031En existencias
₡858,77
₡405,44
₡361,20
₡283,65
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Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 1 297En existencias
Cinta cortada
₡2 326,48
₡1 191,87
₡1 082,57
₡936,84
Envase tipo carrete
₡858,77
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A 634En existencias
Cinta cortada
₡3 206,07
₡1 686,31
₡1 540,58
₡1 410,46
Envase tipo carrete
₡1 332,39
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET 2 973En existencias
Cinta cortada
₡1 639,47
₡817,13
₡739,06
₡593,33
₡582,92
Envase tipo carrete
₡536,08
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A 2 217En existencias
₡1 254,32
₡608,94
₡546,49
₡435,63
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed 1 975En existencias
Cinta cortada
₡2 113,09
₡1 389,64
₡1 051,34
₡879,59
Envase tipo carrete
₡811,93
₡770,29
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp 2 636En existencias
₡1 342,80
₡660,99
₡593,33
₡472,06
₡409,09
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac 3 650En existencias
Cinta cortada
₡2 602,33
₡1 342,80
₡1 223,09
₡1 066,95
Envase tipo carrete
₡1 004,50
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 4 937En existencias
Cinta cortada
₡2 815,72
₡1 467,71
₡1 332,39
₡1 186,66
Envase tipo carrete
₡1 108,59
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET 11 761En existencias
Cinta cortada
₡1 790,40
₡895,20
₡811,93
₡655,79
Envase tipo carrete
₡598,54
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel