Resultados: 36
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Hoja de datos
1 718En existencias
₡3 393,43
₡2 316,07
₡2 035,02
₡2 019,41
₡2 009,00
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
Hoja de datos
2 043En existencias
₡2 050,63
₡1 066,95
₡962,86
₡791,11
₡713,04
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
Hoja de datos
1 667En existencias
₡1 816,42
₡1 056,54
₡817,13
₡681,81
₡593,33
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.5 A 430 mOhms 25 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
Hoja de datos
476En existencias
₡5 844,83
₡3 278,93
₡3 242,50
₡2 898,99
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
Hoja de datos
958En existencias
₡2 201,57
₡1 134,61
₡1 025,32
₡843,15
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Hoja de datos
643En existencias
₡6 667,16
₡4 434,37
₡4 168,93
₡3 762,96
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
Hoja de datos
728En existencias
₡2 539,87
₡1 353,21
₡1 165,84
₡999,29
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Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Hoja de datos
400En existencias
1 000Se espera el 5/2/2027
₡3 320,57
₡1 753,97
₡1 550,99
₡1 394,85
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH
Hoja de datos
5 749En existencias
₡2 217,18
₡1 129,41
₡1 025,32
₡910,81
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Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 279 mOhms 25 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Hoja de datos
1 953En existencias
₡3 601,62
₡1 920,52
₡1 753,97
₡1 472,92
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Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Hoja de datos
1 372En existencias
₡5 683,48
₡3 710,92
₡3 383,03
₡2 925,02
₡2 774,08
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Hoja de datos
1 205En existencias
1 000En pedido
₡3 513,14
₡1 868,47
₡1 707,13
₡1 587,42
₡1 504,15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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1 800En existencias
₡3 018,70
₡1 670,69
₡1 478,12
₡1 238,71
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Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Hoja de datos
326En existencias
₡5 667,87
₡3 476,71
₡3 049,93
₡2 591,92
₡2 529,46
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
Hoja de datos
1 416En existencias
₡8 983,23
₡5 173,43
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 84 A 29 mOhms 25 V 3 V 204 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
Hoja de datos
881En existencias
₡1 462,51
₡718,24
₡645,38
₡519,42
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
Hoja de datos
251En existencias
2 000Se espera el 26/2/2027
₡2 971,86
₡1 545,78
₡1 410,46
₡1 165,84
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 30 W MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Hoja de datos
351En existencias
2 550En pedido
₡4 429,16
₡2 404,55
₡2 211,98
₡2 050,63
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Hoja de datos
87En existencias
₡8 150,49
₡4 824,71
₡4 590,50
₡4 215,77
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
Hoja de datos
328En existencias
₡4 319,86
₡2 404,55
₡2 206,77
₡1 910,11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 125 mOhms 25 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
Hoja de datos
100En existencias
1 200Se espera el 9/4/2027
₡2 519,05
₡1 441,69
₡1 233,50
₡1 035,73
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms 25 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
Hoja de datos
5En existencias
₡3 731,74
₡2 362,91
₡1 899,70
₡1 691,51
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 139 mOhms 25 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Hoja de datos
49En existencias
1 200Se espera el 29/1/2027
₡5 022,49
₡3 081,16
₡2 659,58
₡2 446,19
₡2 378,53
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
Hoja de datos
651Se espera el 4/6/2027
₡18 283,95
₡14 141,04
₡13 214,62
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 17 mOhms 25 V 3 V 363 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
Hoja de datos
4 122En pedido
₡19 980,67
₡15 197,59
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 138 A 15 mOhms 25 V 4 V 414 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube